【課題】処理液による処理をウェーハの被処理面に対して均一に、且つ、処理の長時間化を抑制しながら行うことができる。
【解決手段】内部に処理液３を貯留し、処理液３によりウェーハ４の被処理面４ａに対する処理が行われる処理槽２を備える。処理槽２内の処理液３に被処理面４ａが浸漬されるように、被処理面４ａを下向きにしてウェーハ４を保持する保持部５を備える。処理液３を処理槽２内へ供給する供給手段（例えば、循環ポンプ６及び供給配管７）と、回転することによって処理槽２内の処理液３を撹拌する回転部材（例えば、スターラ２１）を備える。供給手段は、ウェーハ４の被処理面４ａに向かう上向きの噴流２０が処理槽２内に形成され、且つ、処理槽２の上端２ａから処理液３がオーバーフローするように、処理液３を処理槽２内へ供給する。回転部材は、噴流２０の経路を避けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑制しつつ現像不良の発生を防止することが可能な現像装置および現像方法を提供する。
【解決手段】液層形成工程の時点ｔ１〜ｔ４の期間において、基板上に現像液の液層が形成される。その後、基板の回転速度を一時的に低速の５０ｒｐｍに保持し、その後、基板の回転を停止する。このように、基板の回転の停止前に基板Ｗの回転速度を極めて低い状態で一時的に保持することにより、基板上に現像液の液層が薄く引き延ばされた状態を安定に維持しつつ基板の回転を停止することができる。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑制しつつ現像不良の発生を防止することが可能な現像装置および現像方法を提供する。
【解決手段】まず、基板Ｗの回転速度が低い状態で、基板Ｗの中心部にリンス液が供給される。この場合、リンス液が表面張力によってほぼ一定の領域内で保持される。基板Ｗの回転速度が上昇すると、基板Ｗ上に保持されているリンス液に遠心力が働き、リンス液が基板Ｗの周縁部に向けて拡がろうとする。そのとき、基板Ｗの中心部に現像液が供給される。この場合、現像液がリンス液とともに基板Ｗ上の全体に瞬間的に拡がる。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑制しつつ現像不良の発生を防止することが可能な現像装置および現像方法を提供する。
【解決手段】現像液ノズル２１が基板Ｗの中心部の上方に位置する状態で現像液の吐出を開始する。そして、現像液ノズル２１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの中心部の上方から周縁部の上方まで移動する。これにより、基板Ｗ上の全体に十分に現像液が供給される。続いて、基板Ｗの回転速度が下降するとともに、現像液ノズル２１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの周縁部の上方から中心部の上方まで移動する。この場合、基板Ｗの外方に振り切られる現像液の量が減少し、供給された現像液が基板Ｗ上で保持される。それにより、基板Ｗ上に現像液の液層が形成される。 （もっと読む）

【課題】処理カップでの種類の異なる薬液の混触を防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置の再起動処理時には、スプラッシュガード３４や遮断板２２が順次に退避位置（原点位置）に復帰される原点復帰動作が行われる（ステップＥ３）。原点復帰動作の完了後は、処理カップ７が洗浄される処理カップ洗浄処理が実行される（ステップＥ５）。処理カップ洗浄処理では、第１〜第４空間８１，８２，８３，８４に対して洗浄液としての純水が供給される。 （もっと読む）

【課題】液体で濡れた基板表面を乾燥させる際に基板表面に形成されたパターンの倒壊が発生するのを防止しながら、基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンスノズル８からのリンス液の吐出によりリンス処理を受けた基板表面Ｗｆ全体にはリンス液が盛られた状態で付着して、いわゆるパドル状のリンス層２１が形成される。そして、近接ブロック３の対向面３１が基板表面Ｗｆに対して近接配置され、対向面３１と基板表面Ｗｆとに挟まれた間隙空間に液密層２３が形成された状態で近接ブロック３が移動方向（−Ｘ）に移動するとともに、液密層２３の上流側端部に向けて、液体に溶解して表面張力を低下させる溶剤成分を含む溶剤ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】基板を回転しながら、処理液による基板の処理を均一に行う。
【解決手段】回転テーブル１０は、基板１を水平に支持して回転する。ノズル２０は、基板１の表面へ処理液を供給する。モータ駆動回路１８は、回転テーブル１０に連結されたモータ１７を駆動し、所定時間が経過した後、モータ１７を逆回転する。基板１を所定時間回転した後、基板１をそれまでと逆方向へ回転するので、処理液の流れる方向が途中で変化し、それまでの処理液の流れでは処理が進んでいなかった部分で処理が進行して、基板１の処理が均一に行われる。 （もっと読む）

