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Fターム[5F045EK14]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 加熱(照射)・温度制御 (3,568) | 加熱(照射)機構 (3,161) | ランプ加熱・光照射(光励起のための照射等) (643) | 基板支持部材に光を照射するもの (87)

Fターム[5F045EK14]に分類される特許

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【課題】エピタキシャル成長において、ヒータからの熱線を調節して、シリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サセプタに水平に載置されたシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置であって、前記サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、該上下のヒータのそれぞれの中央に配置された上下の円筒状リフレクタと、前記上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、一部又は全ての前記単体ヒータの前記ヒータの中心側に、前記単体ヒータからの熱放射を散乱させる散乱体を有するものであるエピタキシャル成長装置。 (もっと読む)


【課題】内部スペースを有する加熱されたチャンバー内において半導体ウェハを支持するサセプタに関する。
【解決手段】当該サセプタ10は、上面24、および当該上面24と反対の下面26を有する本体20を備える。当該サセプタ10は、当該上面24から当該本体20に仮想の中央軸22に沿って下方に延びる凹部を有する。当該凹部はその中に半導体ウェハ12を受容することができる大きさおよび形状に形成されている。当該サセプタ10は、当該本体20を貫通し凹部から下面26まで延びる複数のリフトピン開口部を有する。複数のリフトピン開口部のそれぞれは、ウェハを凹部に対して選択的に上昇または下降させるため、リフトピンを受容することができる大きさに形成されている。サセプタ10は、本体20から中央軸22に沿って凹部から下面26まで延びる中央開口部を有する。 (もっと読む)


【課題】処理チャンバのカバーの表面の温度を慎重に制御したとしても起こり得る欠陥の発生に対する改善策を提供する。
【解決手段】上方カバー2および下方カバー3を有する処理チャンバ1において気相成長法によって半導体ウエハ5の上に層を堆積する方法および装置が提供される。方法は、半導体ウエハの前面側の温度を測定するステップと、半導体ウエハを堆積温度に加熱するステップと、処理チャンバの上方カバーの温度を目標温度に制御するステップとを備え、上方カバーの温度は、上方カバーの外表面の中心において測定され、上方カバーの温度を制御する制御ループの制御変数の実際の値として使用され、方法はさらに、層を堆積するための処理ガスが処理チャンバを介して導入されるガス流量を設定するステップと、処理チャンバの上方カバーの温度を目標温度に制御する際に堆積温度に加熱された半導体ウエハの前面側に層を堆積するステップとを備える。 (もっと読む)


【課題】リフレクタからの熱線を調節してシリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置を提供することを目的とする。
【解決手段】サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、上下のドーナツ状リフレクタの少なくとも一つは、ヒータの熱放射を収束させる収束反射板部と熱放射を分散させる分散反射板部とを有し、収束反射板部は棒状の単体ヒータに沿って形成された円筒凹面を有し、かつ該円筒凹面はドーナツ状リフレクタの径方向で異なった曲率半径の断面の部分を有するものであるエピタキシャル成長装置。 (もっと読む)


【課題】
結晶膜のCVD装置において、成長させる基板数を多くしたい。特に有機金属原料から成長させるGaNなどのバンドギャップの大きい化合物半導体の結晶成長CVD装置において、その要求が強い。
【解決手段】
中心に排気シリンダーを備えたサセプタを積層させ、当該サセプタに基板を載せて、加熱したサセプタの間にCVDの原料ガスを通す。ガスの消費効率を向上させるとともに積層させたサセプタに枚数に比例して一度に成長させる基板の枚数が増える。 (もっと読む)


【課題】熱処理用のチャンバーの内壁に処理ガスの成分を付着し難くすることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理対象物を収容した容器20が、加熱対象物として熱処理チャンバー10内で加熱される。ガス供給部から供給される処理ガスがパイプ42等を通じて容器20の内部に導入され、その内部のガスがパイプ52等を通じてポンプ部に排出される。パイプ42,52により形成されるガス流路が、熱処理チャンバー10の空間から隔てられるため、熱処理チャンバー10内の空間に処理ガスが漏洩し難くなる。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下を防止する。
【解決手段】シリコンウェーハを反応炉内で水素ベークする第1の工程(ステップS3)と、反応炉にシリコン原料ガス及びドーパントガスを導入することにより、水素ベークされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する第2の工程(ステップS4)とを備える。第1の工程においては、反応炉内にドーパントガスを導入し、外方拡散により低下するシリコンウェーハ表層の不純物濃度を補う。これにより、シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】サセプタ及び化学気相蒸着装置に関する。
【解決手段】化学気相蒸着装置用サセプタ100は、光透過性物質からなり基板101を収容するポケットを少なくとも一つ備えるサセプタ本体部104と、サセプタ本体部の上面に形成され、光吸収性物質になって前記サセプタ本体部を通過した光を吸収する光吸収部107とを含む。ポケットは、底部と、底部から上昇した位置に基板の周囲部を載せるように形成された係止段差部とを備え、係止段差部は、サセプタ本体部に形成されるか、または、ポケットまで延長されて形成された光吸収部の端部に形成される。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、サセプタとリングにひびや割れを発生させることなく、サセプタ表裏面の雰囲気遮蔽性を高め、ウェーハ裏面側へのエピタキシャル層の形成を抑制することを目的とする。
【解決手段】 エピタキシャル気相成長装置であって、サセプタの下面に、サセプタとリングとの間隙からのガスの流通を抑制するための石英製カバー部材が設けられており、石英製カバー部材は、少なくともサセプタの下面に固定されて石英製カバー部材を支持している支持部と、リングの内径よりも外径が大きく、支持部から少なくとも反応容器の側壁に向けて水平に延びる延伸部とを有するものであることを特徴とする気相成長装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】大気圧または大気圧以上の成膜処理で窓の破損や窓を通る輻射熱の減少を生じないサーマルリアクタを提供する。
【解決手段】半導体ウェハ308を収納するウェハチャンバ304を有するサーマルリアクタ300は、上部熱源308の下に取り付けられるカバー部材306により画成されており、カバー部材306の中央窓部分314を凹状の外部表面の石英窓とする。 (もっと読む)


