【課題】物体上に形成された複数の基準マークの位置検出精度を維持しながら検出時間の短縮を図る。
【解決手段】実測すべき基準マークの各々を対象マークとしながら評価値を求め、それらの評価値に基づき基準マークの補間位置情報が実測位置情報と一致することの確からしさを評価する。そして、最良評価値≦しきい値を満足する場合、つまり一の基準マークの位置情報を他の基準マークの位置情報から高い確からしさで補間できる場合、実測すべき基準マークから一の基準マークを除外する。このため、２枚目以降の基板については、高い検出精度を保ちながら実測すべき基準マークの個数を低減することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 光学系の設計を複雑にせず安定した重ね合わせ描画を行うための描画装置および描画方法。
【解決手段】 撮像部５０と光照射部４０とを備え、撮像された画像と撮像時のステージ１０の移動誤差とから基板の変形に起因する下層パターンの位置ずれ量を算出する。次に撮像後から照射時までの間にステージ１０の移動誤差を検出することで、検出時の移動誤差と光ビームが照射される照射時の実際のステージの移動誤差との差分である相対誤差の変動幅を小さくすることができる。そして、検出された移動誤差と下層パターンの位置ずれ量とを加算し上層パターンの形成位置を算出する。該位置に基づいて光ビームを照射することでステージ１０の移動誤差に起因した位置ずれに対しても、光学系を複雑にすることなく安定した重ね合わせ描画を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】物体に設けられた複数のマークをより短時間に高精度に検出する。
【解決手段】ウエハマークの位置を検出するマーク検出方法であって、複数のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２１〜ＡＬ２４の検出領域に対してウエハＷを移動中に、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２１〜ＡＬ２４とウエハＷの表面とのデフォーカス量を計測し、この計測結果に基づいてウエハＷの面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御し、ウエハマークＷＭＣ１，ＷＭＡ１，ＷＭＤ１がアライメント系ＡＬ２２，ＡＬ１，ＡＬ２３の検出領域内に達したときに、ウエハＷを静止させて、アライメント系ＡＬ２２，ＡＬ２３で対応するウエハマークＷＭＣ１，ＷＭＤ１の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト露光のマスクとワークの位置合せにおいて、位置合わせを何度繰り返しても位置ずれが解消せず、アライメントが収束しないというエラーの発生を防ぐこと。
【解決手段】マスクＭとワークＷを接触させて、マスク・アライメントマークＭＡＭとワーク・アライメントマークＷＡＭの位置を検出し第１のアライメント量を求める。ついで、マスクＭとワークＷを離間し、第１のアライメント量に基づいてマスクＭとワークＷの位置合わせを行い、マスクＭとワークＷを接触させて、マスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭの位置を検出し第２のアライメント量を求める。第１、第２のアライメント量が、あらかじめ設定した範囲内で一致する場合は、第２のアライメント量をイメージシフト量として記憶し、再度マスクＭとワークＷを離間し、第２のアライメント量にイメージシフト量を加えて、アライメント量を求めマスクとワークの位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】ワークの姿勢を良好にアライメントできるアライメント装置、基板処理装置、およびアライメント方法を提供する。
【解決手段】注目マーク９４ａが初期位置Ｐ０から第１計測位置Ｐ１へ第１距離Ｄ１だけ移動した後、位置演算部は、対応撮像部にて撮像された第１撮像画像に基づいて、第１撮像画像の座標系における注目マーク９４ａの第１計測位置Ｐ１を演算する。また、位置演算部は、注目マーク９４ａが第１計測位置Ｐ１から第２計測位置Ｐ２に移動した後、対応撮像部により撮像された第２撮像画像に基づいて、第２撮像画像の座標系における第２計測位置Ｐ２を演算する。続いて、演算された第１および第２計測位置Ｐ１、Ｐ２と、第１角度θ１と、に基づいて、回転軸３５ａから見た注目マーク９４ａのマーク位置を演算する。そして、求められた各アライメントマークのマーク位置を通る直線を求めることによって、主走査方向に対する基板の傾きを求める。 （もっと読む）

【課題】 基板上にすでに配置されている、サブ半導体チップの電極パッドを検出して生成した電極接続データで描画処理を行う技術を提供する。
【解決手段】 パターン描画装置１００の光学ヘッド部５０に対して相対移動する基板Ｗを光学ヘッド部５０により直接露光する直接露光方法で、アライメントカメラ６０で基板Ｗをモニターし基板Ｗの電極パッドの位置を検出し、パターン描画装置１００に入力された配線パターンデータと、電極パッドの検出位置からパターン描画装置１００内の制御部７０が、電極接続データを生成する。生成された電極接続データで光学ヘッド部５０が、移動する基板Ｗを電極接続データに基づいて直接露光することで電極パッドの位置がずれていても配線パターンを正確に描画することができる。 （もっと読む）

