【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程のリワーク率および製品の不良率を低下させることが可能な、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第１の被加工膜に第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンにおける所定の方向の寸法である第１の距離を測定する第１の測定工程と、第１のパターン上に第２の被加工膜を形成する工程と、第２の被加工膜上に形成したフォトレジストに第２のパターンを形成する工程と、第２のパターンにおける所定の方向の寸法である第２の距離を測定する第２の測定工程と、を有し、第２のパターンの良否判定が、第１の距離と、第１の距離および第２の距離から求まる算出値とのうち、少なくとも一方によって決定されるものである。 （もっと読む）

【課題】観察可能な合わせずれ検査マークをデバイスパターンのデザインルールに従った微細なパターンから構成する。
【解決手段】デバイスパターンのデザインルールに従った第１の長さの幅Ｗ１を有する第１のパターンＰ１１を第１の間隔Ｄ１で第１の方向Ｘへ複数配置して構成される第１のパターングループＰＧ１１を第１のピッチＰＴ１で前記第１の方向Ｘへ複数配置して構成された第２のパターングループＰＧ２４を備え、前記第１のピッチＰＴは、合わせずれ検査装置の分解能に適合した距離であることを特徴とする合わせずれ検査マークが提供される。 （もっと読む）

【課題】転写ショット毎に合わせずれ検査を行うための検査方法、検査プログラム、及び検査装置、並びに、検査の所要時間を短縮するための検査装置選択方法、検査装置選択プログラム、及び検査装置選択システムを提供する。
【解決手段】転写ショットＴＳ毎に異なる配置の複数の検査マークＭを用いて、ウェハＷとレチクルとの合わせずれを検査する方法は、転写ショットＴＳ上の複数の検査マークＭを計数し（Ｓ４０１）、その結果に基づいて、転写ショットＴＳの線形補正をする第１補正パラメータｋ_ｉを算出するための複数の第１補正式の中から１つを選択し（Ｓ４０２）、第１補正パラメータｋ_ｉを算出し（Ｓ４０３）、ウェハＷの線形補正をする第２補正パラメータＰ_ｉｍｎを第２補正式に第１補正パラメータｋ_ｉを代入することによって算出し（Ｓ４０４）、第１補正パラメータｋ_ｉ及び第２補正パラメータＰ_ｉｍｎをアライメント補正値として出力する。（Ｓ４０５） （もっと読む）

【課題】露光光によって基板にパターンを形成する場合に、露光工程中にそのパターンの位置を高精度に検出する。
【解決手段】露光光の照射によってシート基板Ｐに形成されるパターンの位置情報を求める像位置検査装置２１であって、シート基板Ｐのマーク４２Ａ内に露光光によって改質可能な樹脂層を形成する樹脂層形成装置２２と、その樹脂層に露光光の照射によって部分パターンが形成された後、シート基板Ｐのマーク４２Ａ以外の領域に実質的に影響を与えることなく、その部分パターンを顕在化させる吸引装置２４と、顕在化されたその部分パターンの位置情報を計測するマーク検出装置２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の露光装置を含む露光システムにおける生産性を向上させる。
【解決手段】露光システムＥＳは、基板に形成されているマークの位置を設定されている検出条件に従って検出し、その検出結果に従って該基板と原版とを位置合わせして該基板を露光する複数の露光装置１ａ、１ｂ、１ｃを含む。露光システムＥＳは、複数の露光装置におけるいずれか１つの露光装置において検出条件が変更された場合に、当該変更に応答し且つ当該変更の後の検出条件に応じて、前記複数の露光装置における他の露光装置における検出条件を設定する制御部２３を備える。 （もっと読む）

