【課題】処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識することが可能な膜割れ検出装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器４を有すると共に被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置２に設けられて膜割れ検出操作を行う膜割れ検出装置４０において、成膜装置に取り付けられて弾性波を検出する弾性波検出手段４２と、弾性波検出手段の検出結果に基づいて処理容器４のクリーニングの要否を判断する判断手段４４とを備える。これにより、処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識する。 （もっと読む）

【課題】基板の撮像に基づく基板位置検出において検出誤差を低減することが可能な基板位置検出装置および基板位置検出方法、並びに基板位置検出装置を含む成膜装置を提供する。
【解決手段】位置検出対象である基板Ｗを撮像する撮像部１０４と、撮像部１０４と基板Ｗとの間に配置され、基板Ｗに対する撮像部１０４の視野を確保する第１の開口部１０６ａを有する光散乱性のパネル部材１０６と、パネル部材１０６に光を照射する第１の照明部１０８と、撮像部１０４により撮像された基板Ｗの画像から基板Ｗの位置を求める処理部１０４ａとを備える基板位置検出装置１００が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来のサーバ装置においては、測定情報を出力対象となる期間を適切に指定できないという課題があった。
【解決手段】被処理基板に対する所定のプロセスを行う１以上の製造装置１１を備えた群管理システムを構成するサーバ装置１２であり、１以上の製造装置１１で所定のプロセスを実行した場合の測定値と時刻を示す時刻情報を有する時系列の情報である測定情報を、複数格納し得る測定情報格納部１２０１と、所定の始点を特定する情報と有効時間の情報とを含む、測定情報の出力指示を受け付ける指示受付部１２０５と、所定の始点から有効時間内の測定情報を、測定情報格納部１２０１から取得する測定情報取得部１２０３と、取得した測定情報を用いた出力情報を構成する出力情報構成部１２０６と、出力情報構成部１２０６が構成した出力情報を出力する出力部１２０７を具備するようにした。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理において発生する異常条件を、一種類の信号を非連続的に検出することにより、プロセスの異常を的確にかつ簡便に診断する技術を提供する。
【解決手段】プラズマ処理の異常動作を検知する方法は、(i)反応チャンバ内でプラズマ処理が開始された後の時刻T1において、反応チャンバ内で互いに平行に配置された上部電極と下部電極との間のポテンシャルVpp1を検出する工程と、(ii)T1後の時刻T2において、上部電極と下部電極との間のポテンシャルVpp2を検出する工程と、(iii)演算値を得るために、Vpp1とVpp2とを比較する工程と、(iv)演算値が所定範囲内にあるか否かで異常動作を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置において、装置の異常を確実に検出すると共に装置に異常が起こったときにその異常の原因を容易に推定できるようにすること。
【解決手段】 一の監視対象とこれに関連する他の監視対象との相関データに基づいて２軸座標系に正常領域と異常領域との境界を定めた境界データを作成し、両者の値で決まる相関データの位置が異常領域に入っていれば異常と判断する。また装置が異常になったときにその異常に関連する少なくとも２つの監視対象の監視結果の組み合わせパターンのモデルを用意しておくと共に各モデルと異常の原因とを対応付けて記憶部に記憶させておき、装置の異常が検出されたときに、その異常に関連する少なくとも２つの監視対象の監視結果の組み合わせパターンに対し、前記記憶部内のパターンのモデルの中で一致しているモデルが存在したときにはそのモデルに対応する異常原因を読み出して知らせるようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置において、装置の異常を確実に検出すること。
【解決手段】 第１の監視対象とこの第１の監視対象の大きさに影響を与える第２の監視対象とについて、第２の監視対象の値を種々変えることにより得られた両者の値の組に基づいて、２軸座標系に両者の値の相関データを作成する。バッチ式の成膜処理装置の場合であれば、第１の監視対象及び第２の監視対象は夫々例えば累積膜厚及び圧力調整バルブの角度である。この相関データに基づいて２軸座標系に正常領域と異常領域との境界を定めた境界データを作成し、両者の値で決まる相関データの位置が異常領域に入っていれば異常と判断する。 （もっと読む）