【課題】ダイボンディングフィルムによって接着された半導体チップを有する半導体装置の製造において、得られる半導体装置の吸湿リフロー耐性を改善すること。
【解決手段】半導体チップ１０を、支持部材５及び／又は他の半導体チップ１０に、ダイボンディングフィルム２を介して熱圧着する工程と、ダイボンディングフィルム２を０．２〜０．５ＭＰａの加圧雰囲気７０下で加熱し、ダイボンディングフィルムの硬化を進行させる工程と、半導体チップ１０を封止樹脂により封止する工程と、をこの順に備え、半導体チップを熱圧着する工程においてダイボンディングフィルム２が到達する温度におけるダイボンディングフィルム２の溶融粘度が２００００〜１０００００Ｐａ・ｓであり、１００〜１２０℃におけるダイボンディングフィルム２のずり粘度が５０００Ｐａ・ｓ以下である、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接着シートごとダイシングして接着シートが貼着された半導体チップを形成することができ、接着シートの熱応力緩和機能を確保しつつ半導体チップの実装信頼性の低下を抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ（７０）の一面（７２）に接着シート（５０）を貼着した状態で、接着シート（５０）ごと半導体ウェハ（７０）をダイシングすることにより、接着シート（５０）が貼着された半導体チップ（４０）を形成するダイシング工程と、貼着された接着シート（５０）により、半導体チップ（４０）を支持部材（３０）の一面に接着固定する固定工程を備える。そして、接着シート（５０）として、空隙（５１ａ）の形成された多孔質層（５１）を少なくとも有するとともに、空隙（５１ａ）の直径が、水蒸気の粒子径よりも大きく、ダイシング時に供給される切削水（Ｗ１）の粒子径よりも小さいものを用いる。 （もっと読む）