【課題】フォトマスク製造における、現像工程のレジストパターン形成時に発生する現像ローディングを低減するための現像方法および現像装置を提供する。
【解決手段】実パターン１０５を形成したレジスト３１に現像液６１を塗布して現像処理するマスク基板１０１の現像方法において、マスク基板１０１に現像液濃度補正基板１００を対向させて、両者間に配置した現像液６１に、マスク基板１０１の実パターン１０５と現像液濃度補正基板１００のレジスト３１に形成した反転パターン１０６とをそれぞれ接触させ、現像液６１が現像処理するパターン１０５，１０６の密度分布を実パターン１０５及び反転パターン１０６により、マスク基板１０１及び現像液濃度補正基板１００のレジスト面延在方向において均一化させた状態で、それら実パターン１０５及び反転パターン１０６を同時に現像処理するようにした。 （もっと読む）

【課題】最小線幅が１００ｎｍ以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成において、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することを可能とする。
【解決手段】最小線幅が１００ｎｍ以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成方法において、基板３上にレジスト膜２を形成し、可変成形電子線ＥＢによりレジスト膜２に描画パターンを描画した後、レジスト膜２のレジスト非溶解部の膜減り率が２０％以下となるように、レジスト膜２にパドル現像を実施する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク基板の現像工程において、リンス液乾燥時の表面張力によるレジストパターン倒れを防止する。
【解決手段】カップ３の内側で基板１を水平に保持する基板保持部２を回転可能に構成する。チャンバ部材７ａと共に昇降機構７ｃにより昇降される保持プレート７により、多孔質材料による吸液性シート６を、基板１と平行に保持する。基板１上の現像液パドル５ｅを洗浄液で置換した後、昇降機構７ｃにより保持プレート７を下降させて吸液性シート６の表面を洗浄液の液面に接触させる。減圧ライン７ｂに通じる吸液性シート６の背面側を負圧として、洗浄液を吸液性シート６で吸液する。吸液後、昇降機構７ｃにより保持プレート７を上昇させて、吸液性シート６を洗浄液から離間させる。 （もっと読む）

【課題】リンス液を用いずに、かつ有機現像処理の時間差の影響を受けずに回路パターンの微細線幅の安定化及びスループットの向上を図れるようにした有機現像処理方法及び有機現像処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後のウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行う現像処理において、ウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液を吐出する現像ノズル３０と、ウエハＷの表面全域に現像停止及び乾燥用のＮ２ガスを吐出するガスノズル４０と、を具備する。現像ノズル３０からウエハＷの表面全域に現像液を吐出してウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液の液膜を形成した後、ガスノズル４０からウエハＷの表面全域にＮ２ガスを吐出して、現像の停止を行うと共に、現像液を除去してウエハＷの乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】基板を良好に撥水処理することができる基板液処理装置及び基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）を撥水処理液で撥水処理する基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、混合タンク（５３）の内部で撥水処理液を加水分解させることなく希釈できる第１の希釈液と撥水処理液とを混合して第１の希釈撥水処理液を生成し、第１の希釈撥水処理液で基板（２）を撥水処理することにした。また、混合タンク（５３）から第１の希釈撥水処理液を供給する第１供給流路（５４）の中途部に撥水処理液を希釈する第２の希釈液を供給し、第１の希釈撥水処理液を第２の希釈液で希釈して第２の希釈撥水処理液を生成し、第２の希釈撥水処理液で基板（２）を撥水処理することにした。 （もっと読む）

【課題】リンス液を乾燥する際、被処理基板の凸状部が倒壊することを防止することが可能な液処理方法、液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板本体部Ｗ_ｉと、基板本体部Ｗ_ｉに突設された複数の凸状部Ｗ_ｍとを有し、基板本体部Ｗ_ｉ上であって凸状部Ｗ_ｍ間に下地面Ｗ_ｆが形成された被処理基板Ｗに対して表面処理を行うことにより、被処理基板Ｗの下地面Ｗ_ｆが親水化し、かつ凸状部Ｗ_ｍの表面が撥水化した状態となるようにする。次に、表面処理された被処理基板Ｗに対してリンス液を供給する。その後、被処理基板Ｗからリンス液を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなくパターンが形成されていない部分を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結洗浄する。パターン間隙内部およびパターン近傍については液体のＨＦＥが残留しているため、凝固対象液が凝固することにより生ずる力を受け流すことが可能となり、その力をパターンに直接伝えることがないため、パターンへのダメージを生ずることなくパターンが形成されていない基板表面Ｗｆ等の領域を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】フェイルセーフ機構等の作動により動作が停止した場合であっても、基板上の現像液を除去することが可能な現像装置およびこれを備える塗布現像処理システムを提供する。
