【課題】排気口の周辺に生成物が付着し難い成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、反応室を構成するベースプレート１０１と、ベースプレート１０１の上に設置されてベースプレート１０１の全面を被覆するベースプレートカバー１０３とを有する。ベースプレート１０１には、反応室から余剰の反応ガスを排出する排気口６が設けられており、ベースプレートカバー１０３には、排気口６に勘合する形状と大きさを備えた貫通孔１０７が設けられている。反応ガスの下流側における貫通孔１０７の端面１０９は、排気口６の端面１１０より突出している。ベースプレートカバー１０３は、ベースプレート１０１と対向する面に突起部１０８を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法のサファイア基板上又はＳｉ基板上に、所望の組成比率ｘのＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この際、キャリアガスは、不活性ガスと水素からなり、この水素分圧を０以上０．１未満の範囲に置く。その結果、原料の供給比率と、成長させた結晶の組成比率との間の関係を線形なものにすることができ、結晶組成の制御性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器１と、処理容器１内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、処理容器１内に、ガスを供給するガス導入部２７と、を具備し、基板載置台３の、被処理基板Ｗが載置される基板載置面３ａが窪み３ｂを有し、窪み３ｂの直径を２００ｍｍとしたとき、最深部の深さを１ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】均一性に優れた高品質な薄膜が形成可能な、酸化物薄膜原料を含んだ水溶液の霧化による薄膜形成用の量産装置を提供する。
【解決手段】基板が成長室６の上側に固定して設置され、その下側に設置された貫通孔プレート４とそのさらに下側に設置された整流羽根５の両者が回転することにより、基板に対して均一にミスト７を供給することが可能となる。また、回転部分である貫通孔プレート４と整流羽根５の両者が一体で、これが固定されている基板２に対して回転する。これにより、両者を一体で製作するため部品数が少なくなり、かつ回転部分を一箇所のみにすることができるため、装置構造を簡略化することができる。また、基板回転を行わないため、基板加熱機構（ヒータ）１も簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】 製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板に対して処理を施す処理室と、複数のガスを処理室内に導入するガス導入部と、処理室上に配置され、複数のガスをガス供給機構からガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロック１３と、を具備し、ヒーターがロッドヒーター２３であり、インレットブロック１３がロッドヒーター挿入用孔１３ｃを有し、ロッドヒーター２３が、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハ等の基板の熱処理工程の処理時間を短縮する。
【解決手段】 本願に係る熱処理方法は、加熱した上輻射板を熱処理炉外のサセプタに平置した基板の上面側に対向する位置まで移動させるとともに、加熱した下輻射板を熱処理炉外のサセプタに平置した基板の下面側に対向する位置まで移動させる工程と、上輻射板および下輻射板がそれぞれ基板の上下面側に対向した状態を維持して、上輻射板、下輻射板、サセプタおよび基板を一体に熱処理炉内に搬入する工程と、上輻射板および下輻射板がそれぞれ基板の上下面側に対向した状態を維持して、上輻射板、下輻射板、サセプタおよび基板を一体に熱処理炉内から搬出する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数のヒータで被加熱物を加熱するにあたり、複数のヒータ電源の特性ばらつきに依存しない加熱制御システムを実現する。
【解決手段】本発明の加熱制御システムは、被加熱物の温度を検出する熱電対６Ｍと、温度制御手段３Ｍおよび温度制御手段３Ｓ１と、電力値Ｗｍを検出する電流・電圧検出手段５Ｍおよび現在電力ＰＶｓ１を検出する電流・電圧検出手段５Ｓ１と、目標電力ＳＰｓ１を算出する目標電力算出手段１Ｓ１とを備えている。温度制御手段３Ｍは、目標温度ＳＰｍおよび現在温度ＰＶｍを入力し、現在温度ＰＶｍが目標温度ＳＰｍに合うように電力を制御し、目標電力算出手段１Ｓ１は、電力値Ｗｍを入力し、電力値Ｗｍに所定の比率を乗じて目標電力ＳＰｓ１を算出し、温度制御手段３Ｓ１は、目標電力ＳＰｓ１、および現在電力ＰＶｓ１を入力し、現在電力ＰＶｓ１が目標電力ＳＰｓ１に合うように電力を制御している。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法を用いて、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させる場合に、結晶組成値ｘを速やかに且つ正確に設定することによって、組成グレーディングを容易に実現する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この結晶成長装置１１０は、水素ガス供給ポート３０を備えている。この水素ガス供給ポート３０を介してＨ_２＋ＩＧガスを炉中に導入することによって、原料ガスの濃度は一定に保ったまま、水素ガスの濃度（分圧比）を調節する。その結果、成長部の水素ガス濃度（分圧比）を速やかに変化させることができるので、成長させる結晶中の結晶組成値ｘを所望の値に速やかに且つ正確に設定することができる。その結果、組成グレーディングを効率よく実行することができる。 （もっと読む）

【課題】 抵抗加熱ヒータの劣化に起因する抵抗値の変化を高い分解能で検出することにより、抵抗加熱ヒータの交換時期を正確に予測できる電力供給システムを提供する。
【解決手段】 電力供給システム１００は、抵抗加熱ヒータ１０６、供給電力調節器１１０、温度調整用調節計１３０、抵抗検出装置１４０、及び熱電対１３１、１４１を備えている。供給電力調節器１１０は、入力側フィルタ回路１１１、ＩＧＢＴ変換器１１２、カレントトランス１１３、電圧測定ライン１２３、電源変動検出手段フィードフォワード回路１１４、周波数変換回路１１５、出力側フィルタ回路１１６、カレントトランス１１７、電圧測定ライン１１８、及び負荷変動検出手段フィードバック回路１１９を備えている。抵抗検出装置１４０は、演算器（ＣＰＵ）１４４、ヒータ製作時基準テーブル１４５、及びヒータ温度係数テーブル１４６を備えている。 （もっと読む）

