【課題】物体の裏面に設けられた被検マークの位置情報を高精度に検出する。
【解決手段】マーク検出方法は、ウエハの表面の第１のデフォーカス量を計測するステップ３２４と、第１のデフォーカス量に基づいてウエハの表面の合焦を行いつつ、ウエハの表面で反射する波長の光を含むアライメント光を用いてウエハの表面のマークを検出するステップ３２６と、ウエハの表面の第２のデフォーカス量を計測するステップ３４０と、その第２のデフォーカス量を補正して得られるデフォーカス量に基づいてウエハの裏面の合焦を行いつつ、ウエハを透過する波長の光を含むアライメント光を用いてウエハの裏面のマークを検出するステップ３４２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ショット領域間の相対位置の計測を容易に行いうるインプリント装置を提供する。
【解決手段】 インプリント装置は、基準マークが形成されたモールドを保持する支持体と、各ショット領域に第１マーク及び第２マークが形成された基板を保持する基板ステージと、前記各ショット領域に形成された前記第１マーク及び前記第２マークと前記モールドに形成された前記基準マークとを検出することによって前記各ショット領域間の相対位置を計測する検出器とを備える。前記検出器は、隣接しあう２つのショット領域のそれぞれに形成された隣接しあう前記第１マーク及び前記第２マークそれぞれの前記基準マークに対する位置を検出することによって、隣接しあう前記２つのショット領域間の相対位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で基板の裏面からアライメントを適切に行う露光装置を提供すること。
【解決手段】露光装置は、二次元方向に移動可能な基板ステージと、基板ステージ上に配設され、貫通孔３６２，３６３を有する基板載置部３６０上に露光基板を載置する基板載置ユニット３５０と、基板載置部３６０の貫通孔３６２，３６３に設けられる視標マーク３７８，３９８と、基板載置ユニット３５０に設けられるアライメント検出系３７０，３９０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、モールドの製造に複雑な工程を要することなく、モールド材と同じ材料からなるアライメントマークを直接光学的に識別することを可能とし、高いアライメント精度で位置合わせすることができるインプリント用モールド、アライメント方法、インプリント方法、およびインプリント装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ステップアンドリピート方式のインプリントにおいて、モールド側アライメントマークを、モールドの転写領域と同一面上であって、溝構造を隔てた位置に形成し、インプリントしようとしている被転写領域内の基板側アライメントマークではなく、前記被転写領域に対して上下、左右、対角に接する被転写領域内の基板側アライメントマークとアライメントすることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】工程マークやアライメントマーク等を形成するトレンチ内のＳＯＧ膜にクラックが発生した場合に、そのクラックが素子形成領域に到達するのを防止する。
【解決手段】半導体基板１０の素子形成領域１０Ｔの外側において、工程マーク３０Ｃは、トレンチ３１のパターンで形成されている。素子形成領域１０Ｔと、その外側のトレンチ３１は層間絶縁膜２１に覆われており、層間絶縁膜２１は、トレンチ３１内を埋めるＳＯＧ膜２２に覆われている。さらに、半導体基板１０の表面上には、トレンチ３１及びトレンチ３１上のＳＯＧ膜２２を囲む環状ポリシリコン膜１８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】裏面マークとレチクルマークとのアライメントにより、レチクルと感光性基板との位置合わせを行い、投影露光することが可能な露光方法を提供する。
【解決手段】感光性基板の裏面に設けられた裏面マークの位置を計測することで、レチクルＲ上のパターンを、投影光学系１７を介して基板上に投影露光する装置であって、レチクル上に設けられたレチクルマークＲＭと共役な位置に第１の基準マークＦＭ１を設けると共に、それらを計測する第１の計測センサが配置され、更に裏面マークと共役な位置に第２の基準マークＦＭ２を設けると共に、それらを計測する第２の計測センサが配置されており、第１の基準マーク及び、第２の基準マークが基板ステージ上の感光性基板の厚さに対応する距離に配置されている投影露光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上の正確な露光位置を容易に計測できる露光位置計測方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷＡの裏面側でウエハＷＡのｘ軸方向の直径上に並ぶよう形成された裏面マークＰｘおよびウエハＷＡの裏面側でウエハＷＡのｙ軸方向の直径上に並ぶよう形成された裏面マークＰｙを、ウエハＷＡの裏面側から検出する検出ステップと、裏面マークＰｘ，Ｐｙの検出結果に基づいてウエハＷＡ上の露光位置の座標を算出する座標算出ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】インプリントテンプレートアライメントマークを改善する。
