【課題】 処理室内の異物を低減することで、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、基板を保持し、処理室内外に搬送される基板保持具と、基板保持具への基板の装填、又は基板保持具からの基板の脱装が行われる移載室と、移載室内の基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、処理室内から移載室内に搬出されて基板が脱装された基板保持具に、ノズルから不活性ガスを噴射するように不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】基板とそれを載置する冶具との間の貼り付きを防止する成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室であるチャンバ１０３内に配置された冶具であるサセプタ１０２上に基板１０１を載置し、サセプタ１０２を上部で支持する円筒部１０４ａを備えた回転部１０４を回転させながら、ガス制御部１４０の制御によって、チャンバ１０３内へ原料ガス１３７を供給する。併せて、円筒部１０４ａにパージガス１５１を供給し、パージガス１５１が基板１０１とサセプタ１０２の間から抜け出るようにすることによって、基板１０１の少なくとも一部がサセプタ１０２から浮いた状態で回転するようにし、基板１０１の上に所定の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Ｗを載置させる載置台１１は、所定の温度に温度調節される載置台本体１２と、載置台本体１２の上部に配置された、基板Ｗを吸着するための静電チャック１３を備え、静電チャック１３の上面に、中央に配置される第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と、周縁部に配置される第２の熱伝達用ガス拡散領域４８とが形成され、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７に熱伝達用ガスを供給する第１の熱伝達用ガス供給部５１と、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８に熱伝達用ガスを供給する第２の熱伝達用ガス供給部５２とを備え、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と第２の熱伝達用ガス拡散領域４８において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８は、静電チャック１３の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱するヒータの劣化を抑えてヒータ寿命を低下させることのない気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１０１を載置するサセプタ１０２を、回転部１０４の円筒部１０４ａの上部で支持する。円筒部１０４ａの内部のＰ_２領域内には、シリコンウェハ１０１を下方側から加熱するヒータとして、インヒータ１２０とアウトヒータ１２１を配置する。そして、Ｐ_２領域にはガス導入管１１１からパージガスを供給するとともに、シリコンウェハ１０１をサセプタ１０２上の所定位置から持ち上げ、回転部１０４の上方に配置するときには、パージガスの流量を増大させるようにする。 （もっと読む）

【課題】欠陥等が無く均質化され同じ内部応力の半導体薄膜を、基板の両面に同時に結晶成長させることができ、しかも、製造工程が簡単で、歩留まりも高い半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板３の表面３ａに第１の半導体薄膜を、この基板３の裏面３ｂに第２の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造方法であり、基板３の表面３ａを赤外線ランプ１５で加熱するとともに、この表面３ａに第１の原料ガスｇ１を導入し、この表面３ａに第１の半導体薄膜を成長させ、同時に、この基板３の裏面３ｂに第２の原料ガスｇ２を導入し、この裏面３ｂに第２の半導体薄膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板を静電的に吸着する静電チャックと基板との間に供給される冷却ガスのリークを抑えることができるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。基板Ｓに対するエッチング処理を実施しているときに、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２との切り替えを周期的に行うことによって静電チャック１７のチャック電極１７ｂに印加する直流電圧の極性を周期的に変える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、サセプタとリングにひびや割れを発生させることなく、サセプタ表裏面の雰囲気遮蔽性を高め、ウェーハ裏面側へのエピタキシャル層の形成を抑制することを目的とする。
【解決手段】 エピタキシャル気相成長装置であって、サセプタの下面に、サセプタとリングとの間隙からのガスの流通を抑制するための石英製カバー部材が設けられており、石英製カバー部材は、少なくともサセプタの下面に固定されて石英製カバー部材を支持している支持部と、リングの内径よりも外径が大きく、支持部から少なくとも反応容器の側壁に向けて水平に延びる延伸部とを有するものであることを特徴とする気相成長装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内でのマイクロ波の定在波による影響を極力抑制し、チャンバ内でのプラズマ密度の均一性を高くすることができるマイクロ波プラズマ源およびそれを用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマ源２はマイクロ波供給部４０を有し、マイクロ波供給部４０は、マイクロ波を処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入機構４３と、複数のマイクロ波導入機構４３のそれぞれに入力されるマイクロ波の位相を調整する複数の位相器４６とを有し、複数のマイクロ波導入機構４３のうち隣接するものについて、一方のマイクロ波の入力位相を固定し、他方のマイクロ波の入力位相を周期的な波形によって変化させるように、複数の位相器４６により複数のマイクロ波導入機構４３に入力されるマイクロ波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】水素又は塩化水素を含むパージガス用いるとともに、ＳｉＣヒータを備える成膜装置において、ＳｉＣヒータの劣化を抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハ７０の表面にシリコン膜を成長させる成膜装置１０であって、ウエハ７０を設置可能なウエハステージ１４、１６と、ウエハステージ内に配置されており、ウエハ７０を加熱するＳｉＣヒータ４２と、ウエハ７０の被成膜面に、シリコン膜の原料ガスを供給する原料ガス供給手段６０、６２、６４と、ウエハステージ内に形成されており、ウエハの裏面と外周面の少なくとも一部に、水素または塩化水素を含むパージガスを供給するパージガス流路３２、３０、３６と、ウエハステージ内に形成されており、ＳｉＣヒータ４２に、ＳｉＣヒータ４２に対して不活性なガスを供給する不活性ガス流路４４、４８を有している。 （もっと読む）

