【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子（窒化物半導体素子）１は、主面１０ａを有する基板１０と、ｎ型層２０ａ、ｎ型コンタクト層２０ｂおよびｐ型層２０ｄを含む半導体層２０と、を備える。主面１０ａはｍ面に対してａ軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層２０は、傾斜領域２１と非傾斜領域２２とを含む。傾斜領域２１において、ｎ型層２０ａおよびｎ型コンタクト層２０ｂの所定領域上にｎ電極４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体及びその製造方法、並びにその結晶積層構造体を含む低電圧駆動の半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含み、Ｇａ_２Ｏ_３基板２の表面の窒化物半導体層４の直下の領域をバッファ層３が被覆する割合が１０％以上、１００％未満であり、窒化物半導体層４の一部がＧａ_２Ｏ_３基板２の表面に接触する、結晶積層構造体１を提供する。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成した際の表面のエピ欠陥を低減することが可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ１を所定間隔をもって起立状態でＸ方向に整列させて収容する反応処理槽１０と、反応処理槽１０の底面に設けられ、反応処理槽１０にフッ化水素ガスを供給するガス供給口１１とを備え、ガス供給口１１は、フッ化水素ガスに含まれるミスト成分を除去するフィルタ１２を有する。フィルタ１２によってミスト成分が除去されたフッ化水素ガスにより半導体ウェーハ１の洗浄を行なうため、洗浄後に半導体ウェーハ１上にエピタキシャル層を形成した場合の表面のエピ欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、エピタキシャル成長工程前のエッチング工程においてエッチング量の面内均一性を改善することのできるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコン単結晶基板の表面をエッチングするエッチング工程後、前記シリコン単結晶基板の表面に原料ガスを用いてエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャル成長工程を行うエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記エッチング工程において、エッチングガスとキャリアガスに前記原料ガスを含めたガスで前記シリコン単結晶基板の表面をエッチングすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの表面に膜を成長させる技術であって、半導体装置を効率よく製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、チャンバ内に配置された半導体ウエハの表面に膜を成長させる動作と、チャンバ内に配置された半導体ウエハと前記膜とをエッチング可能なエッチングガスをチャンバ内に導入する動作とを実行可能な半導体製造装置のチャンバ内に半導体ウエハを搬入する搬入工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第１エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第１成膜工程と、チャンバから半導体ウエハを搬出するとともに、チャンバに別の半導体ウエハを搬入する入れ換え工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第２エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第２成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上に形成した平坦かつ薄い半導体基板であって、異種材料の基板からの剥離が容易な半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、第１の面に所定の間隔で配置した複数の半球状の凸部を有する基板と、前記基板の第１の面に形成した第１の半導体層と、を有することを特徴とする半導体基板が提供される。また、前記複数の半球状の凸部の表面積の合計と前記第１の面との比は１以上である。 （もっと読む）

【課題】複数の非極性発光セルを有する発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】この方法は、上部表面がｒ面、ａ面またはｍ面を有するサファイアまたは炭化珪素の第１の基板を用意することを含む。第１の基板は、その上部表面上にストライプ状の成長防止パターンを有し、また成長防止パターン間に側壁がｃ面であるリセス領域を有する。リセス領域を有する基板上に窒化物半導体層が成長され、窒化物半導体層をパターニングし、互いに分離された発光セルが形成される。これにより、優れた結晶品質の非極性発光セルを有する発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】面取り部の形状を再成形するとともに、裏面クラウンを完全に除去し、平坦性に優れた、パーティクルのほとんど無いエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表裏の主面と該主面の外周の面取り部とからなるシリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを製造する方法において、前記シリコン単結晶基板の前記裏面側の主面全面と前記裏面側の面取り部に裏面酸化膜を形成する工程と、該裏面酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の表面側の主面上に、４０μｍ以上の膜厚のエピタキシャル層を成長させる工程と、該エピタキシャル層表面に保護酸化膜を形成する工程と、該保護酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の面取り部を研削及び研磨する工程と、その後、前記保護酸化膜を除去して、仕上げの洗浄を行う工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】工程数の増大及び工程の長時間化が抑制された、転位の少ない化合物半導体層をエピタキシャル成長できる化合物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】第１の化合物半導体層の主面を酸化して、主面、及び主面から第１の化合物半導体層内部に延伸する転位に沿った第１の化合物半導体層内部の転位領域に、酸化膜を形成するステップと、転位領域に形成された酸化膜を除去せずに、主面に形成された酸化膜を除去するステップと、転位領域に形成された酸化膜の主面に露出した部分を覆うように、主面上に第２の化合物半導体層をエピタキシャル成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】優れた特性の炭化ケイ素半導体素子を作製することが可能な、ステップテラス構造を持った炭化ケイ素単結晶基板を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の（０００１）面に対して傾いた主面を有する炭化ケイ素単結晶基板であって、前記主面はステップｓとテラスｔとのステップテラス構造を有し、前記ステップテラス構造における前記ステップｓの平均高さｈが０.２５ｎｍ以上３ｎｍ
以下であり、前記主面の（０００１）面に対する傾斜角をθとするとき、前記主面内のいずれかの場所において、前記ステップｓに沿う方向に対して垂直な方向に、前記ステップｓと前記テラスｔとが連続する１０対の前記ステップテラス構造におけるテラス幅Ｗ_１〜Ｗ_１０のうち９０％以上が、Ｗ_０＝ｈ／ｔａｎθで求まる平均テラス幅Ｗ_０との相対誤差が１０％以内にある。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸部を設けた半導体成膜用基板の、真の製造効率を向上させるための製造方法を提供すること。
【解決手段】基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。半導体の成膜に適さない不良基板の発生が抑えられるので、基板の真の製造効率が改善される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの端面に角張った形状の結晶層を成長させることなく、半導体ウエハ上に厚い単結晶層を成長させることができる技術を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ１０上に単結晶層３０が形成されたエピタキシャルウエハの製造方法であって、平坦な上面１２と、平坦な下面１４と、上面１２と下面１４を接続する端面１６を有する半導体ウエハ１０の端面１６上に、アモルファス層２０を形成するアモルファス層形成工程と、アモルファス層形成工程後に、半導体ウエハ１０の上面１２上に、８０μｍ以上の厚みを有する単結晶層３０を気相成長させる単結晶層形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハにおける微細ダメージの直接的な抑制によって、ミリセックアニールによる熱応力にも耐えうる機械的強度を有するシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハ（１０）の端面を含む表面全体に、膜厚が１０ｎｍ以上の酸化膜（２０）を形成する工程と、該酸化膜（２０）を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程とを含む。また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハ（１０）の端面を含む表面全体に、膜厚が８ｎｍ以上の酸化膜（２０）を形成する工程と、該酸化膜（２０）を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程と、酸化膜（２０）を除去したシリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層（３０）を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】パターン付きウェーハの金属及び有機物の汚染を非破壊で短時間で測定し、処理条件を適正化して後続のウェーハの処理を行う高生産性の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１の第１主面１１ａ上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第１パターンを有する第１層２１を形成し、前記第１層が形成された前記第１主面に対向して設けられた探針３０と、前記第１基板と、の間の相対位置を前記第１主面に平行な平面内で変化させ、前記探針に発生する電気信号を検出し、前記電気信号に基づいて設定された条件を用いて、第２基板の第２主面上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第２パターンを有する第２層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】電気特性の悪化を抑制するとともに、ＰＬ特性の悪化を抑制することができるＩｎＰ基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩｎＰ基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板の製造方法は、以下の工程（ステップ）を備えている。ＩｎＰインゴットを準備するＳ１。このインゴットは、ＩｎＰからなっていてもよく、Ｆｅ、Ｓ、Ｓｎ、およびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含んでいてもよい。次に、準備したインゴットからＩｎＰ基板をスライス加工した後Ｓ２、ＩｎＰ基板を、研磨剤、化学研磨液などを用いて研磨しＳ３、ＩｎＰ基板を準備する。次に、研磨したＩｎＰ基板を前処理するＳ４。前処理により、研磨剤、化学研磨液などを除去する。続いてＩｎＰ基板を硫酸過水で洗浄しＳ５、この後、ＩｎＰ基板をリン酸で洗浄するＳ６。 （もっと読む）

