【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し（Ｓ５）、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合（Ｓ６）、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し（Ｓ７→Ｓ８）、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する（Ｓ７→Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型被処理体ボートの上段に積まれた被処理体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた被処理体への成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供すること。
【解決手段】複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う処理室１０１と、被処理体Ｗを加熱する加熱装置１３１と、処理室１０１の内部を排気する排気機構１３０と、処理室１０１を収容する収容容器１０２と、収容容器１０２の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構１２０と、処理室１０１の側壁に設けられた複数のガス導入孔１０１ａとを備え、処理に使用されるガスを、複数のガス導入孔１０１ａを介して、処理室１０１の内部に複数の被処理体Ｗの処理面に対して平行な流れで供給しつつ、処理室１０１内に炉内温度傾斜を設定せずに、複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長温度を低下させても、結晶欠陥が少ない高品質の立方晶炭化ケイ素膜を高速にて成長させることが可能な立方晶炭化ケイ素膜の製造方法及び立方晶炭化ケイ素膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜の製造方法は、シリコン基板の上に炭素を含むガスを導入し、このシリコン基板を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度まで急速加熱してシリコン基板の表面を炭化することにより立方晶炭化ケイ素膜を形成する第１の工程、この立方晶炭化ケイ素膜を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度に保持しつつ、この立方晶炭化ケイ素膜の上に、炭素を含むガス及びケイ素を含むガスを導入し、この立方晶炭化ケイ素膜をさらにエピタキシャル成長させる第２の工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】ドライクリーニング処理回数を抑制したり、或いはドライクリーニング処理自体をなくして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に且つ低コストで行うことが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて薄膜を表面に形成するための被処理体Ｗを載置する載置台構造２２において、被処理体を載置すると共に内部に加熱ヒータ２６が設けられた載置台本体１１４と、載置台本体の側面と底面とを囲んだ状態で載置台本体を支持すると共に内部に冷媒を流す冷媒通路２８が設けられて、原料ガスの分解温度未満で且つ固化温度又は液化温度以上の温度範囲に維持された基台１１６とを備える。これにより、ドライクリーニング処理自体をなくすなどして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に行う。 （もっと読む）

【課題】低温成長薄膜の特性を備え、様々な種類の光電素子及び電子素子を改善し、集積回路素子の品質を改善することができる反応装置を提供する。
【解決手段】反応装置５００は、第１の加熱ユニット１００及び第２の加熱ユニット２００を備える。第１の加熱ユニット１００と第２の加熱ユニット２００とが向かい合うように配置して反応領域１５０を形成し、第１の加熱ユニット１００の内側面と第２の加熱ユニット２００の内側面とにより角度が形成され、第１の加熱ユニット１００の温度と第２の加熱ユニット２００の温度とを個別に制御する。第１の加熱ユニット１００上に少なくとも１つの基板３００を配置し、少なくとも１つの基板３００が第１の加熱ユニット１００と第２の加熱ユニット２００との間に位置し、第１の加熱ユニット１００上の少なくとも１つの基板３００上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の高周波電極その他の電気的部材から給電ラインや信号線等の線路上に入ってくる高周波ノイズに対して並列共振周波数を任意にずらして調整できるようにし、異なる周波数の高周波ノイズをいずれも効率よく安定確実に遮断する。
【解決手段】フィルタ１０２(1)は、円筒形の外導体１１０の中にコイル１０４(1)を同軸に収容し、コイル１０４(1)と外導体１１０との間にリング部材１２２を同軸に設ける。リング部材１２２は、好ましくは外導体１１０の軸方向と直交する平面上で円環状に延びる板体として構成され、好ましくは銅、アルミニウム等の導体からなり、外導体１１０に電気的に接続され、コイル１０４(1)とは電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】真空容器のベーキング時間を短縮させたベーキング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空容器の排気を行う工程と、真空容器に不活性ガスを導入する工程と、を繰り返すサイクルを有する真空容器のベーキング方法であって、