【課題】サセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】サセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置が開示され、該サセプタは、中空が設けられたディスク形状を有し、その上面には、被蒸着体が収容されるように、複数のポケットが凹状に形成され、その内部に、複数のポケットに流動ガスを供給するようにサセプタ流路が形成され、サセプタ流路の流入口は、サセプタの中空側に設けられたり、あるいはサセプタの下部側に設けられつつ、補強部を有する。 （もっと読む）

【課題】基板裏面側に形成されるエピタキシャル層を低減するエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板Ｗを載置する、複数の貫通孔を有するサセプタ３と、該サセプタを支持するサポートシャフト７と、前記チャンバー２内の前記サセプタ３上に載置された基板Ｗに反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段４と、反応後のガスを前記チャンバー２外に排出する反応ガス排出手段５と、を具備するエピタキシャル成長装置１において、前記サセプタ３の裏面側を覆うカバー９１を配設する。 （もっと読む）

【課題】長孔を有する炭素部品の長孔内部に被膜を形成することにより、酸化性、分解性ガスの雰囲気中でも消耗することなく使用できる炭素部品を提供し、特に孔内部からのパーティクルの発生を防止する。
【解決手段】内部に孔１１を有し、その外面１３がセラミック被膜で覆われた炭素部品１００であって、孔１１が二枚の板状の炭素体１９を重ね合わせて形成され、板材２１は少なくとも一方の炭素体１９の重ね合わせ面２３に形成された溝と、この溝に対向する他方の炭素体１９の重ね合わせ部とにより形成されており、溝を含む孔１１の内面全域がセラミック被膜で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板と、下部電極の基材又はその周辺の構造物との間で放電が発生することを防止することができ、歩留まりを向上させて生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバーと、処理チャンバー内に設けられ、高周波電力が印加される導電性金属からなる基材を有し、被処理基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、処理チャンバー内に設けられ、下部電極と対向するように配置された上部電極と、下部電極上に、被処理基板の周囲を囲むように配設されたフォーカスリングと、を具備したプラズマ処理装置であって、下部電極の基材とフォーカスリングとの間に、電流制御素子を介して電気的な接続を行い電位差に応じて直流電流を発生させる電気的接続機構を配設した。 （もっと読む）

【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＳｉ含有ガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＳｉ含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Ｓｉ含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 （もっと読む）

堆積プロセスのための方法および装置を、本明細書で提供する。いくつかの実施形態において、装置は、サセプタプレートの上面内に配設されるポケットを有し、かつ上面内に形成されポケットを取り囲むリップを有するサセプタプレートであって、リップがリップ上に基板を支持するように構成される、サセプタプレートと、ポケットからサセプタプレートの上面に延在し、基板がリップ上に配設されるとき、基板の裏側とポケットの間に閉じ込められるガスを排気する複数の通風口とを備える基板支持体を含むことができる。基板上に層を堆積するため、本発明の装置を使用する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 基板を目的の温度に迅速に冷却でき、均一冷却が可能な装置を提供すること。
【解決手段】 ＥＳＣステージにおいて、熱伝達ガスを導入可能な内側領域２５と外側領域２６を設け、これらの間に排気溝３０を設ける。排気領域は、内側領域２５との間を隔てる内周隔壁３４、外側領域２５との間を隔てる中間隔壁２９とに挟まれた溝状で、内周隔壁３４、中間隔壁２９を介して、内側領域、外側領域を排気する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程におけるウェハーの載置ズレを検出、調整し、ウェハーの載置精度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェハーＷを処理するチャンバと、チャンバ内に設けられ、ウェハーＷの裏面にガスを供給する複数の穴２０を有するウェハーステージ１４と、複数の穴２０におけるガスの漏れ量をそれぞれ独立に検出するガス検出機構と、検出された穴の位置及びガスの漏れ量に基づき、ウェハーＷのウェハーステージ１４の所定の位置からのズレの方向及び量を求めるウェハー位置検出機構３０と、ウェハーステージの所定の位置からのズレの方向及び量に基づき、ウェハーの位置を調整するウェハー位置調整機構３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了後のトレイからの伝熱による基板の温度上昇を低減することを課題とする。
【解決手段】 トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するとトレイ支持面２８と、上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに収容された基板２を支持する基板支持部２１の環状部７４の上面７４ａは、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁１５ｄの傾斜角度αよりも小さい傾斜角度βを有する。環状部７４の上面７４ａにより基板２が線接触的又は点接触的な態様で支持される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】セラミック接触層と、パターン結合層と、導電性ベースプレートと、地下アーク緩和層とを備える静電チャック組立体が提供される。セラミック接触層および導電性ベースプレートは、静電チャック組立体の地下部分に形成されるハイブリッドガス流通経路を協調して形成する。個々のハイブリッドガス流通経路は、導電性ベースプレートが提供する相対的に高導電性の表面と、セラミック接触層が提供する相対的に低導電性の表面とを備える。地下アーク緩和層は、相対的に低導電性の層を備え、静電チャック組立体の地下部分にあるハイブリッドガス流通経路の相対的に高伝導性の表面を覆うように形成される。さらに半導体ウェーハ処理チャンバが提供される。 （もっと読む）