【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの位置を計測する時間の短さの点で有利な位置計測装置の提供。
【解決手段】位置計測装置の制御部は、撮像系のテレセントリシティに関する情報を予め記憶し、基板に形成された複数のアライメントマークのうち少なくとも１つに関して、ステージの位置制御により撮像系に対するフォーカス調整を行って撮像系に撮像を行わせ、撮像によるアライメントマークの信号に基づいてＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求め、フォーカス調整のなされた少なくとも１つのアライメントマークに関して、基板表面の第１の位置を検出系に検出させ、他のアライメントマークに関して、フォーカス調整を行わずに、撮像系に撮像を行わせ、かつ基板表面の第２の位置を検出系に検出させ、撮像によるアライメントマークの信号と第１の位置と第２の位置とテレセントリシティに関する情報とに基づいて、Ｘ−Ｙ平面に平行な面における位置を求める。 （もっと読む）

【課題】 コスト上昇を招くことのない方法によってウェーハ上に形成される露光ショットの配列誤差を低減し、ショットエリアの大きさが異なる露光装置を混用しても上下のマスクパターンの重ね合わせ精度が向上できるフォトリソ工程を提供する。
【解決手段】 露光装置に露光ショットの配列誤差測定用マークを備えたフォトマスクを装着し、ウェーハ上に前記マークのレジストパターンを形成した後、前記マークを用いて露光ショット配列誤差に基づくズレに関する量を測定する。次に測定した量を上下パターンレイヤの重ね合わせ誤差と見なした時の誤差成分を算出し、さらにこの誤差成分から露光ショット配列誤差に関する誤差成分を算出する。次にこの結果を判定し、誤差成分値が所定の基準を満たさない場合は算出した露光ショット配列に関する誤差成分値を用いて露光装置のパラメータを補正し、基準を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】撮像されたデバイス・パターンを使用して、ダブル・パターニング・プロセス等の、半導体製造技術における異なる層間のオーバレイを測定するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】パターン特徴の画像が走査型電子顕微鏡法により取得される（７００）。画像内のパターン化層に対するパターン特徴の位置を使用してパターン化層の位置が決定される（７０４）。他のパターン特徴またはパターン化層に関するパターン化層の相対的位置が、決定されたパターン位置に基づいてベクトル形式で決定される（７０８）。相対的位置とデザインまたはシミュレーションからの基準値との比較に基づいてオーバレイ・エラーが決定される。オーバレイはパターン対称性を利用して高い精度および正確さで測定することができる（７１２）。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程で使用するオーバーレイマークを提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、基板を準備する工程１３と、基板の中にオーバーレイマークの第１の部分を形成し、第１の部分は、第１の方向で測定される第１の寸法と、第１の方向に対して略垂直な第２の方向で測定され、第１の寸法より大きな第２の寸法と、をそれぞれ有する複数の第１のフィーチャを有する工程１５と、基板の中にオーバーレイマークの第２の部分を形成し、第２の部分は、第１の方向で測定される第３の寸法と、第２の方向で測定され、第３の寸法より小さい第４の寸法と、をそれぞれ有する複数の第２のフィーチャを有する工程１７と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークを複数のマークの集合体から構成した場合にも、アライメントマークの正確な基準点を算出することができる、マーク認識装置を提供する。
【解決手段】アライメントマークが形成された基板を撮像し、撮像画像を取得する。次に、テンプレートマッチングにより撮像画像から個々のマークを検出する。次に、投票空間を利用して投票により仮重心の位置を決定する。次に、仮重心の決定に寄与した検出マークＭを抽出する。次に、検出マーク群の各マークに対応するモデルのマークを抽出する。次に、検出マーク群の重心と抽出したモデルマーク群の重心とを一致させる。次に、最小二乗法によりモデルマーク群の回転角度ｔ及び拡縮係数ｋの最適値を算出する。次に、姿勢を調整した後のモデルマーク群の重心Ｇの位置座標を「真の重心」の位置座標として算出する。 （もっと読む）

【課題】精確に検出可能なアライメントマークを有する半導体装置を提供することにある。
【解決手段】本発明による半導体装置は、リソグラフィ製造工程用のアライメントマークを有する。アライメントマークは、検出光の走査方向に沿って所定の間隔で配置された複数の棒状マーク１０を備える。複数の棒状マーク１０の各々は、走査方向に直交する第１方向に沿って所定の間隔で配置された複数の配線マーク１１によって形成される。互いに隣接する配線マーク１０間隔ＷＳは、半導体装置の設計制約の範囲内において前記検出光の波長より短い。 （もっと読む）

