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Fターム[5F045EM01]の内容

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【課題】半導体ウエハと半導体製造装置のホルダとをシリコン酸化膜を介して接触させた場合に、半導体ウエハとホルダとの貼り付きが抑制された半導体装置およびこの半導体装置を製造可能とする半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】
この半導体製造装置は、反応容器となるチャンバー120と、半導体ウエハにDCSガスを提供するシャワーヘッド130と、半導体ウエハに熱を加えるヒーター150と、載置面13に半導体ウエハ200が接触して支持される載置部11と、この載置部11を囲む周縁部12と、載置面13に部分的に設けられ、シリコン樹脂を主成分とする支持部材14と、を有するウエハホルダ110を少なくとも備える。この支持部材14は、SiとOとを主成分とする。 (もっと読む)


【課題】基板を加熱するヒータの劣化を抑えてヒータ寿命を低下させることのない気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ101を載置するサセプタ102を、回転部104の円筒部104aの上部で支持する。円筒部104aの内部のP領域内には、シリコンウェハ101を下方側から加熱するヒータとして、インヒータ120とアウトヒータ121を配置する。そして、P領域にはガス導入管111からパージガスを供給するとともに、シリコンウェハ101をサセプタ102上の所定位置から持ち上げ、回転部104の上方に配置するときには、パージガスの流量を増大させるようにする。 (もっと読む)


【課題】 シリコン系薄膜の製造方法に関して、大面積の基板を用いた場合においても、高品質かつ均一な薄膜を得られる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、高周波電極と、該高周波電極と対向して配置される基板と、該高周波電極と対向して配置され、かつ、該基板を保持するホルダとを含み、プラズマCVD装置を使用するシリコン系薄膜の製造方法であって、
該高周波電極面と該ホルダ面との距離(E/H)、および該高周波電極面と該ホルダに保持された基板の面との距離(E/S)の差D=(E/S)−(E/H)が、
2mm以上4mm以下であり、かつ該距離(E/S)が、5mm以上10mm以下であることを特徴とするシリコン系薄膜の製造方法である。好ましくは該シリコン系薄膜が非晶質シリコン系薄膜であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板をフェイスダウンに保持してMOVPEで半導体結晶を成長するに際し、半導体結晶の未成長領域を無くすと共に基板への原料供給の阻害を低減できる半導体エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】加熱した基板11上に原料ガスを供給し、基板11上に半導体結晶を成長させる半導体エピウェハの製造方法において、基板11は、半導体結晶が成長される成長面12側の周縁部14に面取部15を有しており、フェイスダウンで、かつ面取部15のみが保持され、半導体結晶は、基板11の成長面12を下方に向けて成長されるようにした。 (もっと読む)


【課題】地震等による破損の発生を防止する。
【解決手段】ボート217を支持する断熱筒218を有する基板処理装置において、断熱筒218をボート217の下に締結される上筒10と、上筒10の下に締結される下筒20とから構成する。上筒10はボート217と同質の炭化珪素で同径の円筒形状に形成し、ボートの下側端板217aに炭化珪素のボルト18によって締結する。下筒20は石英で上筒10と同径の円筒形状に形成し、上筒10の上に印籠結合するとともに、ボルト26によって締結する。ボルト26は石英で形成し、基端部にねじ部27、先端部にねじ部の無い接触部28を形成する。ボルト26は下筒20に等間隔に突設された固定片24のねじ孔25にねじ部27をねじ込み、接触部28を上筒10の側壁11の熱通し孔13の内周面に接触させる。 (もっと読む)


【課題】欠陥等が無く均質化され同じ内部応力の半導体薄膜を、基板の両面に同時に結晶成長させることができ、しかも、製造工程が簡単で、歩留まりも高い半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板3の表面3aに第1の半導体薄膜を、この基板3の裏面3bに第2の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造方法であり、基板3の表面3aを赤外線ランプ15で加熱するとともに、この表面3aに第1の原料ガスg1を導入し、この表面3aに第1の半導体薄膜を成長させ、同時に、この基板3の裏面3bに第2の原料ガスg2を導入し、この裏面3bに第2の半導体薄膜を成長させる。 (もっと読む)