【課題】マスクと基板との位置合わせを精度良く行って、新たなパターンを下地パターンに合わせて精度良く露光する。
【解決手段】マスク２及び基板１の下地パターンに設けられた複数のアライメントマークの画像を取得して、画像信号を出力する複数の画像取得装置５１と、各画像取得装置５１が出力した画像信号を処理して、アライメントマークの位置を検出する画像処理装置５０とを設ける。光学部品３３，３４をマスク２と各画像取得装置５１との間に挿入して、各画像取得装置５１の焦点位置を、マスク２のアライメントマークの高さ又は基板１の下地パターンのアライメントマーク高さに変更し、画像処理装置５０が検出したマスク２のアライメントマークの位置及び基板１の下地パターンのアライメントマークの位置に基づき、ステージによりチャック１０とマスクホルダ２０とを相対的に移動して、マスク２と基板１との位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィプロセスをモデル化する際に使用するための情報を取得する方法およびその方法を実行するためのリソグラフィ構成、を提供する。
【解決手段】リソグラフィプロセスをモデル化する際に使用される情報を取得する方法が開示される。基板のターゲット部分に放射ビームを投影することによって、基板のターゲット部分にパターンフィーチャが形成される。リソグラフィプロセスはターゲット部分について、基板の表面に沿った第１方向において変化する第１性質および基板の表面に沿った第２方向において変化する第２性質の一方または両方によって特徴付けられる。そのパターンフィーチャの性質が測定される。測定されたパターンフィーチャの性質と、リソグラフィプロセスの第１性質およびリソグラフィプロセスの第２性質のうちの少なくとも一方と、を使用して、プロセスをモデル化する際に使用される情報が取得される。リソグラフィプロセスは、基板の表面への放射ビームの投影であってもよいし、それを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】位置合わせ精度をさらに向上させることが可能なアライメント技術を提供する。
【解決手段】アライメント装置は、両対象物に配置された第１のパターンと第２のパターンとの重なり画像である重畳画像に基づいて、両対象物相互間の位置ずれを算出するとともに、両対象物を相対的に駆動して当該位置ずれを補正する。また、当該重畳画像は、第１のパターンの第１のライン群（ピッチｐ１）と第２のパターンの第２のライン群（ピッチｐ２）との重畳によって生成される第１の周期的な濃度変化（モアレ）を有するとともに、第１のパターンの第２のライン群と第２のパターンの第１のライン群との重畳によって生成される第２の周期的な濃度変化をも有する。アライメント装置の算出手段は、２つの周期的な濃度変化を近似する２つの近似曲線を画像処理によって求め、当該２つの近似曲線の相互間の位置ずれに基づいて、両対象物相互間の位置ずれを算出する。 （もっと読む）

【課題】
干渉光学系において干渉縞のある取得画像からアライメントマーク位置を検出する方法およびこれを用いた高速な装置を提供する。
【解決手段】
干渉光学系における撮像画像は撮像対象面３０Ａと参照面１５から同一光路を戻る反射光同士の干渉現象により、撮像装置１９で撮像した画像には干渉縞が現れる。このとき、分布干渉縞の角度θだけ画像を回転させた回転画像を作成し、その画像に対して１次元微分フィルタを掛けることにより干渉縞の輝度変動の影響を無くす事が出来、取得画像のアライメントマークの位置を正しく検出する事が出来る。 （もっと読む）

【課題】多層の回路パターンから形成される素子について、積層される回路パターン層の重ね合わせ精度を向上させることを課題とする。
【解決手段】複数層の回路パターンが重ね合わせて形成される素子の形成工程を制御するプロセス制御システムであって、各回路パターン層を形成するための一連の形成工程を実施する工程実行制御部と、一連の形成工程を実施することによって形成された回路パターンの重ね合わせ精度を示す情報を測定する測定部とを備え、工程実行制御部は、第１の回路パターン層を形成するときに測定された測定情報から生成された重ね合わせ位置を調整するためのフィードフォワード情報を、第１の回路パターン層よりも後に形成される第２の回路パターン層の特定の形成工程に適用し、第１の回路パターン層の回路パターンとの相対位置関係を調整して、第２の回路パターン層の特定の形成工程を実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】間接合わせ工程においてもより高精度に位置合わせを行うことを可能とする。
【解決手段】位置合わせ装置は、パターンの露光工程における現行工程のパターンの位置合わせを直前工程よりも前に形成されたパターンを用いて行う。位置合わせ装置は、補正計算部１１と、補正制御部１３とを具備する。補正計算部１１は、現行工程において、直前ロットの現行工程の補正値と、直前ロットの現行工程の出来ばえ値と、直前ロットの直前工程の出来ばえ値と、現行ロットの直前工程の出来ばえ値とに基づいて、ウェハ内パターンの並進ずれ、倍率ずれ及び回転ずれの各々について現行ロットの補正値を算出する。補正制御部１３は、補正値を用いて、チップ内パターンの並進ずれ、倍率ずれ及び回転ずれの補正を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板のフィールドの位置を割り出す方法についてスループットの向上を図る。
【解決手段】基板のフィールド間の相対的位置関係を割り出すステップであって、フィールドの１つが第一フィールドを含む、ステップと、リソグラフィ装置内で、アラインメント装置を使用して、基板の少なくとも前記第一フィールドの位置とリソグラフィ装置の部品との少なくとも１つの絶対的位置関係を獲得するステップと、相対的位置関係及び少なくとも１つの取得された絶対的関係を使用して、第一フィールド以外の少なくとも１つのフィールドと前記ソグラフィ装置の前記部品との絶対的位置関係を割り出すステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 積層される複数のパターンレイヤ間で、直接合わせのみならず、間接合わせに対しても高精度の位置合わせを可能にする。
【解決手段】 複数のパターンレイヤ間の位置合わせ方法において、所定の露光装置で処理する同一ロット内のパイロットウェーハで、このパイロットウェーハ上に形成された基準パターンに対する現在のパターンレイヤの位置ずれを検査する。現在のパターンレイヤよりも下層に位置する一部またはすべての層の位置ずれ履歴データを読み出して、下層の位置ずれ関係を見積もる。現在のパターンレイヤの位置ずれ検査結果と、見積もった下層の位置ずれ関係とに基づいて、位置ずれ補正係数を算出する。位置ずれ補正係数を露光装置に設定して、本体ロットで現在のパターンレイヤの露光を行う。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、２００７年０２月２３日に出願された先行して係属中の仮出願番号６０／８９１，３６０の利益を請求する。本発明は集積回路製造の分野に関する。特に、本発明は、基板のフォトレジスト露光中に基板面で温度を測定し、そして温度をオーバーレイ精度に相関させることに関する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハを識別するＩＤ情報を記録する、また読み取る場合に特別な装置を必要とせず、ＩＤ情報の読み取り処理がスループットに影響を与えない半導体処理方法を提供する。
【解決手段】 原板パターンをウエハ上の複数ショット位置に重ね合わせ露光する際、複数のショット位置のうち複数の特定ショット位置におけるマーク位置を計測し、計測値の統計処理から補正量を計算し原板とウエハの位置合わせを行う。重ね合わせ露光時に位置合わせに使用される基準層を露光する際に、ウエハを識別する情報に相当する量として、位置合わせマークを含む複数のショット位置を微小量ずらして露光する。ウエハ識別情報は、ウエハ上に形成される第一階層以降のパターンを形成する露光工程において、前記ウエハの位置合わせ処理で補正量を求める際に、基準層でのずらし量を検出し、検出結果に基づいて取得する。 （もっと読む）