【解決手段】アライメントマークを備えたインプリントリソグラフィテンプレートが提供される。アライメントマークは、インプリントリソグラフィテンプレートの屈折率とは異なる屈折率を有する誘電体材料から形成され、誘電体材料は、誘電体材料を通過したアライメント放射と誘電体材料を通過しなかったアライメント放射との間に位相差を生じるような厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】例えば可撓性を持つ長尺のフィルム状部材を目標とする経路に沿って高精度に搬送する。
【解決手段】フィルム状基板Ｐを搬送するラダー式ステージ装置２８であって、フィルム状基板Ｐを支持するために、フィルム状基板Ｐの移動方向に直交する方向に長手方向が配置される複数のロッド３０Ａ〜３０Ｌと、ロッド３０Ａ〜３０Ｌを閉じたループ状の軌跡に沿って連結するチェーン３２Ａ，３２Ｂと、チェーン３２Ａ，３２Ｂを介してそのループ状の軌跡に沿ってロッド３０Ａ〜３０Ｌを移動する駆動モータ３６Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】精度よく検出可能なアライメントマークを簡便に形成する。
【解決手段】半導体基板の素子形成領域に素子分離絶縁膜を形成するとともに周辺領域に下地絶縁膜を形成し、ゲート材料膜を形成し、このゲート材料膜をエッチングしてゲートパターンを形成するとともに前記下地絶縁膜上のゲート材料膜を除去してアライメントマーク形成用領域を形成し、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成するとともにアライメントマーク形成用領域にマークホールを形成し、コンタクトホールが充填されマークホールが充填されないように第１導電膜を形成し、コンタクトホール及びマークホールの外部の第１導電膜を除去してコンタクトプラグを形成し、このマークホールが充填されないように第２導電膜を形成し、このマークホール内に残した凹部による段差を利用してリソグラフィのアライメントを行う。 （もっと読む）

【課題】 より簡便な印刷装置を用いて、大型な電子・電気回路をアライメント精度良く製造可能な電子・電気回路の製造方法を提供する。
【解決手段】 印刷法を用いて複数の構成要素を有する素子から成る電子・電気回路を製造するための製造方法である。特定の波長の光又は電磁波を透過する基板１００の裏面に、光又は電磁波の透過率の低いアライメントマーク１１〜１９（マークパターン）を配置し、基板１００の上面から光又は電磁波を照射し、アライメントマーク１１〜１９の位置を検出することによりアライメントを行い、素子の各構成要素を印刷法を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】精度よくアライメントできるアライメント装置及びアライメント方法並びにそれらを用いて高精度に蒸着できる有機ＥＬデバイス製造装置及び成膜装置を提供することである。
または、アライメントに必要な駆動部等を大気側に配置することで真空内の粉塵や発熱を低減した生産性の高い、あるいは、保守性を高めて稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置及び成膜装置を提供することである。
【解決手段】シャドウマスクはアライメント用の貫通孔を有し、アライメント部は、前記貫通孔の一端側から光を入射する光源と前記他端を撮像する撮像手段とを有するアライメント光学系と、前記撮像手段の出力に基づいてアライメントを行なう制御部とを有することを特徴とする。さらに、上記特徴に加え、前記貫通孔は前記シャドウマスクの前後に貫通した孔であり、前記アライメント光学系は前記少なくとも前記基板への処理時に前記貫通孔への処理材の付着を遮蔽する遮蔽手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、ダブルパターニングによって形成される第１パターンと第２パターン間のずれ、重なり領域の評価を適正に行い得る方法，装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、第１パターンに関する情報と、ダブルパターニングの第２の露光によって形成される第２パターンの設計情報とを結合した結合情報と、第１パターンと第２パターンが表示された画像との間で、２段階のマッチングを行い、第２のパターンの設計情報の移動量に基づいて、第１パターンと第２パターンとの間のずれ量を求める方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】少ない労力で高い精度が得られる半導体基板のパターン重ね合わせズレ検査方法を提供する。