【課題】粉末噴射コーティング法を用いて誘電体層を形成する成膜法及び成膜装置において、誘電体層の膜厚ムラを低減させる。
【解決手段】本発明に係る成膜法は、粉末噴射コーティング法を用いて、シート基材5の表面上に誘電体層を形成する方法であり、工程(a)と工程(b)とを有している。工程(a)では、シート基材5の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。工程(b)では、シート基材5の湾曲した表面上に、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体粉末を堆積させることにより、誘電体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】基板を保持するキャリアのクリーニングを行わなわずとも、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Wがキャリア21からヒータ(アノードユニット)90に移載された後、キャリアは成膜室11から搬出される。基板をヒータに渡した後のキャリアは、成膜中は、仕込・取出室内で待機すればよい。この後、成膜室と仕込・取出室とを隔てるドアバルブを閉状態にする。 (もっと読む)


【課題】電圧印加手段から電圧が印加される給電部材の弾性の劣化やヘタリを評価することができる。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口と搬出口を有するチャンバ85と、チャンバ内にガスを供給するガス供給手段12と、ガスをプラズマにするためのプラズマ発生手段と、基板を保持する基板ホルダ20と、搬入口から搬入され、搬出口へと基板ホルダを保持しながら搬送するキャリア2と、基板ホルダ20に電圧を印加するための電圧印加手段16と、給電部材13を可動して、該給電部材を基板ホルダ20に接触又は非接触させることにより、電圧印加手段16からの電圧を供給するための駆動手段18と、給電部材13に流れる電流を測定する電流測定手段17と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板を均一に加熱することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、マイクロ波源から供給されたマイクロ波を処理室に輻射するマイクロ波輻射部を有し、前記マイクロ波輻射部は回転するよう構成され、前記基板支持部で支持された基板の処理面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記マイクロ波供給部と前記基板支持部の間に設けた仕切りと、前記基板支持部に設けた冷却部と、各構成を制御する制御部とを備える基板処理装置。 (もっと読む)


【課題】プラズマ発生装置を用いた成膜装置で基板に成膜を行う場合に、プラズマ発生開始時またはプラズマ発生停止時に発生するパーティクルの基板への付着を低減する手段を提供する。
【解決手段】真空容器1内において基板9に薄膜を成膜するプラズマを用いた成膜装置であって、真空容器内にプラズマを用いて基板に成膜を行う成膜領域と成膜を行わない待機領域とを持ち、真空容器内に、基板を戴置した基板トレイ10が成膜領域と待機領域との間で移動可能とする基板トレイ移動手段11と、プラズマの発生開始後に、基板トレイの待機領域から成膜領域への移動を可能とし、基板トレイの成膜領域から待機領域への移動後にプラズマの生成停止を可能とするインターロック手段とを更に備える。 (もっと読む)


【課題】ウエハボートに棚状に積載された複数の基板の各々に対して側方側から処理ガスを供給して反応管内において熱処理を行うにあたり、処理ガスの有効利用を図ると共に、装置のコストを低減すること。
【解決手段】保持板31の各々の上面側に基板載置領域33を周方向に複数箇所に形成して、これら保持板31を周縁側から周方向に亘って複数箇所において支柱32によって支持すると共に、保持板31上に支持されるウエハWの上面と当該ウエハWの上方側に対向する保持板31の下面との間の間隔寸法kよりも保持板31の外縁と内管12bの内壁との間の離間寸法tの方が小さくなるように、保持板31の外縁よりも内側寄りの位置に各々の支柱32を配置する。そして、ウエハWの各々の側方側のガス吐出口52から、各々のウエハWに対して処理ガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】真空処理室において高温で処理されたウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理システムを提供する。
【解決手段】複数の試料が収納されたカセットを設置したカセット台と、前記試料を搬送する大気搬送室と、前記大気搬送室から搬送された前記試料を収納し大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、前記ロックに連結された真空搬送室と、前記真空搬送室を介して搬送された前記試料を処理する真空処理室とを備える真空処理システムにおいて、少なくとも1つの前記真空処理室で処理された前記試料を第一の温度に冷却する冷却室と、前記冷却室で冷却された前記試料を第二の温度に冷却する冷却部とを備え、前記冷却部は、前記大気搬送室に配置され、前記冷却室で冷却された前記試料を前記第二の温度に冷却する冷却手段を有することを特徴とする真空処理システムである。 (もっと読む)


【課題】トレイの表面粗さに関係なくプラズマ処理時及びその前後に基板をトレイに確実に固定することができ、しかも必要なときにはトレイから基板を容易に剥離することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板14をトレイ15上に載置し、該トレイ15を支持台13上に載置して基板14表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、シート状の基材の両面に熱剥離粘着層が設けられた熱剥離接着部材16でトレイ15と基板14を接着する。熱剥離粘着層は常温で粘着性を有するため、プラズマ処理前後はトレイ15と基板14が確実に固定され、処理後はトレイ15を所定の剥離温度以上に加熱するだけで、基板14及び熱剥離接着部材16をトレイ15から容易に取り外すことができる。また、熱剥離接着部材16の両面に同じ熱剥離粘着層を設けたため、熱剥離接着部材16はトレイ15及び基板14に対して均等な接着力で接着する。 (もっと読む)


