【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置１は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ５に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置１であって、
サセプタ５の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置３を有し、サセプタ載置判定装置３は、回転するサセプタ５における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置２２と、位置測定装置２２の計測値を入力してサセプタ５の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段４７とを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 処理室内の異物を低減することで、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、基板を保持し、処理室内外に搬送される基板保持具と、基板保持具への基板の装填、又は基板保持具からの基板の脱装が行われる移載室と、移載室内の基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、処理室内から移載室内に搬出されて基板が脱装された基板保持具に、ノズルから不活性ガスを噴射するように不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する。 （もっと読む）

【課題】複数の独立に動作可能な基板処理ユニット（１００）を含むモジュール式半導体基板処理システム（１）を提供する。
【解決手段】
各ユニット（１００）は、反応器モジュール（１０４）及び基板搬送モジュール（１０２）を含む。システム（１）内では、異なるユニット（１００）の基板搬送モジュール（１０２）は、基板（１１６）がそれらの間で交換可能であるように順に相互接続される。隣接する処理ユニット（１００）間での基板（１１６）の交換は、隣接する処理ユニットの各対と関連付けられている共有の基板受渡しステーション（１３０）によって容易になされる。基板の実際の搬送は、好ましくはＳＣＡＲＡ型である基板操作ロボット（１２２）によって実行される。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を棚状に保持する基板保持具において、移載マージンを確保しながら、基板の配列間隔を狭くすること。
【解決手段】基板保持具（ウエハボート３）において、互いに分割可能に合体された第１のボート部１及び第２のボート部２を設ける。第１のボート部１のウエハＷ１の保持部１６ａ〜１６ｃと、第２のボート部２のウエハＷ２の保持部２６ａ〜２６ｃとは、ボート部１上のウエハＷ１とボート部２上のウエハＷ２とが交互に配列されるように、夫々の高さ位置が設定される。第１及び第２のボート部１、２に夫々ウエハＷ１、Ｗ２を移載してから、これらボート部１、２を合体させてウエハボート３を構成するため、ウエハボート３には、第１及び第２のボート部１，２へのウエハＷの移載時の配列間隔よりも狭い配列間隔でウエハＷを搭載することができる。 （もっと読む）

【課題】ガスクリーニングの際に供給されるＯ₂に起因するノズル内壁、ならびにノズル孔のエッチングを解決し、ＳｉＣ成膜における膜厚均一性悪化や結晶欠陥の発生などを防止する。
【解決手段】反応室内２２内のクリーニングを行う場合、石英からなるプレートを装填したボート１５を反応室２２に搬入し、反応室２２内を所望の圧力（真空度）、および所望の温度にする。その後、マスフローコントローラ４２，４５、およびバルブ４６，４９を制御し、クリーニングガス（Ｃｌ₂、Ａｒ）を供給する。このとき、プレートとクリーニングガスとの混合で起きる化学反応によってＯ₂ガスが発生する。この発生したＯ₂ガスが、ＳｉＣ膜ガスクリーニングの反応エッチングガスとなり、反応室内２２内のクリーニングが行われる。 （もっと読む）

【課題】 処理ガスの使用効率が良く、かつ、被処理体の面積が巨大であっても、ＡＬＤ法の適用も可能となるバッチ式処理装置を提供すること。
【解決手段】 メインチャンバ３１ａと、メインチャンバ３１ａ内に、このメインチャンバの高さ方向に積み重ねて設けられた、被処理体Ｇを載置する複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと、ステージ１０１ａ〜１０１ｙごとに設けられ、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された被処理体Ｇをカバーする複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙと、を備え、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙとで、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された複数の被処理体Ｇの各々を取り囲むように、メインチャンバ３１ａよりも容量が小さい処理用小空間１０６を形成する。 （もっと読む）

