説明

Fターム[5F046AA28]の内容

Fターム[5F046AA28]に分類される特許

81 - 100 / 2,345


【課題】生産性の点で有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】基板5上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させ、前記基板5上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板5に対して前記未硬化樹脂と溶媒との混合液を吐出する吐出手段7と、前記基板5上に吐出された前記混合液から前記溶媒を蒸発させる蒸発手段9と、を備え、前記吐出手段7は、前記基板5上で液滴と液滴とが接触するように前記混合液を吐出する。 (もっと読む)


【課題】インプリント装置により基板に形成されたパターンの残膜厚を計測する精度の点で有利な技術を提供する。
【解決手段】インプリント装置により透過膜を有する基板に形成されたレジストの凹凸パターンの凹部の厚さを計測する計測装置の計測感度の目標値を設定し、当該目標値を満たす透過膜の厚さを前記基板に形成すべき透過膜の厚さとして決定する決定ステップを有し、前記計測感度は、前記凹凸パターンの形状の変化に対する前記凹凸パターンからの反射光の強度の変化又は位相の変化で定義され、前記決定ステップでは、複数の厚さの透過膜のそれぞれについて、前記凹凸パターンの形状の変化に対する前記凹凸パターンからの反射光の強度の変化又は位相の変化に基づいて前記計測感度を示す情報を取得し、当該情報から前記目標値を満たす透過膜の厚さを特定することを特徴とする決定方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】40nm以下のパターンピッチのナノインプリント金型を簡便に製造できる方法を提供する。
【解決手段】
本発明によるナノインプリント金型の製造では、SiO層を設けたSi基板に、集束イオンビームを用いて所望の位置に金属を堆積し、この基板を加熱して、堆積した金属を凝集させて、ナノインプリント金型のパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】 ショット領域間の相対位置の計測を容易に行いうるインプリント装置を提供する。
【解決手段】 インプリント装置は、基準マークが形成されたモールドを保持する支持体と、各ショット領域に第1マーク及び第2マークが形成された基板を保持する基板ステージと、前記各ショット領域に形成された前記第1マーク及び前記第2マークと前記モールドに形成された前記基準マークとを検出することによって前記各ショット領域間の相対位置を計測する検出器とを備える。前記検出器は、隣接しあう2つのショット領域のそれぞれに形成された隣接しあう前記第1マーク及び前記第2マークそれぞれの前記基準マークに対する位置を検出することによって、隣接しあう前記2つのショット領域間の相対位置を検出する。 (もっと読む)


【課題】基体に対して低温の流体を供給して処理した結果、当該基体の温度が雰囲気露点温度を下回ってしまう場合であっても、当該基体に結露が生じるのを防止して、パターン倒れ等の不具合発生を未然に回避できるようにする。
【解決手段】処理対象となる基体2を保持する保持部12と、前記保持部12が保持する前記基体2に対して当該基体2を処理する流体21の供給を行う流体供給部20と、前記流体21による処理がされて雰囲気露点温度より低温状態にある前記基体2に対して当該基体2を雰囲気露点温度より高温状態にする結露防止媒体31の供給を行う媒体供給部30と、を備えて流体供給装置1を構成する。 (もっと読む)


【課題】パターン形成不良を防止しつつ基板上に多くのショットパターンを形成する。
【解決手段】実施形態によれば、パターン形成方法が提供される。前記パターン形成方法では、インプリントによって基板に回路パターンを形成する前の処理として、前記基板上でインプリントショットとなる領域の周囲を所定の高さで前記インプリントショット毎に囲うことによってインプリントショット間を遮断する壁パターンを形成する。そして、前記壁パターンで囲まれたインプリントショット内に、インプリント材を滴下する。そして、前記インプリント材にテンプレートを押し当てることにより、前記壁パターンで囲まれたインプリントショット内に、前記回路パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】高精細なインプリント転写が安定して行えるインプリント方法とインプリント装置とを提供する。
【解決手段】供給工程にて、モールド1の凹凸構造領域1Aを有する面1aと、充填用基材11との少なくとも一方に樹脂材料5を供給し、充填工程にて、モールド1の面1aと充填用基材11との間に樹脂材料5を充填し、離間工程にて、モールド1側に樹脂材料5が残るように充填用基材11とモールド1とを引き離し、押し当て工程にて、インプリント用の基板7を樹脂材料5に接触させ、離型工程にて、樹脂材料5からモールド1を引き離すように構成し、モールド1に対する樹脂材料5の接触角θmと、充填用基材11に対する樹脂材料5の接触角θjと、インプリント用の基板7に対する樹脂材料5の接触角θkとの間に、θk<θm<θjの関係が成立するようにした。 (もっと読む)


