【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２と、処理室２０に隣接して設けられ、当該処理室２０から退避したノズル支持アーム８２が待機するためのアーム待機部８０と、を備えている。液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕは複数設けられており、ノズル支持アーム８２ｐ、８２ｒ、８２ｔはノズル支持アーム８２ｑ、８２ｓ、８２ｕと高さレベルが異なるようになっている。 （もっと読む）

【課題】スプレノズルの先端部付近に残留した薬液の被処理膜上への滴下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スプレノズル２０と、スプレノズル２０を支持部材１２に対して高さ方向及び水平方向に相対移動させるノズル移動機構２１と、基材Ｗを回転させる回転駆動部１４とを備える。ノズル移動機構２１は、待機位置よりも上方の第１の上方位置から第２の上方位置まで基材Ｗに近づく方向へ水平移動させ、第２の上方位置から下方位置へ下降させる。その後に、スプレノズル移動機構２１は、ウエハＷ上の吐出位置にスプレノズル２０を水平移動させる。 （もっと読む）

【課題】基体に対して低温の流体を供給して処理した結果、当該基体の温度が雰囲気露点温度を下回ってしまう場合であっても、当該基体に結露が生じるのを防止して、パターン倒れ等の不具合発生を未然に回避できるようにする。
【解決手段】処理対象となる基体２を保持する保持部１２と、前記保持部１２が保持する前記基体２に対して当該基体２を処理する流体２１の供給を行う流体供給部２０と、前記流体２１による処理がされて雰囲気露点温度より低温状態にある前記基体２に対して当該基体２を雰囲気露点温度より高温状態にする結露防止媒体３１の供給を行う媒体供給部３０と、を備えて流体供給装置１を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部１１と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部１２と、基板に薬液を吐出する吐出部１５と、吐出部１５を基板の一端から他端への第１方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部１３と、位置制御部１３により移動される吐出部１５が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部１５から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に供給される現像液の温度変動に起因した現像ムラ等が生じていた。
【解決手段】被処理基板６に現像液１１を供給して現像処理するレジスト現像装置１の構成として、恒温状態に制御された現像液を貯留する貯留部４と、被処理基板６を保持する保持部８と、貯留部４に貯留された現像液を流すための流路を形成するとともに、この流路に沿って流れた現像液を吐出する吐出部１４を有し、保持部８に保持された被処理基板６に向けて吐出部１４から現像液を吐出することにより、現像液を被処理基板６に供給する供給管５と、供給管５の吐出部１４から吐出する現像液が被処理基板６に到達しないように現像液を遮断する遮断部材２６と、現像液を遮断する遮断位置と前記現像液を遮断しない非遮断位置との間で遮断部材２６を移動させる移動手段（２７）とを備える。 （もっと読む）

【課題】レジスト現像装置などの液体供給装置では、実際に基体に供給される液体の温度変動が、処理の安定性を阻害する要因になっていた。
【解決手段】本発明のレジスト現像装置１は、恒温状態に制御された現像液１１を貯留する密閉型の貯留部４と、この貯留部４に貯留された現像液１１を供給すべき被処理基板６を保持する保持部８と、貯留部４の内部から当該貯留部４の外部へと導出するように配管されるとともに、当該導出部分が保持部８に臨む位置まで配管され、この保持部８に保持された被処理基板６に向けて貯留部内の現像液１１を供給する供給管５と、この供給管５の配管途中に付属して設けられた付属部材としての開閉弁１５とを備え、この開閉弁１５が貯留部４の内部に配置された構成となっている。 （もっと読む）

【課題】基板上に表面処理液を供給する際に基板と表面処理液との間に発生する気泡を消すことで、基板表面上の欠陥を低減する。
【解決手段】高撥水性のレジスト膜Ｒを形成したウェハＷの表面上に純水Ｐを供給する現像処理方法において、レジスト膜Ｒが形成されたウェハＷの周辺部の一箇所に純水Ｐを純水ノズル４０から供給して当該純水Ｐの液溜りＰａを形成し、その後、純水Ｐの供給を継続しながら純水ノズル４０をウェハＷの周辺部からウェハＷの中心部に移動させることで、ウェハの周辺部に形成された液溜りＰａをウェハＷの中心部に移動させる。 （もっと読む）

