【課題】マイクロ波処理装置において被処理体に対して均一な処理を行う。
【解決手段】マイクロ波処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器２と、ウエハＷを処理するためのマイクロ波を生成する少なくとも１つのマグネトロン３１を有し、マイクロ波を処理容器２に導入するマイクロ波導入装置３と、マイクロ波導入装置３を制御する制御部８とを備えている。制御部８は、ウエハＷを処理するための状態が継続している間に、マイクロ波の周波数を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の導電性制御を目的に行われる不純物ドーピング後の活性化アニールや欠陥修復アニールおよび表面の酸化等を行う熱処理装置に関し、特にＳｉＣを基材とする半導体に必要な１２００〜２０００℃の超高温の熱処理を行う場合に問題となるエネルギー効率、処理速度、装置の部品寿命および被加熱試料の劣化を改善することである。
【解決手段】 本発明では、断熱材９を設け放熱を抑制する構造としたプラズマ処理室内に、被加熱試料１を下部電極３上に載置し、その上部電極２−下部電極３間を大気圧近辺の希ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等）を主原料としたガスで満たし、上部電極２に高周波電源５からの電力を印加することで、大気圧のグロー放電を生成し、該グロー放電による電極間のガス加熱を用いて被加熱試料１の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】加熱効率が高く、しかも更なる高速での昇温及び降温が可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すようにした熱処理装置２において、排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられてその上面側に前記被処理体を載置させるための載置台１８と、前記載置台の上部に設けられる複数の熱電変換素子２２と、前記処理容器の天井部を気密に覆う光透過窓８と、前記処理容器内に向けて必要なガスを導入するガス導入手段１２と、前記光透過窓の上方に設けられて前記被処理体に向けて加熱用の光を射出する半導体光射出素子５８を含む複数の加熱光源５２よりなる加熱手段４６とを備える。これにより、加熱効率が高く、しかも被処理体に対して更なる高速での昇温及び降温が可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数のマグネトロンを用いて反射電力を少なくしてマイクロ波を照射することができるマイクロ波照射装置およびマイクロ波照射方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波照射装置１００は、被処理体を収容するチャンバ１と、電圧が供給されることによりマイクロ波を発生させ、そのマイクロ波を前記チャンバ１内の被処理体に照射するための複数のマグネトロン１０ａ，１０ｂと、これら複数のマグネトロン１０ａ，１０ｂにパルス状電圧を供給する電源部２０とを具備し、電源部２０は、複数のマグネトロン１０ａ，１０ｂにそれぞれ供給されるパルス状電圧の電圧パルス同士が時間的に重ならないように電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを高温アニールするような場合であっても、低熱容量で且つ均一加熱が可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置において、平行平板電極２、３と、これら電極間に高周波電圧を印加し放電させる高周波電源６と、これら電極間に配置される被加熱試料１の温度を計測する温度計測手段１７と、これら電極間へのガス導入手段１０と、これら電極の周囲を覆う反射鏡１３と、高周波電源６の出力を制御する制御部１８を備える。これら電極間での放電によるガス加熱を用いて被加熱試料１の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を載置した回転テーブルを回転させてプラズマ処理を行うにあたり、基板に対して面内均一性の高い処理を行うこと。
【解決手段】回転テーブル２の周方向に複数のプラズマ発生部８０を備えた活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対して処理ガスのプラズマを供給して改質処理を行う。この時、夫々のプラズマ発生部８０（補助プラズマ発生部８２）の長さ寸法Ｒを変えることができるように構成し、回転テーブル２の中心部側から外周部側におけるウエハＷの改質の度合い（プラズマの量）を調整する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁を保護するライナ上にシリコン結晶が形成されるのを抑制する。
【解決手段】チャンバ１の頂部にプロセスガスの供給部４、内部に半導体基板６を載置する回転可能なサセプタ７、内部の供給部４とサセプタ７との間にガス整流板２０、およびチャンバ内壁を被覆する筒状のライナ２とを備え、プロセスガスを供給部４からガス整流板２０を介してチャンバ１内を流下させ、下方のサセプタ７上の半導体基板６表面に結晶膜を形成する成膜装置５０において、ライナ２は、ガス整流板２０側の頭部３１と胴部３２との間に頭部３１および胴部３２より内径の小さい括れ部分３３を有し、さらに、ライナ２の括れ部分３４には、括れ部分３４の周囲を囲むように伝熱リング４０を配置して、伝熱リング４０を介してライナ２の熱をチャンバ１に伝えるようにする。 （もっと読む）