前記真空容器の排気は、前記真空容器に設けた排気コンダクタンス可変のスロー排気バルブを介して行い、前記スロー排気バルブの排気コンダクタンスを、前記サイクルの直前のサイクルにおける排気コンダクタンスより大きく設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を一括して熱処理する反応炉を備えた熱処理装置に対して給電する電力設備の容量を小さくすることのできる熱処理システムを提供する。
【解決手段】基板に対して熱処理を行うｎ個（ｎは２以上の整数）の反応炉を備えた熱処理システムにおいて、第１の電力変換部２ａ、２ｂは三相交流電力を直流電力に変換するためにｍ個（ｍは２以上の整数）設けられ、第２の電力変換部４１〜４３は、これら第１の電力変換部２ａ、２ｂに接続されて各反応炉のヒータに電力を供給する。制御部５ａ、５ｂはｎ個の反応炉のヒータ１４〜１６の消費電力の合計がｍ個の第１の電力変換部２ａ、２ｂの最大出力の合計を越えないように各反応炉の運転のシーケンスを制御する。 （もっと読む）

基板処理チャンバ中に配置された基板を処理した後で、基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去する遠隔プラズマプロセス。一実施形態では、基板が基板処理チャンバから外に移送され、フッ素含有エッチャントガスの流れが遠隔プラズマ源の中へ導入され、そこで反応種が形成される。遠隔プラズマ源から基板処理チャンバへの反応種の連続的な流れが発生され、一方では、高圧力洗浄ステップと低圧力洗浄ステップのサイクルが繰り返される。高圧力洗浄ステップ中に、基板処理チャンバ内の圧力が４〜１５トルの範囲に維持されている間、反応種は基板処理チャンバの中へ流される。低圧力洗浄ステップ中に、高圧力洗浄ステップで到達された高圧力の少なくとも５０パーセントだけ基板処理チャンバの圧力を減少させながら、反応種が基板処理チャンバの中へ流される。
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【課題】熱処理装置の温度制御応答性を向上させ、温度安定時間を早くする。
【解決手段】基板を処理する処理室内を加熱する加熱手段と、加熱手段を制御する加熱制御部と、処理室内の温度を検出する第一および第二の温度検出手段とを備え、第一の温度検出手段は第二の温度検出手段よりも基板に近い位置に配置され、第二の温度検出手段は第一の温度検出手段よりも加熱手段に近い位置に配置される熱処理装置であって、熱処理装置に具備される加熱手段に入力する操作量を比例・積分・微分（ＰＩＤ）演算による帰還制御の一部を予め適当な値に設定し、当該加熱手段から出力される制御量を制御し、制御応答性の高い温度制御方式を得る。 （もっと読む）

廃棄流出物から熱を回収する方法及び装置を本明細書に開示する。一部の実施形態では、装置は、気体又は液体処理のために構成された第１の処理チャンバと、液体処理のために構成された第２の処理チャンバと、コンプレッサ及び第１の熱交換器を有するヒートポンプとを含むことができ、コンプレッサは、第１の処理チャンバから排出された第１の廃棄物を使用するように構成され、第１の熱交換器は、熱をその間で伝達するように構成された第１及び第２の側面を有し、第１の側面は、それを通過して液体反応剤を第２の処理チャンバ内に流すように構成され、第２の側面は、それを通過して第１の処理チャンバからの加圧された第１の廃棄物を流すように構成される。一部の実施形態では、液体反応剤を第２の処理チャンバに入る前に更に加熱するために、加熱器をヒートポンプと第２の処理チャンバの間に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応炉内にウェーハを搬入し、反応炉内に設置され、ウェーハを載置するための突き上げシャフトを上昇させて、突き上げシャフト上にウェーハを載置し、突き上げシャフトを上昇させた状態で、予備加熱により面内温度分布を制御して、ウェーハを凹状態とし、ウェーハが凹状態のまま突き上げシャフトを下降させてサセプタ上にウェーハを保持し、ウェーハを所定の温度に加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造においては、加熱炉内の温度条件が極めて重要であるが、加熱炉内の温度が所望プロファイルではない場合、これに対処する手段が何ら講じられていなかった。この発明の課題は、前記課題を解決する装置の提供にある。
【解決手段】加熱部５を備えた加熱炉内にウェハ７を収納し、加熱炉内を所定の温度に加熱してウェハ７に処理を施す半導体製造装置において、加熱炉内の温度を任意の時点でその実測温度に維持することのできる手段を備えた半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】アンテナを別途設ける必要がなく、しかも金属汚染等を生ずることなくワイヤレスで且つリアルタイムで被処理体の温度を精度良く正確に検出できる被処理体の熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施すための熱処理部を有する熱処理装置において、被処理体と温測用被処理体５８ａ〜５８ｅとを収容する処理容器８と、加熱手段１２と、処理容器内へロードされる保持手段２２と、ガス導入手段４０と、測定用電波を送信する送信用アンテナと、弾性波素子より発せられる温度に応じた周波数の電波を受ける受信用アンテナと、受信用アンテナで受けた電波に基づいて温測用被処理体の温度を求める温度分析部７０と、加熱手段を制御する温度制御部５０とを備え、送信用アンテナと受信用アンテナとを前記熱処理部に設けられた導電性部材にそれぞれ兼用させる。 （もっと読む）

