【目的】
サセプタからの輻射熱を効率的に消散させて副生成物の生成及び付着を防止し、また、結晶成長を繰り返し実行しても、高品質な結晶層を成長可能なホリゾンタル方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】
材料ガス流路を画定する材料ガス供給部は、基板保持部に対して材料ガス流路の上流側に配され、基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有している。材料ガス供給ガイドは、材料ガス流路を画定する面とは異なる面に形成された凹凸構造からなる赤外線出射部を有している。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長において、ヒータからの熱線を調節して、シリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サセプタに水平に載置されたシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置であって、前記サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、該上下のヒータのそれぞれの中央に配置された上下の円筒状リフレクタと、前記上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、一部又は全ての前記単体ヒータの前記ヒータの中心側に、前記単体ヒータからの熱放射を散乱させる散乱体を有するものであるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】サセプタからの熱逃げが抑制され、かつサセプタ支持部材の熱による破損を防止できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
ヒーター２３によってサセプタ２１を加熱し、原料ガス導入部１３から真空槽１１内に原料ガスを導入し、サセプタ２１の板部２１ａの表面に配置された基板５１に薄膜を形成する成膜装置１０であって、サセプタ２１の筒部２１ｂの端部とサセプタ支持部材３１との間には、サセプタ２１とは別の材質である熱抵抗部材２２が配置されており、サセプタ２１の熱が熱抵抗部材２２で遮られてサセプタ支持部材３１に伝わりづらくなっている。 （もっと読む）

【課題】サセプターのうち基板が配置される範囲内を均一な温度に維持できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
回転部３０により板部２１を筒部２２と一緒に回転させながら、ヒーター２３によって板部２１と筒部２２とを加熱し、原料ガス導入部１３から真空槽１１内に原料ガスを導入し、板部２１の表面に配置された基板５１に薄膜を形成する成膜装置１０であって、板部２１のうち、基板５１が配置される範囲より外側には、基板５１が配置される範囲の厚みより厚みが薄い第一の熱抵抗部分４１が環状に設けられており、基板５１が配置される範囲内から外側に熱が逃げにくくなっている。 （もっと読む）

【課題】炉口部近傍に於ける基板温度の面内均一性を図ることで基板の処理枚数を増大させ、基板の処理効率を向上させる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数枚の基板１３を保持する基板保持具５と、該基板保持具が搬入される処理炉１と、該処理炉に設けられ基板を加熱する加熱部２と、前記処理炉内に処理ガスを供給するガス供給部８，１１と、前記処理炉内を排気する排気部１２と、前記加熱部と前記ガス供給部と前記排気部とを制御する制御部とを具備し、前記基板保持具の下部にはダミー基板１３ｂが保持されると共に、前記基板保持具の下端にボートキャップ６が設けられ、少なくともダミー基板と前記ボートキャップとの間に伝熱板３４が設けられた。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波処理装置において被処理体に対して均一な処理を行う。
【解決手段】マイクロ波処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器２と、マイクロ波導入装置３と、制御部８とを備えている。マイクロ波導入装置３は、マイクロ波を生成する複数のマグネトロン３１を有し、制御部８は、ウエハＷを処理するための状態が継続している間に、複数のマグネトロン３１の各々を任意に組み合わせた複数の組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、複数のマグネトロン３１を制御する。 （もっと読む）

【課題】リフレクタからの熱線を調節してシリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置を提供することを目的とする。
【解決手段】サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、上下のドーナツ状リフレクタの少なくとも一つは、ヒータの熱放射を収束させる収束反射板部と熱放射を分散させる分散反射板部とを有し、収束反射板部は棒状の単体ヒータに沿って形成された円筒凹面を有し、かつ該円筒凹面はドーナツ状リフレクタの径方向で異なった曲率半径の断面の部分を有するものであるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】複数のマイクロ波源と処理容器との間のインピーダンス整合の精度を向上させる。
【解決手段】マイクロ波処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器２と、ウエハＷを処理するためのマイクロ波を生成して処理容器２に導入するマイクロ波導入装置３と、マイクロ波導入装置３を制御する制御部８とを備えている。マイクロ波導入装置３は、マイクロ波を生成する複数のマグネトロン３１と、複数のマグネトロン３１において生成されたマイクロ波を処理容器２に伝送する複数の導波管３２とを有し、複数のマイクロ波を同時に処理容器２に導入することが可能である。制御部８は、複数のマイクロ波を同時に処理容器２に導入する第１の状態が継続している間に、選択的且つ一時的に、複数のマグネトロン３１のうちの１つにおいてマイクロ波を生成し、このマイクロ波のみを処理容器２に導入する第２の状態に切り替える。 （もっと読む）

【課題】再現性良く良好な膜質を得ることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、加熱部を備えた基板載置部と、前記基板載置部を支持し、前記基板載置部と共に回転可能な回転軸部と、前記加熱部に電力を供給する供給線と、前記供給線の一端に接続され、充電器を内蔵する温度制御部と、前記温度制御部に電力を供給する電力供給部とを有し、前記加熱部を所望の温度まで上昇させる際には、前記温度制御部と前記電力供給部を接続し、前記温度制御部を経由して前記電力供給部から前記加熱部へ電力を供給し、前記所望の温度に到達した後、前記温度制御部と前記電力供給部を切り離し、前記充電器から前記加熱部へ電力を供給するよう制御する制御部を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの温度分布を制御し、より膜厚均一性を向上させることが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するガス供給機構と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを下方より加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転制御部と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、ヒータの下部に設けられ、ヒータからの熱を前記ウェーハの裏面に反射するための反射板と、反射板を上下移動させるための上下駆動部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜時の温度制御が可能となり、ウェーハ上に成膜された膜厚のバラツキを極めて少なくし、生産性を高めた半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１１は、ウェーハｗの径より小さく、表面に凸部１２ｂ（温度制御板となる）を有するインナーサセプタ１２と、中心部に開口部を有し、インナーサセプタを開口部が遮蔽されるように載置するための第１の段部と、この第１の段部の上段に設けられ、ウェーハを載置するための第２の段部を有するアウターサセプタ１３を備える。 （もっと読む）