【課題】処理液の温度を一定に保つ。
【解決手段】被処理基板１に対して液体８を吐出散布することによる処理を行うための液体供給装置であって、前記液体を貯留する液体貯留部１０と、前記液体貯留部１０と基端で連通した液体供給用配管７と、前記液体供給用配管７の末端に設けられる液体吐出部１４と、前記液体を所望所定の温度に調整するために前記液体供給用配管７の一部設けられる液体温度制御部１２と、前記液体温度制御部１２から見て液体供給の下流側にあって、かつ、前記液体吐出部１４から見て液体供給の上流側にあり、前記液体吐出部１４に隣接して設けられる弁部１５とを有し、さらに、前記弁部１５は第１〜第４の弁を有する。第２の弁により、大気開放口１５２とそれに通じる連通方向並びに当該連通方向を開閉する。第３の弁により、残留液体排出口１５１に通じる連通方向並びに当該連通方向を開閉する。 （もっと読む）

【課題】基板表面上に吐出された処理液の滞留を防止し基板全面における処理の均一化を有効に達成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スプレーパイプ部２２と、スプレーパイプ部２２の長手方向に一列に互いに近接して形設され処理液をその吐出口２６から基板Ｗの表面１０２へ吐出する複数のノズル部２４から構成される複数のスプレーノズル１４とを備える基板処理装置において、基板Ｗの表面１０２に対する複数のノズル部２４の吐出口２６の対向角度を、水平姿勢で搬送される基板Ｗの表面１０２の基板搬送方向Ｘに関して交差する方向における中央部付近から両端部付近にかけて、鉛直線に対して漸次大きくなるように、複数のノズル部２４を複数のスプレーパイプ部２２に形設することにより、基板Ｗの表面１０２上において吐出後の処理液の積極的な液流れを発生させる。 （もっと読む）

【課題】非連続的に基体に対して処理を行う場合においても、比較的簡素な設備で温度制御された液体を供給し、基体に対する処理を安定且つ均一に行う。
【解決手段】液体を貯留する液体貯留部６と、前記液体貯留部６と連通した液体供給用の通液部７と、前記通液部７に設けられる液体吐出部９と、前記液体を所定の温度に調整するために、前記液体貯留部６及び／又は前記通液部７の少なくとも一部に設けられる温度調整部８と、前記温度調整部８が前記通液部７に設けられる場合は前記液体吐出部９と前記温度調整部８との間に位置する部分の前記通液部７に設けられる弁部１０と、を有し、前記弁部１０は、通液部外への開放口１７に通じる連通方向を有しており、更に前記弁部１０は、前記開放口１７よりも液体供給の上流側の部分の通液部を弁で閉じ、前記開放口１７側に設けられた弁を開き、前記液体吐出部９と前記開放口１７とを連通させる機構を有する。 （もっと読む）

【課題】液処理装置において、前記処理液ノズルに付着した処理液からの析出物により基板が汚染されることを防ぎ、歩留りの低下を防ぐこと。
【解決手段】カップ体の中に基板を水平に保持する基板保持部を設けて構成される液処理部と、処理液ノズルと、前記カップ体の外側に設けられ、前記処理液ノズルを待機させるための待機部と、前記液処理部の各々の上方領域と、待機部との間で処理液ノズルを移動させるための移動手段と、前記待機部に設けられ、処理液ノズルに洗浄液を供給して洗浄する洗浄液供給手段と、前記待機部に設けられ、当該待機部で待機する処理液ノズルから垂れた前記洗浄液の液滴に接触して、当該液滴を処理液ノズルから除去する液取り部と、を備えるように装置を構成し、析出物を洗い流し、さらに使用した洗浄液の液滴を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジスト膜を高精度で現像し、当該レジスト膜に形成されるレジストパターンの寸法精度を向上させる。
【解決手段】現像処理装置３０の現像液ノズル１３３には、当該現像液ノズル１３３に現像液を供給する現像液供給ブロック１３６が接続されている。現像液供給ブロック１３６は、内部に現像原液を貯留する現像原液供給源１５０と、内部に有機溶剤を貯留する有機溶剤供給源１６０と、現像原液と有機溶剤を混合して現像液を生成する現像液供給源１７０とを有している。有機溶剤には、現像原液に可溶であり、且つ現像原液と中和反応しないものが用いられる。現像液は、現像原液に対する有機溶剤の濃度が５質量％以下になるように、現像原液と有機溶剤が混合されて生成される。 （もっと読む）