【課題】対象基板によらず現像欠陥の少なくなる条件を迅速に把握して現像処理後のリンス処理を行うことができるリンス処理方法を提供すること。
【解決手段】露光パターンを現像処理した後の基板をリンス処理するリンス処理方法は、予め基板の表面状態に応じてリンス処理の条件を設定する工程（ステップ１）と、基板の表面状態を測定する工程（ステップ２）と、測定された基板の表面状態から対応するリンス処理の条件を選択する工程（ステップ３）と、選択された条件でリンス処理を行う工程（ステップ４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面への薬液の回り込みを確実に防ぐことが可能な基板保持装置及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 回転軸１０Ｂ上に設けられた基板保持部１１Ａの上に基板３が吸着保持される。基板保持部１１Ａの側壁に、ガス供給通路１２Ａと連通するガス噴出口１２Ｂを設けられる。ガス噴出口１２Ｂは、基板３の裏面を臨むように、水平方向に対して角度αで延びるように形成される。ノズル５からレジスト４を供給する前に、不活性ガス供給部６から供給された不活性ガスが、ガス供給通路１２Ａを介してガス噴出口１２Ｂから基板裏面に対して噴出される。 （もっと読む）

【課題】 基板処理時における基板の破損を防止し、基板の飛散を防止することができる基板処理装置および基板飛散防止方法を提供する。
【解決手段】 回転処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック１１を備える。スピンチャック１１は、モータＭのシャフト１２により水平に固定されている。基板Ｗは、洗浄処理および乾燥処理を行う場合に、スピンチャック１１により水平に保持された状態で回転される。ケーシングＫの外壁に振動検出センサ１０が取り付けられている。振動検出センサ１０は基板Ｗの回転時に発生するケーシングＫの振動を測定する。振動検出センサ１０は制御部４に接続されており、ケーシングＫの振動に関するデータを制御部４へ出力する。制御部４は、ケーシングＫの振動に関するデータに基づいてモータＭの動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】現像時にレジストパターン寸法の面内均一性の向上を図る。
【解決手段】所望のパターンが露光された感光性レジスト膜の現像を行う現像方法であって、感光性レジスト膜に対して現像液を供給する工程と、感光性レジスト膜上の現像液を流動させる工程（Ｓ３０４）とを含み、現像液を流動させる工程の開始時間と終了時間の間に、現像液に対して可溶な前記感光性レジスト膜の領域の底面に現像液が達する抜け時間が含まれる。 （もっと読む）

【課題】処理液の吐出量を正確に設定することが可能でかつノズルからの処理液の吐出動作の変更が容易な基板処理装置を提供する。
【解決手段】吐出ポンプ６はポンプ駆動モータ７により駆動され、レジストノズル４にレジスト液を供給して吐出させる。ポンプ駆動モータ７は制御部１３の制御に基づきモータコントローラ１２により駆動される。制御部１３はレシピデータおよびサブライブラリを有する。サブライブラリにはポンプ駆動モータ７の駆動パターン、加減速時間、レジストノズル４からのレジスト液の吐出速度および吐出量が入力され、レシピデータにはレジストノズル４の吐出時間等の制御情報が入力部１２より入力されて格納される。また、レシピデータおよびサブライブラリの各制御情報は入力部１２から変更することができる。 （もっと読む）

【課題】 熱処理ユニットを不要として、装置のフットプリントを小さくし、化学増幅型レジスト液を用いる場合には、露光処理時にレジスト膜に与えるエネルギーが小さい場合でも、酸触媒反応を十分に進行させ、スループットの低下を抑えながら、良好なパターン形状を得る。
【解決手段】 現像ユニットの基板保持部３に加熱手段３２を組み込み、現像ユニットにて、例えば化学増幅型レジスト膜が形成されたウエハに表面改質液であるグリセリンが存在する状態でＰＥＢ処理を行う。これにより露光処理時にレジスト膜に与えるエネルギーが不足する場合であっても、この不足分が補完され、化学増幅型レジスト液の酸触媒反応が促進されて酸発生の連鎖反応が起こるので、スループットの低下を抑えながら、良好なパターン形状を得ることができる。 （もっと読む）