【課題】均熱部材を載置台内に一体的に埋め込むようにして被処理体の面内温度の均一性を高めると共に、被処理体に対する加熱効率を高めることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を加熱する加熱手段３８が埋め込まれると共に、前記被処理体を載置する載置台３２と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱３０とを有する載置台構造において、前記載置台内に、前記埋め込まれている前記加熱手段の上方に位置させて平面方向に広がった均熱部材４０を埋め込むように構成する。 （もっと読む）

【課題】サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗のばらつきを抑制しつつ、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、高品質のエピタキシャル膜を形成できるエピタキシャル成長装置用サセプタサポートシャフトを提供する。
【解決手段】本発明のサセプタサポートシャフト１０３は、エピタキシャル成長装置内でサセプタ１０２を下方から支持するサセプタサポートシャフト１０３であって、前記サセプタ１０２の中心とほぼ同軸上に位置する支柱１０７と、該支柱１０７から前記サセプタ１０２の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム１０８と、隣接する該アーム１０８の先端同士を接続するアーム接続部材１０９と、該アーム接続部材１０９から延び、前記サセプタ１０２を支持するｎ本（ｎは４以上の自然数）の支持ピン１１０と、を有し、前記アーム１０８が（ｎ-１）本以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの大幅な短縮化が図り得ると共に、熱効率及び熱経済を大きく向上することができる多段式加熱装置を提供する。
【解決手段】盤状で、表裏両面から熱放射が可能な複数のプレート型ヒーター１と、これら複数のプレート型ヒーター１の外周部を取り囲む包囲部材１１であって、複数のプレート型ヒーター１を上下方向に間隔を置いて平行又は略平行に多段に配置すると共に、各プレート型ヒーター１をその周辺部において支持することにより、上下に隣接するプレート型ヒーター１，１の対向面間に加熱処理室１４を形成する包囲部材１１と、加熱処理室１４へ被加熱物を出し入れする出し入れ用開口１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のサセプタ１５０を積層して保持するサセプタ保持部材２１７と、複数のサセプタを収容する容器２０３と、容器の外側に配置された誘導コイル２０７と、容器２０３の外側に配置された保温材３６０と、を備え、容器２０３は上側の閉塞部２７０と、側壁部２７２とを有し、保温材３６０は、容器２０３の閉塞部２７０を覆うと共に、閉塞部２７０から側壁部２７２の一部までを覆って側壁部２７２と誘導コイル２０７との間を延在して設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダー材料の温度均一性向上のために、基板ホルダー用の基板ホルダー材料の加工方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に種々の半導体材料の層状蒸着を誘導加熱を用いて形成するために、その第１の側上に該半導体基板を載置する基板ホルダーの材料加工方法であって、前記方法は、前記基板ホルダー材料上の少なくとも１つの測定位置における第１の電気抵抗率を求めるステップと、前記第１の電気抵抗率を第２の基準電気抵抗率と比較するステップと、前記比較に対応させて前記基板ホルダー材料を修正するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱して処理する際における基板の面内温度均一性を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で基板を支持する基板支持部と、基板支持部の基板支持面に対向するように設けられ、所定の間隔を空けてそれぞれ隣接される加熱源を複数有する加熱部と、加熱部と基板支持部との間に設けられるフィルタと、を備え、複数の加熱源からなる加熱源群の外縁を構成する第一の加熱源群に対向する領域におけるフィルタの透過率を第一の透過率とし、複数の加熱源のうち第一の加熱源とは異なる第二の加熱源群と対向する領域におけるフィルタの透過率を第二の透過率としたとき、第一の透過率が第二の透過率よりも高く構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ支持部の面内の温度分布を適切にする処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理室１０と、該処理室内に設けられたウェーハＷの支持部２２と、該支持部を加熱するヒータｈと、前記支持部に対向して設けられ、前記処理室に通じる複数のガス吹出孔１４を有するシャワープレート１２と、を備え、該シャワープレートにおける前記支持部に対向する表面は、前記支持部側からの輻射熱に対する反射率が相対的に異なる複数の領域を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の温度分布を任意に調整することのできる成膜装置を提供する。また、基板を均一に加熱して、所望の厚さの膜を形成することのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１０３と、チャンバ１０３内に設けられてシリコンウェハ１０１が載置されるサセプタ１０２と、サセプタ１０２を回転させる回転部１０４と、サセプタ１０２の下方に位置するインヒータ１２０およびアウトヒータ１２１と、これらのヒータの下方に位置するリフレクタ集合部１０５とを有する。リフレクタ集合部１０５は、環状のリフレクタと円盤状のリフレクタとが組み合わされてなる。 （もっと読む）

【課題】特に真空処理装置において、被処理体を破損することなく略均一に被処理体を加熱できるようにした被処理体の加熱冷却方法を提供する
【解決手段】基板ステージ２に設けた正負一対の吸着電極１４ａ乃至１４ｄ間に所定の電圧を印加して基板Ｗを静電吸着し、基板ステージ２に組み込んだ加熱手段または冷却手段により基板を所定の温度に加熱または冷却する。基板の温度が所定の温度に達するまでの間に、この吸着電極の印加電圧を三角パルス状に変化させ、この印加電圧が低くなるときに吸着電極と被処理体とを実質的に縁切りする。 （もっと読む）