【課題】 インプリント装置に備えられた各種装置とパターン面Pとの距離が離れているため、基板ステージ14が移動する距離が長くなり、装置のスループットに影響を与える。
【解決手段】 本発明のインプリント装置は、パターンと、該パターンの外側の領域にある孔部及び切り欠き部の少なくとも一方とを有する型により、基板上のインプリント材を成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、保持された型の前記孔部及び切り欠き部の少なくとも一方を介して前記インプリント材を前記基板上に供給する供給機構を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】気泡の除去を容易にするとともに変形を抑えた転写印刷用スタンプの製造方法および電子デバイスを提供する。
【解決手段】転写印刷用スタンプ5は、通気性シート3に樹脂を含浸させて通気性シート3を第1樹脂層100中に含まれるように構成させている。これにより、第1樹脂層100中に含まれる気泡を通気性シート3の隙間を通して容易に脱気させることができる。そのため、気泡によるパターン欠損などの問題を解消することができる。また、通気性シート3は、第1樹脂層100中で骨格として機能するので、転写印刷用スタンプ5の強度を高めることができ、変形を抑えることができる。そのため、転写の寸法精度を高めることができ、大面積化させることができる。 (もっと読む)


【課題】離型時のテンプレートおよびレジストパターンへの衝撃を可及的に低減すること。
【解決手段】第1の硬化性樹脂材料を被処理基板に塗布して、前記第1の硬化性樹脂材料が塗布された被処理基板にテンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを転写するインプリント方法であって、1回の転写によりパターンが形成される領域のうちの外周部のうちの少なくとも一部に前記第1の硬化性樹脂材料よりも離型性が高い第2の硬化性樹脂材料を塗布するステップを備える、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ローディング効果により現像後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのズレを軽減すること。
【解決手段】現像液により溶解される前記レジスト膜の反応表面に形成された複数の凹上のパターン形状における単位面積当たりの現像液の浸透流を示すフラックスを、前記パターン形状のサイズに応じて前記レジスト膜の反応表面の前記フラックスが変わることを示す関係式に従って、前記パターン形状の前記基板の面方向の長さ、および前記パターン形状の前記基板の厚さ方向の長さに基づき求め、前記フラックスに基づき、前記レジスト膜の反応表面の現像液の濃度を求め、前記複数のパターン形状が形成されている前記レジスト膜に対して前記マスクパターンが描画されて現像された場合、前記レジストに形成されるレジストパターンの形状を前記現像液の濃度に基づき求めることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ドロップレシピを簡単に作成すること。
【解決手段】半導体集積回路の設計データに基づいてテスト用のドロップレシピを複数作成するテストドロップレシピ作成工程と、前記テスト用のドロップレシピを用いて被処理基板に塗布された硬化性樹脂材料に前記半導体集積回路のパターンが形成されたテンプレートが押印されることにより形成された前記硬化性樹脂材料のパターンの欠陥検査結果に基づいて、前記複数のテスト用のドロップレシピから前記被処理基板上の押印位置毎に最も欠陥数が少ないドロップレシピを選択する選択工程と、前記選択された押印位置毎のドロップレシピを前記半導体集積回路を構成する機能回路ブロック毎に収集してドロップレシピ作成支援データベースを生成するデータベース化工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】モールドの離型中における計測器による計測の正確さの点で有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】型を保持する保持部と、基板または前記型の位置決めに係る物体の位置を計測する計測器と、前記保持部を支持する第1支持体と、前記計測器を支持する第2支持体と、前記第1支持体および前記第2支持体を支持する第3支持体と、前記第3支持体の鉛直方向上方、かつ、前記第1支持体と前記第2支持体との間に設けられ、鉛直方向の剛性がそれ以外の方向の剛性より高い継手機構と、を有し、前記第3支持体は、前記第1支持体および前記第2支持体の一方および前記継手機構を介して前記第1支持体および前記第2支持体の他方を支持する。 (もっと読む)


