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Fターム[5F046LA12]の内容

半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) (57,085) | 湿式現像、リンス (2,372) | 現像液、リンス液 (172)

Fターム[5F046LA12]に分類される特許

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【課題】リンス液を用いずに、かつ有機現像処理の時間差の影響を受けずに回路パターンの微細線幅の安定化及びスループットの向上を図れるようにした有機現像処理方法及び有機現像処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後のウエハWの表面に現像液を供給して現像を行う現像処理において、ウエハWの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液を吐出する現像ノズル30と、ウエハWの表面全域に現像停止及び乾燥用のN2ガスを吐出するガスノズル40と、を具備する。現像ノズル30からウエハWの表面全域に現像液を吐出してウエハWの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液の液膜を形成した後、ガスノズル40からウエハWの表面全域にN2ガスを吐出して、現像の停止を行うと共に、現像液を除去してウエハWの乾燥を行う。 (もっと読む)


【課題】ポジ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて安定に形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜を露光する工程、及び該レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたポジ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、(A)成分として、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位を有する樹脂成分を用い、現像液として極性有機溶剤を含み、実質的にアルカリ成分を含まない現像液を用いる。 (もっと読む)


【課題】基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Wの表面に第1の処理液を供給する第1の処理液供給装置6と、基板Wの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第2の処理液を供給する第2の処理液供給装置7とを備える。 (もっと読む)


【課題】高無機微粒子含量の有機無機複合膜を現像して有機無機複合膜を形成する方法及び高無機微粒子含量の有機無機複合膜を現像することができる現像液を提供する。
【解決手段】シリコン、金属、シリコン又は金属の酸化物、シリコン又は金属の窒化物、シリコン又は金属の炭化物及びこれらのうちの少なくとも2種の複合体からなる群から選択される少なくとも1種の無機微粒子を60〜98重量%含有するとともに、アルカリ可溶性樹脂及び光重合開始剤からなる感光性樹脂組成物を固形分換算で2〜40重量%含有する感光性膜をパターン露光し、現像する際に、グリフィン法によるHLB値7〜18のアセチレンアルコール系界面活性剤、アルカリ成分及び水を含有する現像液で現像する。 (もっと読む)


【課題】欠陥密度の小さいパターンを形成可能とするパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、(a)化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、(b)前記膜を露光することと、(c)第1有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでおり、前記現像液は、粒径が0.3μm以上のパーティクルの密度が30個/mL以下である。 (もっと読む)


【課題】ボンディングパッドの特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、LSI基板1上に形成された第1の金属を含む再配線層8a、bおよび前記LSI基板上に形成されたボンディングパッドとなる第2の金属を含むパッド電極22を被覆するように、層間膜10を形成する。前記層間膜のうち、前記再配線層に接続されるマイクロバンプを形成する領域およびボンディングワイヤが接続される領域に対応する部分を感光させ、アルカリ水溶液を含む第1のアルカリ現像液で現像することにより、前記再配線層が露出するように前記層間膜に第1の開口部10aを形成するとともに、前記パッド電極が露出するように前記層間膜に第2の開口部10bを形成する。さらに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよび多価アルコールを含む第2のアルカリ現像液で、前記層間膜の残りの露光された部分を現像する。 (もっと読む)


【課題】プラズマディスプレイパネルを製造するために用いる縦形現像装置において、基板に塗布される現像液のムラを低減した現像装置および現像方法を提供することを目的としている。
【解決手段】現像液を噴霧する現像室17と、基板22を洗浄する洗浄室19と、現像室に現像液を供給する現像液供給系統と、予め感光性材料が配され所定のパターンに露光照射処理を施された基板22を現像室17から次の洗浄室19に搬送する搬送ベルト21とを備えた現像装置において、現像室17から洗浄室19にて基板表裏全体が水洗いされ、基板22に付着した現像液や現像時に剥離した樹脂成分等を基板表面から洗い流しており、搬送方向に配列するn個のエアカット18a・・・18nのノズル幅をW1>W2・・・>Wnにして、基板22の現像液を除去する構成である。 (もっと読む)


【課題】現像欠陥の少ないパターンを形成可能とするパターン形成方法、及び、この方法に用いられる有機系処理液を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、(a)化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、(b)前記膜を露光することと、(c)有機系処理液を用いて前記露光された膜を処理することとを含んでいる。前記処理液は、標準沸点が175℃以上である有機溶剤を含有し、前記処理液に占める前記溶剤の含有率は30質量%未満である。 (もっと読む)


【課題】被処理基板の乾燥に利用される高温高圧流体の消費量が少ない基板処理装置等を提供する。
【解決手段】第1の原料収容部41では加熱機構42により液体状態の原料を高温高圧流体状態とし、原料供給路411の供給用バルブ412を開いて処理容器31に当該高温高圧流体を供給し、この高温高圧流体による被処理基板Wの乾燥を行う。第2の原料収容部41は、第2の冷却機構43a、43bにより前記原料の凝縮温度以下に冷却されることにより、回収用バルブ412を開き、原料回収路処理容器31内の高温高圧流体を当該第2の原料収容部41に回収する。回収された原料は第1の原料収容部41から処理容器31に供給される原料として再利用される。 (もっと読む)