【課題】基板に付着するリンス液に起因する基板の処理不良を防止することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが回転するとともに、気液供給ノズル４５３の液体ノズル４５３ａが回転する基板Ｗの中心部ＷＣの上方の位置まで移動する。この状態で、液体ノズル４５３ａから回転する基板Ｗにリンス液が吐出される。気液供給ノズル４５３が基板Ｗの外方位置に向かって移動する。ガスノズル４５３ｂが回転する基板Ｗの中心部ＷＣの上方位置に到達することにより、気液供給ノズル４５３が一時的に停止する。気液供給ノズル４５３が停止した状態で、回転する基板Ｗ上の中心部ＷＣに一定時間不活性ガスが吐出される。その後、気液供給ノズル４５３が再び基板Ｗの外方位置に向かって移動する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク石英基板の現像においてパターン線幅の面内均一性を改善する手段として、現像液の液盛りを形成した初期工程で液の攪拌を行うものであり、円形状の液盛りを保持しながら、スピンチャックが回転する現像装置及びそれを用いた現像方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク石英基板のスピンチャックに円形状ガイドを有し、独立して昇降する基板保持プレートとスピンチャックが回転する構造を特徴とし、現像液の液盛りを円形状ガイド上に形成させた後、パドル状態を維持したままスピンチャックが基板を保持して、回転と停止を繰り返す動作を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の処理を行う処理部を複数備えた基板処理装置において、複数の基板処理を効率よく行う。
【解決手段】現像装置３０は、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２１０と、ウェハＷの側方を囲むように設けられたカップ体２２０とを備えた処理部１３０と、ウェハＷ上に第１の現像液を吐出する第１の現像液ノズル１５１と、ウェハＷ上に第２の現像液を吐出する第２の現像液ノズル１５２と、第１の現像液ノズル１５１と第２の現像液ノズル１５２を共に支持する共有アーム１５０とを有している。第１の現像液ノズル１６１から斜め下方に吐出される第１の現像液の吐出方向と第２の現像液ノズル１６２から斜め下方に吐出される第２の現像液の吐出方向は、平面視において、それぞれウェハＷの回転方向と同一方向である。 （もっと読む）

【課題】基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を下方より支持する支持部に支持されている基板を、支持部に対する基板の相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第１の処理工程Ｓ１１と、第１の処理工程Ｓ１１の後、支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、相対角度位置を変更する位置変更工程Ｓ１４と、位置変更工程Ｓ１４の後、支持部に支持されている基板を、相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第２の処理工程Ｓ１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターン寸法を安定させ、かつ欠陥発生を抑制させるレジスト現像方法およびレジスト現像装置を提供する。
【解決手段】現像時における現像液の水素イオン濃度および、洗浄工程時における洗浄液の水素イオン濃度を監視ユニット７で監視することにより、ノズル６で前記基板上に供給する現像液および洗浄液の液性を調整し、液性の調整を行なった現像液および洗浄液を前記基板上に供給することにより、パターン寸法の制御と欠陥発生の抑制を行なう （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、ろ過効果を高めることが可能な薬液供給システムを提供する。
【解決手段】開示される薬液供給システムは、薬液を貯留する第１の容器および第２の容器と、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第１の配管に設けられ、第１の容器に貯留される薬液を第２の容器へ流す第１のポンプと、第１の配管に設けられ、第１の容器から第２の容器へ向かって第１の配管内を流れる薬液をろ過する第１のフィルタと、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第２の配管と、第２の配管に設けられ、第２の容器に貯留される薬液を第１の容器へ流す第２のポンプとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＬＥによるダブルパターニングの２回目の現像処理において、２回目のレジストパターンの線幅を精度良く制御でき、１回目のレジストパターンの線幅も精度良く制御できる現像処理方法を提供する。
【解決手段】第１のレジストパターンが形成されている基板の表面にレジスト膜を成膜し、露光した後、第２のレジストパターンを形成するために、現像処理する現像処理方法であって、基板を静止させた状態で、第１の時間ｔ１の間、基板を現像処理する第１の工程Ｓ１９５と、基板を回転させながら、第２の時間ｔ２の間、基板を現像処理する第２の工程Ｓ１９６とを有する。第１の時間ｔ１と第２の時間ｔ２との時間比率は、第１のレジストパターンの線幅ＣＤ１が第１の所定値ＣＤ１ｔに等しくなるように調整され、第１の時間ｔ１と第２の時間ｔ２との合計時間Ｔは、第２のレジストパターンの線幅ＣＤ２が第２の所定値ＣＤ２ｔに等しくなるように調整される。 （もっと読む）