【課題】製造工程の途中でエピ膜厚を測定できる手段を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面にｎ型エピ層２を成膜すると、第１、第２の溝４ａ、４ｂの外側ではｎ型エピ層２が成膜されるが、これらの間となる突出部５の上にはｎ型エピ層２が成膜されない。このため、これらの高さの差、つまり段差を測定することにより、ｎ型エピ層２を測定することができる。すなわち、これら各部において、測定装置から測定対象の最表面までの距離を求め、その差を測定することにより、半導体基板１の表面に成長したｎ型エピ層２の膜厚を測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が均一なエピタキシャル膜を有するとともに、平坦度に優れたエピタキシャルウェハを簡単な工程で製造することのできるエピタキシャルウェハの製造方法およびエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】ＣＺ法により得られたシリコン単結晶インゴットを薄円板状に切り出してウェハを得る（ステップＳ１）。次に、ウェハの表面を研削（ラッピング）して平面化する（ステップＳ２）。次に、エッチングによる化学研磨を行った（ステップＳ３）後、ウェハの両面を粗研磨する（ステップＳ４）。粗研磨終了後、気相エッチングを行い（ステップＳ５）、その後、エピタキシャル膜を形成する（ステップＳ６）。そして、エピタキシャル膜が形成されたウェハに対して仕上げ研磨を行い（ステップＳ７）、最終洗浄を行った（ステップＳ８）後、終了する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた半導体発光素子を高い収率で製造が可能な半導体発光素子用テンプレート基板とその製造方法等を提供する。
【解決手段】表面に複数の凸部１０２が形成された基板１０１と、基板１０１の複数の凸部１０２が形成された面上に成膜されたＩＩＩ族窒化物半導体からなるバッファ層１２と、を少なくとも有し、凸部１０２が形成された基板１０１の表面の、均一な形状に形成されていない凸部１０２が占める面積の割合を示す不良面積率が１０％以下である半導体発光素子用テンプレート基板Ｉ_０。 （もっと読む）

【課題】部分的に絶縁膜が形成されているシリコン基板上を単結晶で覆うことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】部分的に絶縁膜が形成されたＳｉ基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜１４を成膜する（図１（ｂ））。このＳｉ基板１０を熱処理すると、基板のＳｉ結晶を種としてａ−Ｓｉが固相Ｅｐｉ化される（図１（ｃ））。基板の厚さ方向に対して充分にＥｐｉ結晶化された範囲を保護するようにレジスト膜１８を形成し（図１（ｄ））、エッチング処理を行い（図１（ｅ））、その後、アッシング処理によってレジスト膜１８を剥離し、このＳｉ基板１０上に再度ａ−Ｓｉ膜を成膜する（図１（ｆ））。再度、上記熱処理を行うことで、ａ−Ｓｉが固相Ｅｐｉ化される（図１（ｇ））。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物結晶基板ならびにその基板を含む発光デバイスおよびその発光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、面積が１０ｃｍ²以上の主面を有し、主面の外周からの距離が５ｍｍ以下の外周領域を除く主領域において、総転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以上５×１０⁵ｃｍ^-2以下であり、総転位密度に対する螺旋転位密度の比が０．５以上である。 （もっと読む）