【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極21a,21bを有するリッジ導波管からなる放電室2と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源5A,5Bを放電室2に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器3A,3Bと、プラズマ処理前の基板Sをリッジ電極21a,21bの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Sをリッジ電極21a,21bの所定位置から送り出す基板搬送装置44と、高周波電力を供給する高周波電源5A,5Bと、リッジ電極21a,21bと基板Sとの間の気体を排気する排気手段とを有し、リッジ電極21a,21bの幅方向(H方向)の寸法を、長さ方向(L方向)の寸法よりも大きく設定し、基板Sの搬送方向Cを、リッジ電極21a,21bの幅方向Hに沿わせた。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハのオリフラ近傍の成膜の膜厚が、他の領域と比較して低減することを抑制する。
【解決手段】半導体製造装置100は、第1のオリフラ204が設けられた第1のウェハ202および第2のオリフラ214が設けられた第2のウェハ212を搬送する搬送部102と、搬送部102に設けられており、第1のウェハ202の上面および第2のウェハ212の上面(疑似ウェハ200の上面)に原料ガスを供給する第1の供給部と、搬送部102に設けられており、第1のウェハ202の下面および第2のウェハ212の下面(疑似ウェハ200の下面)に、原料ガスのウェハの下面への回り込みを防止するガスを供給する第2の供給部と、第1のウェハ202および第2のウェハ212の搬送部102上の配置位置を制御する制御部と、を備え、制御部は、上面視において、第1のオリフラ204を形成するために第1のウェハ202が切り欠かれた切欠領域の内側に、第2のウェハ212を配置する。 (もっと読む)


【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路51(第2の配管50)に介装され、前記流路51
を開閉可能なバルブ52と、前記流路51から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部16と、前記プラズマ発生部16及び前記バル
ブ52に接続され、前記バルブ52の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部16を駆動させる制御部60と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い精度での位置出しが可能であり、チャンバーを大気開放する必要がなく、内部部材の位置調整時間を短縮でき、チャンバー内への汚染の持ち込みを抑制することが可能なエピタキシャル成長装置の内部部材の位置調整方法を提供する。
【解決手段】クランプリング14の上面に光学センサ29を取り付けたセンサ取付け用リング28を設け、光学センサ29によりベースプレート27を基準高さとしてサセプタ16とこのサセプタ16の周囲に設けられたプレヒートリング18の位置関係を検出し、、検出毎に光学センサの取付け位置を移動して複数回繰返す。検出した複数の位置関係からサセプタ16の水平面に対する傾き度と、サセプタ16のプレヒートリング18に対する高さバラツキを算出する。算出結果に基づいて台座位置を調整してサセプタ16の傾き度又は高さバラツキの少なくとも1つを上側ドーム12をクランプリング14に固定した状態で是正する。 (もっと読む)


シリコン系薄膜太陽電池のための可動堆積ボックス(02)は、可動チャンバに設けられた少なくとも1群のカソード板(203)および1枚のアノード板(208)からなる電極アレイを含み、給電ソケット(203−1)がカソード板(203)の裏側の中心領域の円または半円凹部表面に位置付けられ、平坦な中間部分を有する給電要素(201)の円または半円端面(201−1)が信号給電ソケット(203−1)に接触し、RF/VHF電源信号を給電し、アノード板(208)が接地され、カソード板のシールドカバー(204)がスルーホール(204−1)を有し、カソード板(203)から絶縁される。
(もっと読む)


【課題】半導体ウエハ等の基板と、下部電極の基材又はその周辺の構造物との間で放電が発生することを防止することができ、歩留まりを向上させて生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバーと、処理チャンバー内に設けられ、高周波電力が印加される導電性金属からなる基材を有し、被処理基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、処理チャンバー内に設けられ、下部電極と対向するように配置された上部電極と、下部電極上に、被処理基板の周囲を囲むように配設されたフォーカスリングと、を具備したプラズマ処理装置であって、下部電極の基材とフォーカスリングとの間に、電流制御素子を介して電気的な接続を行い電位差に応じて直流電流を発生させる電気的接続機構を配設した。 (もっと読む)


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