【解決手段】ステップアンドリピート方式の露光装置により、半導体基板上に転写された第１層パターンおよび第２層パターンのショット重ね合わせ精度を求める半導体基板のパターン重ね合わせズレ検査方法であって、半導体基板のショットの一部を分散して選択し（ステップＳ０１）、第１層パターン内の第１検査パターンと、第２層パターン内の第２検査パターンとのパターン重ね合わせズレ量を測定するステップ（ステップＳ０２）と、パターン重ね合わせズレ量から系統誤差を求めるステップ（ステップＳ０３）と、系統誤差に基づいて、半導体基板上の任意のショットにおけるパターン重ね合わせズレ量を推定するステップ（ステップＳ０４）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】パターンのオーバレイ誤差の増加を除去又は緩和することができるリソグラフィ装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の第一の態様によれば、基板上に提供された層上にアラインメントマークを提供するリソグラフィ方法が開示され、方法は、上に層が提供されている基板の表面に対して特定の角度範囲内に配向された層の区域に、アラインメントマークを提供することを含む。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置の基板上で基板アラインメントマークを、またはオーバレイ計量装置でオーバレイ計量目標を自動的に選択する配置構成および方法を提供する。
【解決手段】メモリは、選択に使用可能な１つまたは複数のセットの基板アラインメントマークまたはオーバレイ計量目標の位置と、この少なくとも１つのセットから適切な基板アラインメントマークまたはオーバレイ計量目標を選択する選択規則とを記憶する。選択規則は、１つまたは複数の選択基準に基づいて基板アラインメントマークまたはオーバレイ計量目標の位置が最適になる実験的および理論的知識のうち少なくとも１つに基づく。 （もっと読む）

【課題】 基板の較正を効果的に行うことである。
【解決手段】 基板をリソグラフィ装置のプリアライナの中に案内するステップと、ディテクタの位置とは反対側にある基板の面の上に形成されたアライメントマークの位置を測定するためにディテクタを使用するステップと、測定の後で基板をリソグラフィ装置の基板テーブルの上に載置するステップであって、基板は、基板の反対側の面の上に形成されたアライメントマークが基板テーブルのウィンドウを通して視認できるように基板テーブルの上に位置決めされるステップと、を含む方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】
液浸液自体に含まれる不純物の残留物による可動ステージの基準マークを検出する際の精度劣化を低減し、位置合わせ精度の劣化を低減する液浸露光装置を提供する。
【解決手段】
原版であるレチクル２のパターンをウェハ５に液浸液を介して露光する露光装置で、基準マーク１１は、液浸液に浸される時に計測する第１のマークであるキャリブレーションマーク４０および液浸液に浸されない時に計測する第２のマーク４４を分離した位置に有し、ウェハステージ１３は、基準マーク１１が配置され、ウェハ５を保持する。位置検出装置４は、ウェハ５が液浸液に浸されない時に、第２のマーク４４を検出することによりウェハ５の位置を検出する。ウェハ５が液浸液に浸される時に、第２のマーク４４が液浸液に浸されない基準マーク１１上の液浸領域１１０外の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの位置合せ用のアライメントマークの形成領域の近傍に形成されるデバイスチップと他の領域に形成されるデバイスチップの電気的特性を均一化させることにより、歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体ウェハ２は、多層配線構造をなす基板の平面内に複数形成されたデバイスチップ領域４と、デバイスチップ領域４をそれぞれに分離するためにデバイスチップ領域４の周囲に形成されたスクライブライン８と、ブランク領域６と、を備えている。ブランク領域６はアライメント領域１０を少なくとも１つ含み、アライメント領域１０の最上層表面の金属膜パターンによってアライメントマークを構成している。アライメント領域１０はデバイスチップ領域４と同じ大きさをもち、最上層より下の配線層にデバイスチップ領域４の同じ層に形成されているパターンと同じパターンが形成され、最上層にアライメントマークとなる金属膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】レチクルが有するＴＥＧ用パターンとチップ用パターンの間隔を小さくすることができる露光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る露光装置は、光源１２と、半導体ウェハ１を載置するステージ２２と、光源１２とステージ２２の間に位置するレチクル２０と、光源１２とレチクル２０の間に位置し、レチクル２０に入射する光を部分的に遮光するレチクルブラインド１７と、レチクル２０とステージ２２の間に位置し、レチクル２０及びレチクルブラインド１７の重なりを示す撮像データを生成する撮像部３０と、撮像データを演算処理することにより、レチクル２０に対するレチクルブラインド１７の位置が予め定められた位置になったことを算出する撮像データ処理部３３と、撮像データ処理部３３の算出結果に基づいてレチクルブラインド１７の位置を制御するレチクルブラインド制御部３４とを具備する。 （もっと読む）