【解決手段】開示される現像装置は、基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送される前記基板に現像液を供給する現像液供給部と、前記現像液供給部に対し、前記搬送機構により搬送される前記基板の搬送方向の下流側に設けられ、前記現像液が供給されて表面が前記現像液で覆われた前記基板が前記搬送機構により搬送される現像領域と、前記現像領域において、前記搬送機構が停止したときに前記現像領域に在る前記基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】現像液を供給するときの基板搬送速度と、現像液を除去するときの基板搬送速度とを制御し、レジストパターンを均一化するレジスト現像装置を提供する。
【解決手段】現像ユニット３０は、露光されたレジスト膜を有する基板Ｓを搬送する第１搬送機構、第１搬送機構で搬送される基板Ｓの表面に現像液を供給する供給ノズル５０を有する現像液供給部３０Ｂ、現像液で表面が覆われた基板Ｓを搬送する第２搬送機構を有する現像部３０Ｃ、気体を吐出して基板Ｓの表面を覆う現像液を吹き切るブローノズル５１、およびそれに向けて基板Ｓを搬送する第３搬送機構を有するブロー部３０Ｄ、現像液が吹き切られた基板Ｓの表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズル５３を有するリンス部３０Ｅ、第１搬送機構に搬送される基板Ｓの搬送速度、第３搬送機構に搬送される基板Ｓの搬送速度とが異なるように第１および第３の搬送機構を制御する制御部６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に供給される現像液の温度変動に起因した現像ムラ等が生じていた。
【解決手段】被処理基板６に現像液１１を供給して現像処理するレジスト現像装置１の構成として、恒温状態に制御された現像液を貯留する貯留部４と、被処理基板６を保持する保持部８と、貯留部４に貯留された現像液を流すための流路を形成するとともに、この流路に沿って流れた現像液を吐出する吐出部１４を有し、保持部８に保持された被処理基板６に向けて吐出部１４から現像液を吐出することにより、現像液を被処理基板６に供給する供給管５と、供給管５の吐出部１４から吐出する現像液が被処理基板６に到達しないように現像液を遮断する遮断部材２６と、現像液を遮断する遮断位置と前記現像液を遮断しない非遮断位置との間で遮断部材２６を移動させる移動手段（２７）とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に表面処理液を供給する際に基板と表面処理液との間に発生する気泡を消すことで、基板表面上の欠陥を低減する。
【解決手段】高撥水性のレジスト膜Ｒを形成したウェハＷの表面上に純水Ｐを供給する現像処理方法において、レジスト膜Ｒが形成されたウェハＷの周辺部の一箇所に純水Ｐを純水ノズル４０から供給して当該純水Ｐの液溜りＰａを形成し、その後、純水Ｐの供給を継続しながら純水ノズル４０をウェハＷの周辺部からウェハＷの中心部に移動させることで、ウェハの周辺部に形成された液溜りＰａをウェハＷの中心部に移動させる。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態を実現するために必要な圧力よりも低い圧力環境下で、基板Ｗに設けられたパターンを倒壊させることなく基板Ｗを乾燥できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理ユニット３０は、主に、乾燥処理チャンバ３１、二酸化炭素供給機構３２、第１窒素供給機構３３、液体窒素供給機構３４、第２窒素供給機構４４、及び排出機構３５を備える。置換液であるＩＰＡ液で覆われた基板Ｗが乾燥処理チャンバ３１内に保持された状態で、液体二酸化炭素が基板Ｗの表面を覆う。乾燥処理チャンバ３１内が、液体窒素供給機構３４により冷却されることで液体二酸化炭素は固体二酸化炭素へと凝固する。そして排出機構３５により、乾燥処理チャンバ３１内を大気圧に戻すとともに、第１窒素供給機構３３が気体窒素を供給することで昇温され、基板Ｗ表面の液体は昇華する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の面内位置によるパターン寸法の均一性向上およびパターン描画密度によるパターン寸法のバラツキを抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル２のスキャンを用いたパドル現像において、スリットノズル２の近傍に配置した複数のモニター装置３によって基板１の面内各所における現像液の現像進行度の情報を得て、この情報に基づきスリット内部が幾つかに区切られて各々流量制御ができるスリットノズル２を使用して、このスリットノズル２を吐出スキャンしながら面内各所における現像液吐出流量を制御して、面内の現像均一性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマディスプレイパネルを製造するために用いる縦形現像装置において、基板に塗布される現像液のムラを低減した現像装置および現像方法を提供することを目的としている。