【課題】 効率良く欠けショット領域にパターンを形成し、スループットの向上及び精度良くパターンを形成可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された被加工膜上の第1の領域に第1の膜を形成してパターニングすることにより第1のパターンを形成する。その後、前記第1のパターンを形成した後、前記第1のパターンの寸法が変動しないように前記被加工膜上に密着膜を形成する。次に、前記第1の領域とは異なる前記被加工膜上の第2の領域の前記密着層上に、インプリント法を用いて第2のパターンを形成する。次いで、前記第1のパターン及び第2のパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】新規な形状のスタンパ及びそのスタンパの新規な配列形態を有する両面インプリント装置を提供する。
【解決手段】昇降機構に支持された上面側スタンパ装置5と、ガイドレール上に乗せられた移動テーブルに固設された下面側スタンパ装置3と被転写体剥離装置とからなり、移動テーブルは移動駆動機構により前記ガイドレール上を往復動することができ、これにより、上面側スタンパ装置の位置を中心として、下面側スタンパ装置と被転写体剥離装置とが、上面側スタンパ装置に対峙する位置に交互に移動することができる両面インプリント装置において、下面側スタンパ装置に配設される下側スタンパ29が長方形の形状を有し、かつ、上面側スタンパ装置に配設される上側スタンパ35が長方形の形状を有し、下側スタンパと上側スタンパとが十字形の対峙形態となるように下面側スタンパ装置及び上面側スタンパ装置にそれぞれ配設されている。 (もっと読む)


【目的】容易に製造可能なアライメントマークを備えたインプリント・リソグラフィ用マスクを提供する。
【構成】透明材料からなる基板の表面を掘り込んだ凹凸で形成される転写パターンと、転写パターンと異なる箇所の表面を掘り込んだ凹凸で形成されるアライメントマークと、を有することを特徴とするインプリント・リソグラフィ用マスク。上記転写パターンの凹凸の凹部深さと、上記アライメントマークの凹凸の凹部深さが等しいことが望ましい。また、アライメントマークを形成する凹凸が周期性を有し、最大周期が189nm未満であることが望ましい。 (もっと読む)


【課題】電子デバイス、光学部品、及び記録媒体等の製造におけるナノインプリントプロセス法に使用される光硬化性転写シートであって、硬化後において高い耐熱性、及び高い表面硬度を有し、且つ硬化収縮性が低い光硬化性転写層を有する光硬化性転写シートを提供することにある。
【解決手段】加圧により変形可能で、ポリマーと光重合性官能基を有する反応性希釈剤を含む光硬化性組成物からなる光硬化性転写層11を有する光硬化性転写シート10であって、前記反応性希釈剤が、脂環基を有するモノマーを含み、且つ前記ポリマーが、脂環基又は芳香族炭化水素基を有する(メタ)アクリレート繰り返し単位を含むアクリル樹脂からなることを特徴とする光硬化性転写シート10。 (もっと読む)


【課題】離型性に優れたインプリント用の樹脂モールド材料および樹脂レプリカモールド材料組成物の提供、該材料組成物を含んでなる樹脂モールドおよび樹脂レプリカモールド並びにそれらの製造方法の提供。
【解決手段】インプリント用のモールド樹脂もしくはレプリカモールド樹脂と、硬化性のフッ素系ポリマー(A)0.1〜10重量%とを含む、インプリント用の樹脂モールド材料もしくは樹脂レプリカモールド材料組成物。好ましくは、フッ素系ポリマー(A)が、
(a1)炭素数4〜6のフルオロアルキル基を有するα位置換アクリレート、および
(a2)ホモポリマー状態でのガラス転移点または軟化点が50℃以上を示す高軟化点モノマー 5〜120重量部を繰り返し単位として含んでなり重量平均分子量が3,000〜20,000であるフッ素系ポリマー(A1)である材料組成物。 (もっと読む)


【課題】 従来数ナノメートル線幅を有するマスクを作る金型を、電子線露光法にて製作していたが、電子ビームのゆれのため製作が困難で又その検査も難しかった。又マスク自体をレジスト膜としては使用できなかった。
【解決手段】 拡大した金型を電子線露光法で製作し、高分子化合物の溶液を塗布し凍結して拡大した金型より剥離し、凍結乾燥した後溶液を再度含ませ、溶液が凍らない温度で乾燥する方法により乾燥縮小したマスクを製作する。 (もっと読む)


【課題】表面修飾が可能な、基材との密着性に優れ、転写材樹脂との離型性に優れ、繰り返しの使用に耐えうる樹脂モールドの提供。
【解決手段】第一面と該第一面と反対側に位置する第二面とを有するフィルム基材の該第一面に微細凹凸構造を有するナノインプリント用の樹脂モールドであって、該樹脂モールドを構成する樹脂中の平均フッ素元素濃度(Eb)に対する該樹脂モールドの微細凹凸構造の表面部のフッ素元素濃度(Es)の比が、下記式(1):
1<Es/Eb≦30000 (1)
を満たし、かつ、該樹脂モールドを構成する樹脂中にシリコン元素を含有することを特徴とする前記樹脂モールド。 (もっと読む)


81 - 100 / 2,345