【課題】基板のより小さな面積が必要とされるオーバーレイエラーを算出するための代替的な方法を提供することである。
【解決手段】基板上の複数のターゲットに放射が投影される。非対称性に由来し得るオーバーレイエラーが基板にわたって滑らかに変動すると仮定することによって、測定されるターゲット数を低減することができる。これによって、基板の各層に対するターゲットによって用いられるスクライブラインの面積がより小さくなり得る。 （もっと読む）

【課題】ウエハの再度マーク探索を行う作業性が向上する露光装置、露光装置のプログラム、その露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】上記露光装置は、マスク、ウエハのアライメントマーク検出用のＡスコープ１０５、Ｂスコープ１０６の各画像から、マスク、ウエハのアライメントマークを検出する表示画面制御部１２５と、各画像の少なくとも１つより得る画像、及び、マスクステージ１０２、ウエハステージ１０４の少なくとも１つを駆動するアライメントマーク探索操作手段である表示画面１２７を表示するコンピュータ端末１２１の表示部１２３とを有する。表示画面１２７に前記画像を、マスクステージ１０２、ウエハステージ１０４の少なくとも１つの撮像位置に対応して組み合わせた１枚の合成撮像画像を表示する。 （もっと読む）

【課題】高い精度での電気的測定によるオーバーレイの決定を含むデバイスを製造するための方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上のオーバーレイエラーを決定するための半導体デバイスは第１および第２のトランジスタを含む。各トランジスタはゲートと関連する２つの拡散領域を含み、各トランジスタの拡散領域は第１の方向に配置されている。第２のトランジスタは第１の方向に垂直な第２の方向において第１のトランジスタに隣接して配置されている。第１および第２のゲートはそれぞれ不同形状を有し、そして、第２のゲートは、第２のトランジスタのデバイスパラメータに対するオーバーレイエラーの影響が、第１のトランジスタのデバイスパラメータに対するオーバーレイエラーの影響に比較して逆の符号を有する形で第１のゲートの向きに対して配向されている。 （もっと読む）

【課題】スペースにおけるオブジェクトマークの空間像を測定するシステムおよび方法を使用してオーバーレイ制御を改善する。
【解決手段】複数のサンプルのサンプル密度に基づく重み付けされたフィットを使用してアライメントカーブを決定する。サンプルを生成するスキャンには、サンプル密度が高い部分と低い部分が含まれうる。ベストフィットカーブを生成するために補間を実行する一方で、閾値を上回る値に関連するサンプルポイントに関しては、複数の近接サンプルが各サンプルポイントについて選択される。所定のサンプルと選択された最近隣サンプルとの間の距離に基づいて重み付け関数を実施することができ、ここで、サンプルが密な領域で得られる測定値には、サンプルがまばらな領域で得られる測定値よりも小さな重みが与えられる。 （もっと読む）