【課題】転写条件の調整を高精度に行うことができるとともに高スループット化を可能とすること。
【解決手段】基板に第一パターン、第二パターン及び第三パターンを重ねて転写する露光方法であって、基板に第一パターンを所定の転写条件で転写する第一転写ステップと、転写された第一パターンのパターン情報を計測する第一計測ステップと、第一パターンのパターン情報に関する第一計測結果に基づいて転写条件を調整する第一調整ステップと、調整された転写条件で基板に第二パターンを転写する第二転写ステップと、転写された第二パターンのパターン情報を計測する第一計測ステップと、第二パターンのパターン情報に関する第二計測結果と、第一計測結果とに基づいて転写条件を調整する第二調整ステップと、調整された転写条件で基板に第三パターンを転写する第三転写ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハとパターンとを精度良く位置合わせする。
【解決手段】位置計測系を用いてステージの位置を計測し、その計測結果に基づいてステージを駆動し、ステージ上に保持されたウエハ上のアライメントマークをアライメント系を用いて検出して得られる検出結果と、その検出結果に対するステージの位置に依存する補正情報（理想格子の格子点ｍ_ｉｊについて与えられた補正データ）と、に基づいてウエハ上に形成されるパターンが理想格子状に配列されるようにウエハを保持するステージを駆動する。 （もっと読む）

【課題】原版と基板とのアライメントとの点で有利なリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】原版に形成された第１のマーク、及び、前記原版を介して前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークを検出する第１の検出部と、前記原版を介さずに第２のマークを検出する第２の検出部と、前記原版のパターンを前記基板に転写するための処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記第２の検出部による前記第２のマークの検出結果の一部を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す統計量を求める処理と、前記複数のショット領域のそれぞれについて、前記統計量から求められる前記複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークの位置と、前記第２の検出部によって検出された前記複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークの位置との差分を求める処理と、を行う。 （もっと読む）