【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板（ウエハ）へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート３を縦型の熱処理炉２内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口２０から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート３が前記熱処理炉２の下方側に位置しているときに、前記炉口２０を塞ぐ蓋体６１を設ける。この蓋体６１は前記炉口２０を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体６１が前記炉口２０を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体６１の上面のパーティクルをクリーニングノズル７により吸引して除去する。このため、次に蓋体６１が炉口２０を塞いだ時に、熱処理炉２内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を有する基板を処理する基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記基板を処理する処理室２０１と、前記処理室内に少なくとも前記エピタキシャル膜を形成する原料ガスとクリーニングガスを供給するガス供給源２４０と、前記処理室内の少なくとも温度と圧力を制御する制御部２８０と、前記制御部は、前記処理室内が予め定められた温度および圧力になると前記処理室内をクリーニングガスを供給するように前記ガス供給源を制御する、ことを特徴とした基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスの加熱効率を向上させ、成膜ガスを処理基板と同等の温度まで加熱することができるガス導入路を提供することを課題とする。
【解決手段】ガス供給管３４０を流れてきたガスは、ガス予備加熱筒３６０のガス導入口３４２からガス予備加熱筒３６０内のガス流路３７４に流入する。ガス流路３７４を流れるガスが、ガス予備加熱筒３６０のガス導出口３６４へ到達するまでの間に、電磁誘導コイル２０７が誘導加熱したインナーチューブ３５０が、ガス予備加熱筒３６０を加熱し、ガス流路３７４を流れるガスは均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】
結晶膜のＣＶＤ装置において、成長させる基板数を多くしたい。特に有機金属原料から成長させるＧａＮなどのバンドギャップの大きい化合物半導体の結晶成長ＣＶＤ装置において、その要求が強い。
【解決手段】
中心に排気シリンダーを備えたサセプタを積層させ、当該サセプタに基板を載せて、加熱したサセプタの間にＣＶＤの原料ガスを通す。ガスの消費効率を向上させるとともに積層させたサセプタに枚数に比例して一度に成長させる基板の枚数が増える。 （もっと読む）

【課題】ワーク搭載用のトレイに載置された基板に処理を行う際、昇降装置により支承されたトレイの平面度を向上する。
【解決手段】基板カートＫの複数のトレイＴは、基板搬送装置７０の搬送用ローラＲにより、一対の側縁の下面を支承されている。基板カートＫの下方には、複数の昇降装置５０が配列されており、各昇降装置５０の先端側の保持部５２は、受け板５３を介して、トレイＴの下面を支承している。各昇降装置５０の保持部５２によるトレイＴの下面の支承面と、複数の搬送用ローラＲによるトレイＴの下面の支承面とを、トレイＴの下面を面一にする高さ位置に設定した状態で、トレイＴに搭載された基板Ｗに薄膜が成膜される。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＳ系太陽電池の光吸収層形成のためのセレン化又は硫化処理を行う基板処理装置において、ガラス基板の大型化に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、処理室を構成するように形成される反応管と、処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、処理室内の雰囲気を排気する排気管と、反応管を囲うように設けられた加熱部と、複数のガラス基板の表面において、複数のガラス基板の短辺方向に前記処理室内の雰囲気を強制対流させるファンと、を具備する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】サセプタの交換の際にサセプタの位置ずれの問題が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置は、サセプタ３が着脱可能に設置されて気相成長を行う反応炉５と、サセプタ３を搬送する搬送ロボット７と、搬送ロボット７及び反応炉５が収容されるグローボックス９と、グローボックス９内に設置されてサセプタ３の交換時にサセプタ３を一時的に載置する交換テーブル１１と、グローボックス９の側壁に設けられてサセプタ３の交換を行う交換ボックス１３とを備えた気相成長装置１であって、交換テーブル１１は、サセプタ３が載置されると回転して所定の回転位置で停止することでサセプタ３の回転方向の位置を決める位置決め装置１５を備えてなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ウエハのロード時において、ウエハ温度を確実に推定してウエハに対して迅速な熱処理を施す。
【解決手段】熱処理制御システム１は、ボート１２に保持されたウエハＷを処理する処理容器３と、処理容器を密封する蓋体１０と、処理容器３を加熱するヒータ１８Ａと、ヒータ１８Ａを制御する制御装置５１とを備えている。蓋体１０上にプロファイル温度センサ保持具８３Ａが設けられ、このプロファイル温度センサ保持具８３Ａにプロファイル温度センサ８３が設けられている。プロファイル温度センサ８３は温度推定部５１Ａに接続され、温度推定部５１Ａは、プロファイル温度センサ８３の検出信号に基づき、このプロファイル温度センサ８３の検出信号に一次遅れフィルタをかけてウエハＷの温度を推定する。制御装置５１は温度推定部５１Ａで求めたウエハＷの温度に基づいてヒータ１８Ａを制御する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面や対向面の状態によらず、形成するシリコン膜の表面の平坦性を向上させる。
【解決手段】 基板が収容される処理室と、処理室内に少なくともシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、処理室内に少なくともホウ素含有ガスを供給するホウ素含有ガス供給系と、基板が収容された処理室内にホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給させ、基板の表面を、ホウ素元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質させた後、シリコン含有ガス供給系からシリコン含有ガスを供給させると共に、ホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給させ、改質された基板の表面上にシリコン膜を形成するよう制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガス流出部の昇降時に、精度良くガス流出部の表面高さを維持しつつ、重量物であるガス流出部の落下を防止する停止機構を備えた気相成長装置を提供する
【解決手段】ガス流出部１０５を昇降するボールねじ２２の回転を強制的停止し、ガス流出部１０５の落下機構を備えた気相成長装置であって、ガス流出部１０５にシャフト２１を介して複数のボールねじ２２を相互に連結した上、それぞれのボールねじ２２とモータ２６とを連結するタイミングベルト２７の全てに複数のベルト破断検知センサ２８、２９、３０、３１を設置している。 （もっと読む）