【課題】開口部を開閉するための弁体にヒーターを取り付け、且つこのヒーターに容易に電力を供給することができるようにする。
【解決手段】ゲートバルブ装置１０は、隣接する２つの空間を仕切る壁に設けられた開口部１１２を開閉するための弁体１２と、弁体１２を移動させる弁体移動装置２０と、弁体１２を加熱するためのヒーター１３と、ヒーター１３に電気的に接続されていると共に、ヒーター１３に供給される電力を出力する電力出力部に対して電気的且つ物理的に接続可能なコネクタとを備えている。弁体１２、ヒーター１３およびコネクタは一体化されている。コネクタは、弁体１２が開口部１１２を閉塞した状態では電力出力部に対して電気的且つ物理的に接続され、弁体１２が開口部１１２を開放した状態では電力出力部から電気的且つ物理的に乖離するように、弁体１２と連動する。 （もっと読む）

【課題】 熱処理容器内の全域を素早く均一な温度に昇温することができ、熱処理容器内に収納された複数枚の処理基板の全てに対して均一な熱処理を短時間で行うことができるようにする。
【解決手段】縦型炉装置１０は、第１のヒータ２の内側面２１、収納部１２の内側面１３、隔壁１４、第２のヒータ３の外側面３１を、平面視において互いに相似形である正方形状に形成し、互いの中心位置を一致させて備えている。ボート４は、収納部１２内の第１のヒータ２及び第２のヒータ３からの距離が互いに等しい４箇所のそれぞれで、処理基板Ｗの主面を内側面１３及び隔壁１４の外側面に平行にして処理基板Ｗを１０枚ずつ搭載している。処理基板Ｗは、第１のヒータ２が発生する熱によって外側面の全面を略均一に加熱され、第２のヒータ３が発生する熱によって内側面の全面を略均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】減圧雰囲気下で基板を予備加熱する際に、予備加熱時間の短縮を可能にして省電力化及び置換ガスの費消の低減ができるインライン式プラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】外部に基板トレー５の搬入部及び搬出部並びに内部に所定容積の空間部を有し密閉された密閉室からなる予備加熱室２及び成膜室３がこの順に連設されて、基板トレー５に基板Ｗが収容されて、基板トレー５が予備加熱室２及び成膜室３へ連続して搬入及び搬出されて処理されるインライン式プラズマＣＶＤ装置１であって、予備加熱室２は、予備加熱室２の床面側に上下動可能に配設された第１の加熱ヒータＨ１と、予備加熱室２の外側にあって第１の加熱ヒータＨ１に連結されて加熱ヒータＨ１を基板トレー５に接触させると共に基板トレー５を昇降させる昇降機構Ｅ１と、この昇降機構Ｅ１を制御する制御手段Ｃとを有し、予備加熱室２は減圧装置Ｐ１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部の温度を正確に調節できる電極部材及びこれを含む基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するための電極部材において、電極板と、前記電極板と熱接触する複数の熱電モジュール（１０）を備える冷却ユニットとを含んで電極部材を構成する。また、電極板は、プラズマが生成される生成空間と対向する前面及び前面と対向する後面を有し、各熱電モジュール（１０）は電極板の後面に配置される。電極板の後面には後面から陥没された設置ホールが形成され、各熱電モジュール（１０）は設置ホールに実装される （もっと読む）

【課題】ヒータに対して均一にパージガスを供給することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置は、気相成長を施す基板５を加熱するためのヒータ７と、基板５を保持するためのサセプタ６と、上記ヒータ７に対する基板の反対側において、上記ヒータの対面側の放熱を抑制するために互いに水平に設置された板状かつ複数の対面リフレクタ８ａ、８ｂ、８ｃと、ヒータ７の側面側における放熱を抑制する側面リフレクタ９とを備えており、ヒータ７に対して基板５の反対側から、対面リフレクタへパージガスを供給するパージガス供給管１３と、パージガスを排出する排出口３を備え、対面リフレクタ８ａ、８ｂ、８ｃのそれぞれには、複数の通気孔が形成されており、上記対面リフレクタのうち、隣接する対面リフレクタに形成された複数の通気孔同士は対向しない位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハの種類にかかわらずその温度分布を最小限にして成膜することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜が行なわれるシリコンウェハ１０１の種類に応じて、シリコンウェハ１０１の面内の温度分布を均一にするのに最適な第２の部材１０７を選択して成膜室１０２内に搬送し、第１の部材１０３に載置することでサセプタ１１０を完成させる。第２の部材１０７は、シリコンウェハ１０１の温度分布に応じて厚みが変化している。これにより、異なる種類のシリコンウェハ１０１を処理する場合であっても、温度分布を最小限にして成膜することができる。保管室には、第２の部材を加熱する第２の加熱部が設けられていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板を安定して高速回転することのできる成膜装置を提供する。また、基板を安定して高速回転させながら、基板上に膜を形成することのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、シリコンウェハ１０１を支持するサセプタ１０２と、サセプタ１０２を回転させるとともに、サセプタ１０２により上部が覆われてＰ_２領域を形成する回転部１０４とを有する。サセプタ１０２には、シリコンウェハ１０１との接触面１０５に複数の孔１０６が設けられており、Ｐ_２領域内の気体を排気することにより、シリコンウェハ１０１をサセプタ１０２に吸着させる。 （もっと読む）