【課題】アラインメントコントラスト及び正確性を改善するための新しい解決策を提供する。
【解決手段】
アラインメントマーク配置は、基板上にある複数の互いに平行な第一ストライプを含み、各第一ストライプは第一サイズを有する第一アラインメントパターンと、第一アラインメントパターンの真上に設けられ、第一アラインメントパターンと重なる複数の互いに平行な第二ストライプを含み、各第二ストライプは、第一アラインメントパターンの各第一ストライプの第一サイズより大きい第二サイズを有する第二アラインメントパターンとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、露光の精度を高めることを目的とする。
【解決手段】第１露光及び第２露光のそれぞれを、複数の光ビームを照射する露光ヘッド１６の走査露光によって行う。一対の第１膜マーク３２を含むように第１膜パターン３０を形成する。一対の第２膜マーク５０を含むように第２膜パターン４８を形成する。位置ずれを検出する工程は、それぞれの第１膜マーク３２の中心点の位置の測定と、それぞれの第２膜マーク５０の中心点の位置の測定と、一対の第１膜マーク３２の中心間を結ぶ第１直線と副走査方向に沿った基準直線との間の第１角度の算出と、一対の第２膜マーク５０の中心間を結ぶ第２直線と基準直線との間の第２角度の算出と、を含む。調整の工程は、第１角度及び第２角度の差をなくす方向に、第１露光及び第２露光の少なくとも一方で使用される露光ヘッド１６を回転させることを含む。 （もっと読む）

【課題】より高精度かつ簡便な位置合わせを実現することができる位置合わせ方法、ウエハおよびホトマスクを提供する。
【解決手段】窓部２４０および反射部３４０は、移動方向に平行な対角線を有する矩形の形状に形成されている。したがって、ウエハをホトマスクに対して相対的に移動させると、窓部２４０と反射部３４０が重なる部分が二次関数的に変化するため、窓部２４０から観察できる反射光の光量も二次関数的に変化するので、ユーザは、その光量の変化をより敏感に検出することが可能となり、より容易に反射光の光量が最大となる位置にステージ１の位置を調整することができるので、結果として、より高精度かつ簡便な位置合わせを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 改良されたマーカの形態、特にアラインメント及びオーバレイマーカ、及び基板上にこれらのマーカを形成する方法を提供する。
【解決手段】 第一に、プロダクトフィーチャと同等のピッチＰ１を有する２つの化学的に異質のフィーチャタイプのパターンを形成する。次にこのパターンを、パターンより大きいピッチＰ２を有する所望のマーカの形態のレジスト１１によってマスキングする。最後に、２つのフィーチャタイプの一方を、開放領域内で選択的にエッチングする。その結果は、長い波長の放射で読み取るのに適切な大きいピッチＰ２を有するマーカであるが、フィーチャの縁部は、プロダクトフィーチャと同等のピッチＰ１を有する露光ステップで画定される。 （もっと読む）

【課題】原版と基板との位置合わせの正確度または精度への迷光の影響を軽減する露光装置およびデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】原版１１の位置を表す原版基準マークと基板３１の位置を表す基板基準マークのそれぞれに含まれ、ＸＹ方向に延びる二種類のマーク部を、投影光学系２０を介して同時に、ＸＹ方向の各々に対応する二種類の検出部を使用して検出する検出器４０と、迷光成分を検出器４０の検出結果から除去した後のピーク位置に基板ステージ３２を移動することによって原版１１と基板３１とをＸＹ平面内で位置合わせする制御部５０と、を有する露光装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】 良好なアライメント再現性を提供すること。
【解決手段】 デバイスを製造するための方法には、基板を提供する工程であって、基板が複数の露光フィールドを備え、個々の露光フィールドが１つまたは複数のターゲット部分および少なくとも１つのマーク構造を備え、マーク構造が露光フィールドのための位置マークとして配置される工程と、対応する個々の露光フィールドのためのアライメント情報を得るために個々の露光フィールドのマークをスキャンし、かつ、測定する工程と、対応する個々の露光フィールドのためのアライメント情報から個々の露光フィールドの絶対位置を決定する工程と、露光フィールドおよび少なくとも１つの他の露光フィールドの互いに対する相対パラメータに関する追加情報を使用して、少なくとも１つの他の露光フィールドに対する個々の露光フィールドの相対位置を決定する工程と、複数の露光フィールドの各々に対して、絶対位置および決定された相対位置を結合して改良型絶対位置にする工程が含まれている。 （もっと読む）

【課題】レイヤ間の重ね合わせのずれ量を小さな面積のパターンで正確に測定することができる合わせずれ測定方法を得ること。
【解決手段】複数レイヤのパターンを積層して作製される半導体装置に対してレイヤ間の重ね合わせのずれ量を合わせずれ量として測定する合わせずれ測定方法において、上層側のレイヤＬｕで環状に形成された第１の環状パターンと第１の環状パターンと同心円上に配置されるよう下層側のレイヤＬｄで環状に形成された第２の環状パターンとの距離を測定するとともに、この測定結果を用いて合わせずれ量を算出する。 （もっと読む）