【課題】縦型炉内にカバーボート内の平面状の薄型半導体基板を搬入する改良型搬入装置を提供する。
【解決手段】バッチ処理用に構成される縦型炉において半導体基板を搬入する搬入装置に用いられるウエハボート組立体であって、半導体基板を保持するウエハボートと、これらの基板を実質的に取り巻くように構成されるカバーとを含むウエハボート組立体において：
ベース部と、ベース部に取り付けられる第１のカバー部分であって、少なくとも部分的にベース部上側周縁部に沿って延在する第１のカバー部分とを有する第１のウエハボート部分と；
第１のウエハボート部分に取外し可能に配設されると共に第１のカバー部分と協働するように構成される第２のカバー部分であって、少なくとも１つの加工処理対象の半導体基板を受ける受入れスロットを含む第２のカバー部分を有する第２のウエハボート部分とを具備するウエハボート組立体。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するキャリアのクリーニングを行わなわずとも、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗがキャリア２１からヒータ（アノードユニット）９０に移載された後、キャリアは成膜室１１から搬出される。基板をヒータに渡した後のキャリアは、成膜中は、仕込・取出室内で待機すればよい。この後、成膜室と仕込・取出室とを隔てるドアバルブを閉状態にする。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いて分解温度の高い成膜ガスを安定に分解し、成膜を行うことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】内部が減圧空間とされる処理容器と、前記減圧空間に成膜ガスを供給するガス供給手段と、カーボンを主成分とする材料により構成さるとともに、前記減圧空間に設置されて被処理基板を保持する基板保持部と、前記処理容器の外側に設置される、前記基板保持部を誘導加熱するコイルと、前記基板保持部を覆うと共に、前記処理容器から離間させて設置される断熱材と、を有し、前記減圧空間は、前記成膜ガスが供給される成膜ガス供給空間と、前記基板保持部と前記処理容器との間に画成される断熱空間とに分離され、前記断熱空間に冷却媒体が介在されるように構成されていることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】炉口部を構成する部材の熱劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】処理ガスの供給により複数の基板を処理する処理部と、前記処理部で前記複数の基板を水平に保持するボートと、前記ボートを下方から支持する熱交換体を有し、該熱交換体の外周にガス流通経路が形成されている熱交換部と、前記処理部から前記熱交換部の前記ガス流通経路を介して高温の前記処理ガスが排気される炉口部と、前記ガス流通経路を通って前記処理部に延在されるノズルであって、前記処理部に延在されるノズル上部に前記処理ガスを供給する供給部を有するノズルと、前記ガス流通経路を通るノズル下部と前記熱交換体との間に設けられ、前記ガス流通経路を狭めるためのガス流通経路制限部とを有し、前記ガス流通経路制限部と前記熱交換体との間隙は、前記ノズル上部から前記複数の基板までの距離より小さく設定されている。 （もっと読む）