【課題】基板上に各種薄膜を連続的に高速で形成することのできる連続薄膜の形成方法、形成装置、薄膜付きガラス基板及び半導体装置素子を提供する。
【解決手段】断面の厚さｄと幅ｂからなるｄｂ／（２（ｄ＋ｂ））が０．０１５以上０．１５以下の範囲の薄い帯状の基板１０を導入口１１４から隔離部１１０に連続的に導入するとともに、供給口１１６から反応ガス１１を加圧して供給し、基板１０および反応ガス１１を第１隔離ゾーン１１１内を通過させて所定の温度まで急速加熱し、続く第２隔離ゾーン１１２内でさらに加熱して反応ガス１１を基板１０上で分解し、続く第３隔離ゾーン１１３内を通過させて基板１０を所定の温度勾配で急速冷却することにより、基板１０上に反応ガス１１の所定の成分からなる薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板などを加熱雰囲気中で成膜させる際には、昇温させるだけでも半導体基板には相当の反り（湾曲）が発生する。反りが原因で、基板上に成膜させた膜質の均質性が劣化したり、基板にクラックが発生しやすくなるなどの問題が起こる。
【解決手段】基板の主表面の上側と下側との両方から基板を加熱することにより、主表面の上側と下側との温度勾配（温度差）を小さくし、基板の反りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュランプによる基板の熱処理状況を、簡便、かつ、良好に把握できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】第１計測部７８は、基板の非熱処理時に保持部７に載置可能とされている。第２計測部８８は、非熱処理時だけでなく、保持部７に基板が保持されて熱処理が実行される熱処理時においても、光照射部５から出射されて導光部８９により導かれた閃光のエネルギーを計測可能とされている。減少率演算部９３ａは、第２計測部８８の計測結果に基づいて求められる減少率ＤＲ２ｎを、第１計測部７８の減少率ＤＲ１ｎとして演算する。補正演算部９３ｂは、第１計測部７８で計測される閃光エネルギーの初期値Ｅ１０と、減少率演算部９３ａで求められた減少率ＤＲ１ｎと、に基づいて、第ｎ回目の発光時に基板に到達する閃光エネルギーＥ１ｎを演算する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の面内における温度を均一に保ち、アルミニウムと砒素を含む半導体層の酸化速度の面内均一性を高めることができる面発光型半導体レーザ製造用酸化装置、およびその面発光型半導体レーザ製造用酸化装置を用いることにより、品質の高い電流狭窄層を形成することができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る面発光型半導体レーザ製造用酸化装置１００は、酸化炉３０と、酸化炉３０内に設けられ、被処理体１０を載置するための支持部３２と、被処理体１０の裏面に向けて、不活性ガスを供給するガス供給部３４と、被処理体１０の表面に向けて、水蒸気を供給する水蒸気供給部３８と、不活性ガスを加熱する加熱部３６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁の表面状態が変動しても、再現性よく基板処理を実施できる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】処理室１０内に設置された半導体基板を加熱する加熱工程において、まず、処理室１０内に設置された半導体基板に対して熱を放射する側壁内面１ｓの放射率が放射率計８により計測される。また、側壁１の温度が熱電対４により測定される。次いで、測定された側壁１の温度に対応してあらかじめ取得されている上記放射率と処理室１０内に設置された半導体基板の実温度との対応関係に基づいて、処理室１０内に設置された半導体基板の温度が取得される。そして、取得された半導体基板の温度に基づいて、処理室１０内に設置された半導体基板が目標温度となる状態に、側壁１の温度がヒータ３により調整される。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の予熱工程における予熱条件を適正にして、サファイア基板の吸引保持を円滑にする手段を提供する。
【解決手段】サファイア基板２を大気中で昇温するホットプレート３と、サファイア基板２を、その裏面とホットプレート３とを対向させ、所定の間隔を隔てて支持する支持部６ａ、６ｂと、ホットプレート３に設けられ、サファイア基板２の中心部に向けて気体を噴出する噴出穴１１と、を備え、ホットプレート３で、サファイア基板２を予熱する場合に、サファイア基板２の予熱条件を、所定の間隔を１ｍｍ以下、噴出穴からの気体の噴出量を、２０Ｌ／ｍｉｎ以上とし、予熱の終了条件を、サファイア基板２の中心部温度が、外周縁部温度より６５℃以上低くなったときとする。 （もっと読む）