【課題】十分に高精度なパターンの重ね合わせ（位置合わせ）を実現する。
【解決手段】パターンＰＡを非走査方向（Ｘ軸方向）に関して複数の部分パターンＰＡａ，ＰＡｂに分割し、部分パターンＰＡａ，ＰＡｂの像（部分像）のそれぞれについて像の形成状態を調整するとともに、部分像のうちの互いに隣接する部分像を繋ぎ合わせて、ウエハＷ上に形成する。この場合、パターン全体の像を一度の露光で物体上に形成する場合に比べて、複数の部分パターンの像それぞれの形成状態がより最適となるように調整できる。この結果、十分に高精度なパターンの重ね合わせ（位置合わせ）を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】下地マークと基板上に形成されたアライメントマークとの位置ずれを検出することを可能とし、位置ずれを抑えながら基板上にパターンを形成することができる技術を提供する。
【解決手段】下地マークを有する基板に塗布された樹脂にパターン面を有するモールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドは、前記パターンを形成するためのパターン部と、前記基板上にアライメントマークを形成するためのマーク部と、前記モールドを樹脂に押し付けた状態において前記下地マークが押し潰されることを防止する凹部とを前記パターン面に含むことを特徴とするインプリント装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 エンコーダシステムを用いた位置計測装置において、計測誤差による影響を低減させることを目的とする。
【解決手段】 対象物を搭載して移動可能な移動体と、前記移動体の位置を計測可能なエンコーダ型の第１の計測手段と、前記第１の計測手段による計測と同時に、前記移動体の位置を計測可能、あるいは前記対象物または前記移動体に形成されたマークの位置を検出可能な第２の計測手段と、前記第１および第２の計測手段の計測結果にもとづいて、前記第１の計測手段の計測誤差を算出し、該計測誤差にもとづいて前記第１の計測手段を補正する補正手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの画像認識を高い確率で成功させて、露光処理の中断を少なくする。
【解決手段】各画像取得装置が出力した画像信号について、第１の判定条件で画像認識を行い、認識したアライメントマークの位置を検出し、第１の判定条件で画像認識ができないとき、第１の判定条件よりもゆるい第２の判定条件で画像認識を行い、認識したアライメントマークの位置を検出し、第２の判定条件で画像認識を行って検出したマスク２のアライメントマーク２ａの位置及び基板１のアライメントマーク１ａの位置に基づき、マスクホルダ２０とチャック１０とを相対的に移動して、マスク２と基板１との位置ずれを補正する。その後、各画像取得装置が出力した画像信号について、第１の判定条件で画像認識を行い、認識したアライメントマークの位置を検出して、マスク２と基板１との位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】露光装置のフットプリントの狭小化を図る。
【解決手段】投影光学系ＰＬ等を備える露光ステーション２００とアライメント装置９９等を備える計測ステーション３００とが、それぞれの基準軸ＬＶ，ＬＨが直交するように、配置されている。さらに、露光ステーション２００と計測ステーション３００とのそれぞれから離間する基準軸ＬＶ，ＬＨの交点上に、粗動ステージＷＣＳ１，ＷＣＳ２間で微動ステージＷＦＳ１，ＷＦＳ２をリレーするためのセンターテーブル１３０が設置されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い焦点管理を行うことができる露光システムおよび電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１のピッチ寸法パターンと、第１のピッチ寸法より長い第２のピッチ寸法パターンと、を含むパターン部が形成されたレチクルに照明光を照射し、照射されたパターン部における像を瞳面に設けられた開口絞り部を介して露光面に投影光学系により投影し、第１のパターンによる０次回折光と１次回折光とが照明光学系の光軸に対して対称に生じ、第２のパターンによる０次回折光と１次回折光とが光軸に対して非対称に生じるように、光軸に対して交差する方向からパターン部に入射する光束を形成し、露光面に露光する。露光されたパターンのピッチ寸法を測定し、測定されたピッチ寸法に基づいて位置ずれ量を演算し、演算された位置ずれ量に基づいてデフォーカス量を演算し、演算されたデフォーカス量に基づいて焦点管理を行う露光システム。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることが可能な露光処理の補正方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の面内の領域を、中心近傍の第１の領域と、第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けし、計測用投影露光により投影されたパターンの第１の領域の計測点の座標における基準位置からの合わせずれ量を計測し、合わせずれ量および計測点の座標に基づいて、計測用投影露光の第１の領域の合わせずれ算出値を算出し、合わせずれ算出値および第１の領域の座標に基づいて、第１の補正式により第１の補正値を算出し、この第１の補正値に応じて、第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、合わせずれ算出値および第２の領域の座標に基づいて、第１の補正式と異なる第２の補正式により第２の補正値を算出し、この第２の補正値に基づいて、第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】複数の基準座標系相互間のずれを較正する。
【解決手段】 ステージＷＳＴ１上に搭載された４つのヘッド６０_１〜６０_４のうち、互いに異なる１つのヘッドを含む３つのヘッドが属する第１ヘッド群と第２ヘッド群とに含まれるヘッドがスケール板上の対応する領域に対向する領域Ａ_０内で、第１ヘッド群を用いて得られる位置情報に基づいてステージＷＳＴ１を駆動するとともに、第１及び第２ヘッド群を用いて得られる位置情報を用いて対応する第１及び第２基準座標系Ｃ_１，Ｃ_２間のずれ（位置、回転、スケーリングのずれ）を求める。その結果を用いて第２ヘッド群を用いて得られる計測結果を補正することにより、第１及び第２基準座標系Ｃ_１，Ｃ_２間のずれが較正され、４つのヘッド６０_１〜６０_４のそれぞれが対向するスケール板上の領域の相互間のずれに伴う計測誤差が修正される。 （もっと読む）

【課題】フォーカス値の測定時間を短縮し、かつ正確なフォーカス値を得ることができる半導体装置の製造方法及び露光装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウエハ３上に形成されたレジスト６より下層に形成された膜によって反射率が異なる領域について測定されたフォーカス値を取得し、反射率が低い第１の領域３１について得られたフォーカス値に、前記第１の領域３１よりも反射率が高い第２の領域３２について得られたフォーカス値を近づけて露光処理を行う。 （もっと読む）

【課題】計測ステーションにおける非稼働時間の発生を防止して露光精度を高める露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１００は、基板Ｐに対してアライメント計測およびフォーカス計測を行う計測ステーション１１０と、計測ステーション１１０で計測された基板Ｐの各ショット領域を走査露光する露光ステーション１２０と、計測ステーション１１０での計測結果に基づいて露光ステーション１２０での露光動作を制御する主制御部１４１と、を有する。主制御部１４１は、計測ステーション１１０でのフォーカス計測の結果に基づいて、露光ステーション１２０での露光における基板Ｐの走査速度を各ショット領域に対して決定し、各ショット領域に対して決定された走査速度に基づいて、露光ステーション１２０での基板Ｐの露光に要する時間を求め、求められた時間に応じて、計測ステーション１１０で計測されるべきショット領域の数を決定する。 （もっと読む）