堆積反応炉内の加熱された基板上に順次自己飽和表面反応によって材料を堆積させるように構成された前駆体ソースを備えるALD(原子層堆積)装置などの装置。本装置は、前駆体ソースからの前駆体蒸気を反応室に供給するための供給管路と、前駆体ソースと反応室との間で前駆体蒸気が液相または固相に凝縮することを防ぐために反応室加熱器からの熱を利用するように構成された構造とを備える。複数のパルス送出弁、前駆体ソース、複数の前駆体カートリッジ、および複数の方法も提示される。 （もっと読む）

【課題】処理される基板の面内偏差を低減できる加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱空間を囲う壁体と、壁体内部に設けられる発熱体と、発熱体からの熱線を反射する複数の反射体９１とを有する。複数の反射体９１それぞれの一端側に接続され複数の反射体９１を可動させる可動部９３を有する。少なくとも複数の反射体９１それぞれの一端側より他端側に接続され、可動部９３が動作する際に反射体９１の動きを支軸として規制する複数の支軸体９５とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の処理温度を急速に昇降温させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第２のプロセスモジュール５０は、チャンバ２９内に配置された載置台５１を有し、載置台５１は、ジャケット４０、冷媒流入室５３及び伝熱断熱切換室５７を内部に有し、ジャケット４０は、載置台５１の内部上方のウエハＷの載置面に配置され、このジャケット４０はガス流入室５２を内部に有し、このガス流入室５２にはガス導入管４２を介して高温ガス供給部４５が接続され、冷媒流入室５３には冷媒導入管５４を介して冷媒供給部５６が接続され、伝熱断熱切換室５７はジャケット４０と冷媒流入室５３との間に配置され、この伝熱断熱切換室５７には伝熱ガス導出入管５８を介して伝熱ガス供給排気部５９が接続されており、伝熱断熱切換室５７には伝熱ガスが流入、真空排気される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成室１０２と基体１０４の処理室１０３との間にガスの流れを制御する仕切り板１１１を有する装置において仕切り板の交換なしにガスコンダクタンスの変更を行う。
【解決手段】 仕切り板１１１内部に仕切り板を加熱あるいは冷却する手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】発熱体の長寿命化を図った発熱体ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】発熱体３と電力供給機構との接続部と、前記支持体３１による発熱体３の支持部とのいずれか一方又は両者を覆い、内部と発熱体３の延出部の周囲とに隙間が設けられたカバー３０１，３０２と、該カバー３０１，３０２内部の隙間にガスを導入するガス導入系とを備えている発熱体ＣＶＤ装置とし、前記カバー３０１，３０２内部の隙間に導入したガスを前記発熱体の延出部の周囲の隙間から前記処理容器内に流動させ、前記処理容器内に供給された原料ガスの前記カバー内部の隙間への侵入を抑制できるようにする。 （もっと読む）

【課題】前駆体含有流体流を搬送するための容器、装置を用いる方法を提供する。
【解決手段】容器内に含まれる前駆体物質から前駆体含有流体流を搬送するための容器。上方容積部と下方容積部とに分割された内部容積部。上方容積部と下方容積部とが流体連通していて且つ下方容積部が前駆体物質を含む内部容積部、少なくとも１種のキャリアガスを容器の内部容積部に導く流体入口、流体出口、および上方容積部の少なくとも一部を内部に備えた内部凹部を含む蓋、少なくとも一部が蓋に接する上方リップを有する側壁、蓋と側壁との間に配置されたセパレーター。上方リップに隣接してあり且つ内部容積部を上方容積部および下方容積部に分割しているセパレーター。少なくとも１種のキャリアガスをセパレーターを経由し且つ前駆体物質の方へ導くためにセパレーターに向かって開口しているプレナム室を有する流体入口と流体連通している入口プレナムを含む。 （もっと読む）