【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第3a族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第3a族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。 (もっと読む)


【課題】不純物汚染を十分に抑制しながら、低コストで、生産性良く気相成長を行うことができる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置10の反応チャンバー12内に配設されたサセプタ17のウェーハWの載置面が、原料ガスから生成された厚さ6〜20μmのポリシリコン膜で被覆され、かつ、前記気相成長装置10を構成する部材のうち前記反応チャンバー12内に露出した金属部材の表面が、原料ガスから生成された反応副生成物からなる膜で被覆された反応チャンバーを具備する気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で効率良く処理チャンバ内パーツを加熱することのできる半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内に基板を収容し、基板に所定の処理を施す半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられた処理チャンバ内パーツを加熱する半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法であって、第1の処理チャンバ内パーツを透過し、第1の処理チャンバ内パーツとは異なる材料からなる第2の処理チャンバ内パーツに吸収される波長域の加熱用の光を発生させる加熱用光源を処理チャンバの外側に配設し、加熱用の光を第1の処理チャンバ内パーツを透過させて第2の処理チャンバ内パーツに照射し、第2の処理チャンバ内パーツを加熱する。 (もっと読む)


【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャルウェーハ主表面側の周辺部のエピタキシャル層の層厚を制御することによってエピタキシャルウェーハの平坦性を向上させることができる気相成長の際に半導体基板を支持するためのサセプタと、このサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Wが配置される座ぐり部31を備え、前記座ぐり部31の端上部31bから外側に向かって、上面が上方または下方に傾斜するテーパーが形成されたテーパー部33を有するサセプタ30とする。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャルウェーハの外周部の厚さを容易且つ適切に制御することのできる技術を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を生成する際における、ウェーハWを載置するためのサセプタ26の外周部の高さ位置から、サセプタ26のウェーハWを載置する位置までのザグリ深さを特定するザグリ深さ情報を決定し(ステップS1)、サセプタ26におけるザグリ深さが、ザグリ深さ情報により特定されるザグリ深さとなるように、サセプタ26の外周部の高さ方向にシリコン膜を生成させ(ステップS4)、サセプタ26にウェーハWを載置させ、ウェーハWにエピタキシャル層を生成する(ステップS7)ようにする。 (もっと読む)


【課題】半導体薄膜等の成膜装置において、成膜室を機械的強度に優れかつ高純度な部材で作製する。
【解決手段】石英板材と金属部材を一体化したハイブリッド部材を使用して成膜室が作製される。ハイブリッド部材は、石英板材を金属部材に真空吸着することによって作製され、ハイブリッド部材の石英板材側が成膜室の内面となるように成膜室が組み立てられる。原料ガスに接する成膜室の内面が石英面になっていて、石英板材でカバーされた金属面は成膜室の内部から隔離されるので、金属部材からの放出ガスの影響を抑制できる。成膜室の外殻が金属部材で構成されるので機械的強度に優れている。石英板材を金属部材と一体化した状態で成膜室の組み立て等を行えるので、石英板材の破損の危険性を低減できる。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの裏面の端部にシリコンが付着することを抑制し、ウェーハの平坦度を向上させることが可能なエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長装置10は、原料ガスが供給されるチャンバー11と、チャンバー11内においてウェーハWを裏面側から支持するサセプター13と、ウェーハ13の上方にリング状に配列された複数の加熱用ランプ20からなり、ウェーハWを主面側から加熱する上部ランプ群20Gと、サセプター13の下方にリング状に配列された複数の加熱用ランプ21からなり、ウェーハWを裏面側から加熱する下部ランプ群21Gと、上部ランプ群20の外側に設けられた略円筒状の反射部材25とを備えている。反射部材25の下端部は内側に傾斜しており、上部ランプ群20Gの任意の加熱用ランプ20から真下方向に輻射された電磁波は、傾斜面25aで反射してウェーハWの端部Pに導かれる。 (もっと読む)


【課題】TiO膜やSrTiO膜の結晶性を制御し、誘電率を増大させる。
【解決手段】基板上に立方晶もしくは斜方晶の結晶性を持つ第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成し、第1の高誘電率絶縁膜の結晶性を第2の高誘電率絶縁膜に反映させて、第2の高誘電率絶縁膜の結晶性をルチル構造とする工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、ウェーハとの固着を防止したエピタキシャル成長用サセプタ及び該サセプタを用いたエピタキシャル成長装置を提供することにある。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用サセプタは、エピタキシャル炉内で水平に配置され、上面にウェーハを収容するザグリ部を有するサセプタであって、該ザグリ部を形成する側壁の少なくとも一部に、熱伝導率がサセプタ本体の熱伝導率よりも低い離間材を有することを特徴とする。 (もっと読む)


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