【課題】常圧下で窒化源を用いたＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜の結晶成長を行う窒化物薄膜成膜装置において、ガスの流量を維持しつつ、成膜されるシリコン窒化膜の膜厚を均一にすることができる窒化物薄膜成膜装置を提供する
【解決手段】基板１０の表面に、常圧下において窒化源を用いてＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体薄膜を成膜するためのシランガスとアンモニアガスとを含むガスを供給源としてシリコン窒化膜を成膜する窒化物薄膜成膜装置１００であって、基板が載置されるサセプタ１２ａと、サセプタを下面から加熱するヒータ１３と、サセプタの上面の前記ヒータによる均熱領域内に、基板の上流側に設けた基板の上面より高さが高い石英製のリング（障壁部材）１１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 インターロックが発生した場合に、不具合箇所の特定に要する時間が不要となり、メンテナンス性を向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 配管ヒータによる配管の過熱により、配管の温度が過温度に到達した場合、前記配管ヒータへの電源供給を遮断する複数の過温度防止スイッチを備えた半導体製造装置において、前記複数の過温度防止スイッチが前記電源供給を遮断すべく作動した場合に、前記複数の過温度防止スイッチのうちのどの過温度防止スイッチが遮断したかを表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】気相成長によりキャリア濃度の高いｐ型ＺｎＯ系半導体薄膜を成膜できる方法を提供する。
【解決手段】反応管３０内に外部から、窒素前駆体原料と亜鉛前駆体原料とを含み且つ酸素原子を含まない第1の原料ガス３１１を供給するとともに基板１０上にて窒素前駆体原料と亜鉛前駆体原料とを反応させる工程（Ａ）と、反応管３０内に外部から酸素前駆体原料を含む第２の原料ガス３１３を供給して酸素前駆体原料と工程（Ａ）において未反応となった亜鉛前駆体原料とを基板１０上にて反応させる工程（Ｂ）とを実施して成膜する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置に於けるヒータ電力フィード線と端子部との接続部分でスパークの発生を抑制し、ヒータ電力フィード線の損傷を防止する。
【解決手段】 基板処理室１２と、該基板処理室に収納された基板１３を加熱するヒータと、該ヒータに電力を供給するヒータ電力フィード線４８と、該ヒータ電力フィード線に接続されると共に電力供給源に接続された端子部とを具備し、該端子部の少なくとも前記ヒータ電力フィード線に接触する角部から尖端を除去した。 （もっと読む）

【課題】流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、稼働率を向上させる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ガス流路を有する弁箱２等の固定部と前記ガス流路を開閉する弁体９等の可動部とを有する弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体製造装置であって、前記弁装置の前記固定部に、前記ガス流路に固形膜が形成されるのを防止するための固定部用ヒータ２１を設けた半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、稼働率を向上させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】弁箱２等の固定部と弁体９等の可動部とを有する弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体製造装置であって、前記弁装置の前記固定部に固定部用ヒータを設けた半導体製造装置とする。これにより、流路壁面に固形膜が形成されるのを防止し、半導体製造装置の稼働率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハを均一に加熱することが可能なヒータと、生産性高く、均一な成膜を行うことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のヒータは、ウェーハｗを加熱するヒータ１７ｂであって、ウェーハｗの中心を通る軸を中心軸として回転対称となるようにそれぞれ離間して配置され、それぞれ電極が設けられた複数のエレメント２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄを備える。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段２６と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】基板の面内において成長温度に分布が生じるのを緩和し、目的とする窒化物系化合物半導体の結晶品質を面内で均一化できる、窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板および窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。
【解決手段】窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板であって、Ｓｉ（１１１）基板を例とする結晶形成用基板１の、結晶成長が起こる側とは反対側の面に、炭素膜を例とする赤外線吸収層２を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの乱流を防止して形成される薄膜のオートドープを低減する。
【解決手段】エピタキシャル装置１０は、箱形に形成され半導体ウェーハ１３が収容される反応容器１１と、ガスを供給して反応容器の内部に一端から他端に向かうガス流を生じさせるガス供給源１２とを備える。反応容器の一端側との間にガス室を形成するガス整流部材１９が反応容器の一端側に幅方向に広がるように設けられ、ガス整流部材にガス供給源からガス室に供給された原料ガスを分流してウェーハの周囲に流す複数のガス導入流路１９ａ，１９ｂが形成され、複数のガス導入流路はガス整流部材に鉛直方向に２列又は３列であって幅方向に１０〜４０個形成される。ガス室を幅方向に並ぶ複数の小ガス室に分断する仕切板２１が設けられ、複数の小ガス室にガスをそれぞれ供給するガス供給口が形成され、複数の小ガス室に供給するガス量を別々に調整する調整手段を更に備える。 （もっと読む）

【課題】冷媒をシャワープレートの全域に流れるようにすることにより、シャワープレートの冷却を均一に行い、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒バッファエリア２２ｂの周囲には、冷媒用リング状壁２２ｄを介して環状の冷媒外環室２７が設けられる。冷媒外環室２７は、冷媒導入口３８ａから冷媒が導入される冷媒外環導入室２７ａと、冷媒導入口３８ａの対向位置に設けられた冷媒排出口３９ａから冷媒が排出される冷媒外環排出室２７ｂと、冷媒外環導入室２７ａと冷媒外環排出室２７ｂとを区画する冷媒外環室隔壁２８とを備えている。冷媒外環室隔壁２８の一部には、冷媒外環導入室２７ａと冷媒外環排出室２７ｂとを連通する隔壁連通開口２８ａが設けられている。 （もっと読む）