【解決手段】現像液を噴霧する現像室１７と、基板２２を洗浄する洗浄室１９と、現像室に現像液を供給する現像液供給系統と、予め感光性材料が配され所定のパターンに露光照射処理を施された基板２２を現像室１７から次の洗浄室１９に搬送する搬送ベルト２１とを備えた現像装置において、現像室１７から洗浄室１９にて基板表裏全体が水洗いされ、基板２２に付着した現像液や現像時に剥離した樹脂成分等を基板表面から洗い流しており、搬送方向に配列するｎ個のエアカット１８ａ・・・１８ｎのノズル幅をＷ１＞Ｗ２・・・＞Ｗｎにして、基板２２の現像液を除去する構成である。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の乾燥に利用される高温高圧流体の消費量が少ない基板処理装置等を提供する。
【解決手段】第１の原料収容部４１では加熱機構４２により液体状態の原料を高温高圧流体状態とし、原料供給路４１１の供給用バルブ４１２を開いて処理容器３１に当該高温高圧流体を供給し、この高温高圧流体による被処理基板Ｗの乾燥を行う。第２の原料収容部４１は、第２の冷却機構４３ａ、４３ｂにより前記原料の凝縮温度以下に冷却されることにより、回収用バルブ４１２を開き、原料回収路処理容器３１内の高温高圧流体を当該第２の原料収容部４１に回収する。回収された原料は第１の原料収容部４１から処理容器３１に供給される原料として再利用される。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基を有する繰り返し単位を含み、アルカリ現像液に難溶の高分子化合物と、光酸発生剤と、アミノ基を発生する光塩基発生剤と、アミノ基を有し、光酸発生剤より発生する酸を中和することによって不活性化させるクエンチャーと、有機溶媒とを含むレジスト材料を基板上に塗布、ベークし、透過率が８０％以上の高透明な位相シフトマスクを用いて露光、ベーク、現像の工程を経て、露光量の少ない未露光部分と露光量の多い過露光部分の膜を現像液に溶解させず、露光量が中間の露光領域を現像液に溶解させたパターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、クエンチャーと光塩基発生剤基からのアミノ基の総量が光酸発生剤からの酸の量よりも多い組成のレジスト材料を用いると、未露光部と過露光部がアルカリ現像液に不溶で、中間の露光量部分だけ現像液に溶解するデュアルトーンの特性を有することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク石英基板の現像においてパターン線幅の面内均一性を改善する手段として、現像液の液盛りを形成した初期工程で液の攪拌を行うものであり、円形状の液盛りを保持しながら、スピンチャックが回転する現像装置及びそれを用いた現像方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク石英基板のスピンチャックに円形状ガイドを有し、独立して昇降する基板保持プレートとスピンチャックが回転する構造を特徴とし、現像液の液盛りを円形状ガイド上に形成させた後、パドル状態を維持したままスピンチャックが基板を保持して、回転と停止を繰り返す動作を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の処理を行う処理部を複数備えた基板処理装置において、複数の基板処理を効率よく行う。
【解決手段】現像装置３０は、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２１０と、ウェハＷの側方を囲むように設けられたカップ体２２０とを備えた処理部１３０と、ウェハＷ上に第１の現像液を吐出する第１の現像液ノズル１５１と、ウェハＷ上に第２の現像液を吐出する第２の現像液ノズル１５２と、第１の現像液ノズル１５１と第２の現像液ノズル１５２を共に支持する共有アーム１５０とを有している。第１の現像液ノズル１６１から斜め下方に吐出される第１の現像液の吐出方向と第２の現像液ノズル１６２から斜め下方に吐出される第２の現像液の吐出方向は、平面視において、それぞれウェハＷの回転方向と同一方向である。 （もっと読む）

【課題】樹脂膜を形成する際、一定の厚さの樹脂膜が安定的に形成される方法、さらに、この樹脂膜を用いて精度の高いパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板に樹脂膜を形成するとき、まず、無機組成物を主成分とする基板と、前記基板に形成しようとする樹脂膜との間を化学結合させる中間層を前記基板に形成する。この後、基板に対して、前記基板の縁部に形成された前記中間層の縁領域の除去処理を行う。この後、除去処理の行われた基板に樹脂膜をスピンコートし、樹脂膜を基板と化学結合させて硬化させる。最後に、硬化した前記樹脂膜に振動を与えることにより、基板の縁部に形成された樹脂膜を除去する。この樹脂膜を用いて精度の高いパターンを形成する。 （もっと読む）