【課題】基板上のレジスト膜を高精度で現像し、当該レジスト膜に形成されるレジストパターンの寸法精度を向上させる。
【解決手段】現像処理装置30の現像液ノズル133には、当該現像液ノズル133に現像液を供給する現像液供給ブロック136が接続されている。現像液供給ブロック136は、内部に現像原液を貯留する現像原液供給源150と、内部に有機溶剤を貯留する有機溶剤供給源160と、現像原液と有機溶剤を混合して現像液を生成する現像液供給源170とを有している。有機溶剤には、現像原液に可溶であり、且つ現像原液と中和反応しないものが用いられる。現像液は、現像原液に対する有機溶剤の濃度が5質量%以下になるように、現像原液と有機溶剤が混合されて生成される。 (もっと読む)


【課題】感度、露光ラチチュード、マスクエラーエンハンスメントファクター、パターン形状に優れ、線幅バラツキを低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜の提供。
【解決手段】(ア)(A)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と(B)活性光線又は放射線の照射により下記一般式(I)で表されるスルホン酸を発生する少なくとも1種の化合物と(C)溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法。
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【課題】レジストパターンを形成するために、必要なエネルギーの照射量(必要露光量)を抑えつつも、所定の組成を有するレジスト層に対して高い解像度をもたらす。
【解決手段】α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して描画又は露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Bとを含む。 (もっと読む)


【課題】レジストパターンを形成するために、所定の組成を有するレジスト層に対して高い解像度をもたらす。
【解決手段】基板1上に、α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含みかつフッ素を含有しないレジスト層3を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターン形状の描画又は露光を行う工程と、非溶解部の溶解速度が1時間あたり約0.5Å未満であるフルオロカーボンを含む現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する現像工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】経時安定性、現像欠陥性能、及びラフネス特性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、溶剤とを含有し、カールフィッシャー法により測定された水分含有率が1.0質量%以下である。 (もっと読む)


【課題】水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)が現像液のアルカリ剤として使用され、かつ、TBAHの析出が抑制されたフォトリソグラフィ用現像液を提供すること。
【解決手段】本発明は、(A)水酸化テトラブチルアンモニウムと、(B1)アルコール、(B2)界面活性剤及び(B3)包接化合物からなる群より選択される少なくとも1つと、を含むフォトリソグラフィ用現像液である。 (もっと読む)


【課題】 露光ラチチュード(EL)及び現像欠陥性能に優れたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るパターン形成方法は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(A)と、活性光線又は放射線の照射により下記一般式(LD)により表される部分構造を備えた酸を発生する化合物(B)とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を、濃度が2.38質量%未満であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像することとを含んでいる。
【化1】
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【解決手段】酸不安定基で置換又は非置換のナフトール基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】上記繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像のポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する。このフォトレジスト膜、格子状パターンのマスクを用いて露光、現像することで微細なホールパターンを寸法制御よく形成でき、更にアミノ基又はアミン塩を有する保護膜を適用することでホールパターンの開口不良を防ぎ、寸法均一性を向上できる。 (もっと読む)


【課題】低温の処理液を用いた処理処理において、処理液ノズルの結露の発生を防止し、処理を基板面内で均一に行う。
【解決手段】現像処理装置1は、基板を保持する保持部材と、基板上に現像液、リンス液、処理液を供給する複合ノズル体42と、保持部材上から退避した複合ノズル体42を待機させるノズルバス44とを有している。ノズルバス44内には、複合ノズル体42の先端部が収容される。ノズルバス44は、待機中の複合ノズル体42を挟んで設けられ、当該複合ノズル体42においてノズルバス44から露出した露出部を覆うように水平方向に延伸する一対のパージガスノズル93、93を有している。一対のパージガスノズル93、93は、複合ノズル体42の露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】レジストパターンに対する膨潤作用が小さく、かつ、含まれる成分の析出が抑制されたフォトリソグラフィ用現像液を提供すること。
【解決手段】本発明は、(A)下記一般式(1)で表される塩基性化合物を含むフォトリソグラフィ用現像液である。
(下記一般式(1)中、R及びRは、互いに結合してヘテロ原子を含んでもよい脂肪環構造を形成し、R及びRは、分枝を有してもよいアルキル基、又は、互いに結合してヘテロ原子を含んでもよい脂肪環構造を形成する。また、上記一般式(1)中、R〜Rにそれぞれ含まれる炭素原子の数の和は、6〜13である。)
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【課題】レジストパターンに対する膨潤作用が小さく、かつ、含まれる成分の析出が抑制されたフォトリソグラフィ用現像液を提供すること。
【解決手段】本発明は、(A)水酸化テトラブチルアンモニウムと、(B)下記一般式(1)で表される塩基性化合物と、を含むフォトリソグラフィ用現像液である。
(下記一般式(1)中、R〜Rは、分枝を有してもよいアルキル基であり、R〜Rにそれぞれ含まれる炭素原子の数の和は、4〜15である。)
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