【目的】下層工程をスキャナ型の露光装置で行い、上層工程を一括型露光装置で行うハイブリッド処理において、ショット形状歪みの直交成分や面内方向の倍率差を補正することが可能であり、重ね合わせ精度の高いアライメント方法を提供する。
【解決手段】レチクルの回路パターンの周囲の、走査露光によって二重露光される領域内であって回路パターンに関して互いに対応する位置に、各々が第１及び第２のマークからなる複数のマーク対を設け、上記レチクルを用いて第１露光工程を行い、形成された複数のマーク対から線形歪みを算出して記憶する予備的ステップと、上記レチクルを用い、当該記憶された上記線形歪みに応じて、上記走査露光における露光ショットの線形度を変化させて上記第１露光工程を実行する第１露光ステップと、上記第２露光工程を実行する第２露光ステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】
走査型露光装置を用いる基板上のショット配列の精度を計測する計測方法において、より短時間でショットの配列精度を評価する計測方法を提供する。
【解決手段】
第１の露光においてウェハ上に転写されたショットＡ(i,j+１), Ａ(i,j)と、そのウェハを９０°回転させた第２の露光においてウェハ上に転写されたショットＢ(i,j), Ｂ(i+１,j)とを重畳させ、その重畳領域において、ショットＡ(i,j+１), Ｂ(i+１,j)に含まれる中実箱型マークとショットＢ(i,j)に含まれる中空箱型マークが重なり合い、ショットＡ(i,j)に含まれる中空箱型マークとショットＢ(i,j)に含まれる中実箱型マークが重なり合う。形成した重ね合わせマーク３７〜４２を、全ての重畳領域内のマークに関して計測し、これら重畳領域を形成する全てのショットの相対的な位置誤差および回転誤差を一括して演算する。 （もっと読む）

【課題】1ｍｍ²以下の小さいチップが多数配置されたウェハのアライメントを容易且つ正確に行えるようにする。
【解決手段】アライメントマーク１は、ウェハに対するパターン転写に用いられるレチクル５のスクライブライン領域３に、素子構成要素のパターンを密集して配置することにより構成されている。アライメントマーク１とその周囲環境との間において十分なコントラストを確保できるため、検査・測定設備がアライメントマーク１をユニークマークとして容易に認識することができるので、アライメントマーク認識不良を防止してウェハのアライメントを正確に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】配線パターン間の合わせズレが小さな技術を提供する。
【解決手段】下層配線用絶縁膜に下層配線膜を設けるＡ工程と、ビア用絶縁膜および上層配線用絶縁膜を積層して設けるＢ工程と、該絶縁膜にビアを形成するＣ工程と、該ビアにビアフィル材を充填するＥ工程と、レジスト膜に上層配線用のパターンを構成するＦ工程とを具備する半導体装置の製造方法において、下層配線用絶縁膜に位置整合用メタル膜を設け、前記位置整合用メタル膜上の絶縁膜に位置整合用ビアを形成し、前記位置整合用ビアにビアフィル材を充填し、前記位置整合用メタル膜およびレジスト膜に位置整合用開口部を構成し、前記位置整合用開口部と該位置整合用開口部の真下に構成されている前記位置整合用メタル膜および／または前記位置整合用ビアに充填されたビアフィル材とを観測し、得られた位置情報を基にして前記上層配線用のパターンが正しく形成されているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜成膜後にもレーザー干渉によるアライメント検出を可能とし、レーザー干渉によるアライメント可能な信号強度を得られるアライメントマークの最適寸法を提供する。
【解決手段】断面形状が方向性を有するビームで走査するアライメントマークＭの形成された表面にエピタキシャル層を成膜したウェーハであって、アライメントマークは、複数の矩形状マークが断続的に配されて前記ビーム走査方向と略直交する方向に延在する直線状マークとされ、直線状マークにおける矩形状マークが、エピタキシャル膜の表面からビーム走査した際に、回折光強度が識別可能な形状で配置されてなる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の製造コストを高くすることなく、エピタキシャル成長層の形成後での重ね合わせ精度を向上することが可能な重ね合せ用のアライメントマークを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】アライメントマークＡＭ１１，Ａ１２が隣り合う間の凸部領域ＳＣ１の上方におけるエピタキシャル成長層ＥＰの表面には、第１アライメントマークＡＭ１１からのパターンダレと第２アライメントマークＡＭ１２からのパターンダレとが重なり合い、第１アライメントマークＡＭ１１および第２アライメントマークＡ１２の段差パターンの側壁に沿って並行に延びる凸部ＣＲ１が形成され、この凸部ＣＲ１に基づき、明確な光学的信号微分強度分布のピークＰＭ２を読取ることができる。 （もっと読む）