【課題】半導体素子を基板側に向かって加圧しつつリフローはんだ付けを行うはんだ付け装置において、ワイヤボンディングの接合強度の低下を防止する。
【解決手段】重り１２により半導体素子２を基板１側に向かって加圧しつつリフローはんだ付けを行うはんだ付け装置において、重り１２における半導体素子２に接触する加圧接触面１２ａを鏡面仕上げする。これによると、リフローはんだ付け工程で半導体素子２におけるワイヤボンディング実施面２ａに傷が付くことを防止することができ、ひいてはワイヤボンディングの接合強度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップを搭載するダイパッドと、ダイパッド上に半導体装置に接着するためのダイボンド材と、ダイパッドの周縁部に形成された溝構造と、溝構造に連結され、半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材を溜める液溜まり構造と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、金属材料の溶融温度が２６０℃以上であり、鉛及び金を主成分とした金属合金を代替する接合材料として、被接合部に物理蒸着法により形成されるＳｎと、前記Ｓｎより高融点を有する金属材料とからなる接合層を、他方の被接合部に接合することにより、３００℃以上４５０℃以下の温度範囲において、良好な接合状態が確保でき、かつ高い高温強度を維持することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いたＦＥＴを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたＦＥＴが形成されたチップ３０と、前記チップがＡｇペースト２２を用い搭載されたベース１２と、前記チップ３０を封止するガラス転移温度が１９０℃以上の樹脂２０と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率で放熱特性に優れ、接着性が良好で耐湿試験後の信頼性に優れた熱伝導性接着剤組成物並びにそれを用いた接着用シート及び熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂と反応性の官能基をポリマー骨格に有するポリマー、(B)１分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するエポキシ樹脂、及び(C)特定の平均組成式で表される数平均分子量500〜10000のシリコーン化合物で表面処理をした熱伝導率が10W/mK以上の無機充填剤、を含む熱伝導性接着剤組成物；基材と、該基材上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた接着用シート；基材とその上に設けられた粘着剤層とを有するダイシングフィルムと、該ダイシングフィルムの粘着剤層上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルム。 （もっと読む）

【課題】吸着ツールに対する半導体チップの位置ずれを補正して被搭載体に搭載可能となり、被搭載体に対する半導体チップの位置精度の向上が図れる半導体装置の製造方法、および、製造装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２を吸着ツール１２で吸着する工程と、吸着ツールに吸着された半導体チップの裏面から赤外線カメラ１３で赤外線画像を撮影することにより半導体チップの表面にあるアライメントマークの位置を検出する工程と、赤外線カメラによって検出されたアライメントマークの位置に基づいて吸着ツールに対する半導体チップの位置ズレを補正して半導体チップを被搭載体３に搭載する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
はんだ接合部中のボイド、界面の接合不良を低減可能なダイボンダ、及びこれを用いたダイボンドプロセスを提供する。
【解決手段】
リードフレーム、又は基板に半導体チップをはんだで接合するダイボンダにおいて、上記リードフレーム、又は基板を搬送する搬送部と、上記リードフレーム、又は基板上にはんだを供給するはんだ供給部と、上記リードフレーム、又は基板上のはんだに半導体チップを搭載、接合する搭載部を備え、上記はんだを上記リードフレーム、又は基板上に供給した後に、炉内で溶融しているはんだ表面の酸化膜を除去する表面清浄化ユニットを有することを特徴とするダイボンダ設備により、ダイボンド品質を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低弾性率で、かつ高密着性の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物、及び耐半田クラック性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、(A)数平均分子量500以上30000以下、分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体、(B)エチレン性不飽和基を有する重合性モノマー、(C)ラジカル重合触媒、(D)特定のジスルフィド化合物及び(E)充填剤を含有する。半導体装置は、そのような組成物により半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなる。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時のチップ飛びを防止できる程度に十分な粘着力を維持しながら、ピックアップ時にはチップを容易に剥離することができ、ブリードアウトによる接着剤層の汚染も抑制する。
【解決手段】粘着テープ１２は、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂが形成された粘着テープである。粘着テープ１２では、粘着剤層１２ｂの成分として、アクリル系共重合体化合物のイソシアネート基と反応しうる官能基に対し、１官能イソシアネート化合物を５〜１００％相当の官能基比率で含有されている。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】粘接着剤層を精度よくダイシングでき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを備える。ダイシング時に、ダイシング層５の外周部分に環状のダイシングリング２６が貼り付けられる。ダイシング層５の径は基材層４の径よりも大きい。ダイシングリングの内径をＸとしたときに、ダイシング層５の径が１Ｘを超え、基材層４の径が０．９１Ｘ以上である。本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットは、ダイシング−ダイボンディングテープ１とダイシングリング２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】生産能力が高く、コストが安価なダイボンダ及びダイボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイをピックアップするウェハ供給部と、前記ダイを所定の温度に加熱したダイボンディング部と、前記ウェハ供給部と前記ダイボンディング部とを所定の経路で往復し、前記ダイを吸着し前記ダイボンディング部に載置された基板に圧着するコレットとを備えたボンディングヘッドと、装置全体の動作を制御する制御部とを有するダイボンダにおいて、前記制御部は、前記ボンディングヘッドが前記ダイを前記基板に圧着後、前記所定の経路を通って前記所定の経路上の所定の第１の位置まで移動する間、前記コレットを所定の吸着流量で空吸着するダイボンダ及びダイボンディング方法。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程時における基材の変形に伴う接着剤層の収縮を抑制することができる接着剤層を有するダイシング・ダイボンディングシートを提供する。
【解決手段】基材上１に接着剤層２が積層されたダイシング・ダイボンディングシート１０であって、前記接着剤層は、硬化前の状態において、８０℃における貯蔵弾性率が５００００〜５００００００Ｐａであり、かつ、８０℃環境下の２０％捻り応力付加の１２０秒後における応力緩和率が３０〜９０％である。 （もっと読む）

【課題】印刷法で平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を付設でき、接着性に優れる接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 レベリング作用を有する表面調整剤を含む接着剤組成物を用いて、半導体ウエハの表面に、平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を印刷法により付設したことを特徴とする接着剤付きウエハ。 （もっと読む）

【課題】ダイボンダにおいて一度エキスパンドした後、エキスパンドを解除してもチップ同士が接触しないようにする。
【解決手段】分断予定ラインが形成された半導体ウエーハが貼着された粘着シートがフレームにマウントされたワークを固定するフレーム固定手段と、固定されたワークの粘着シートを下から押し上げてエキスパンドし、前記半導体ウエーハを個々のチップに分割する突上げ用リングと、前記エキスパンドされた粘着シートの下側から前記個々のチップを突き上げるチップ突き上げピンと、前記突き上げられたチップをピックアップするコレットと、前記粘着シートを介して前記突上げ用リングと突き合わされて前記粘着シートをかしめるリング状の隔壁と、前記隔壁と前記突上げ用リングによってかしめられた前記隔壁の周囲の前記粘着シートを選択的に加熱する選択的加熱装置とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 短時間で、かつ高温を要しない熱硬化処理であっても被着体に対して十分な接着力を得られると共に、作製後も粘度の上昇を抑制可能な接着フィルム、及び当該接着フィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の接着フィルムは、カルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位を含む熱可塑性成分と、エポキシ樹脂とを含む接着剤組成物により構成されており、上記熱可塑性成分におけるカルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位の含有率が１．５ｍｏｌ％以上１１ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）