【課題】簡単な方法で調整できる半導体チップの実装装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１２を実装するための装置は、ダイレクト・モードおよびパラレル・モードで作動し、ダイレクト・モードでは、キャリッジ６が第１の位置にあり、制御ユニット９は、接合ヘッド５が半導体チップ１２をウェーハ・テーブル１から基板２へ設置するようピック・アンド・プレース・システム４を作動させる。パラレル・モードでは、キャリッジ６が第２の位置にあり、制御ユニット９は、採取ヘッド７、サポート・テーブル８およびピック・アンド・プレース・システム４を、採取ヘッド７が半導体チップ１２をウェーハ・テーブル１からサポート・テーブル８へ設置する、および、接合ヘッド５が半導体チップ１２をサポート・テーブル８から基板２へ設置する方法で、作動させる。 （もっと読む）

【課題】作業ヘッドごとに別個の駆動源を設ける必要がないとともに、互いに異なる作業を行う複数の作業ヘッドの付け替え作業時の負担を軽減することが可能な基板作業装置を提供する。
【解決手段】この基板作業装置１００は、基板に対して液状材の塗布作業を行うディスペンスヘッド１０、および、基板に対して実装作業を行うマウントヘッド２０を選択的に付け替え可能なヘッド装着部３１と、ディスペンスヘッド１０およびマウントヘッド２０に共通に用いられ、ヘッド装着部３１にディスペンスヘッド１０が装着された場合には液状材が塗布されるようにディスペンスヘッド１０を駆動し、ヘッド装着部３１にマウントヘッド２０が装着された場合にはマウントヘッド２０を駆動するＲ軸モータ３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】導電箔とその保護膜が形成された絶縁基材に対して平行に半導体チップを固着し、熱膨張による応力を起因とした半導体装置の損傷の防止を図る。
【解決手段】絶縁基材１１の表面上に導電箔１２が配置され、導電箔１２を覆って、その一部を露出する複数の第１の開口部１７Ａ、及び複数の第２の開口部１７Ｂを有する保護膜１７が配置されている。各第１の開口部１７Ａで露出する導電箔１２の表面上に導電突起体１４が配置される。表面に複数のパッド電極１２を有した半導体チップ２０は、その裏面が複数の導電突起体１４と対向するように、ダイボンドペースト１５を介して保護膜１７上に固着される。各第２の開口部１７Ｂで露出する導電箔１２は、それぞれボンディングワイヤを介してパッド電極２１と接続される。絶縁基材１１の表面上の半導体チップ２０等は、封止材１６に覆われて封止される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップを搭載するダイパッドと、ダイパッド上に半導体装置に接着するためのダイボンド材と、ダイパッドの周縁部に形成された溝構造と、溝構造に連結され、半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材を溜める液溜まり構造と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を基板側に向かって加圧しつつリフローはんだ付けを行うはんだ付け装置において、ワイヤボンディングの接合強度の低下を防止する。
【解決手段】重り１２により半導体素子２を基板１側に向かって加圧しつつリフローはんだ付けを行うはんだ付け装置において、重り１２における半導体素子２に接触する加圧接触面１２ａを鏡面仕上げする。これによると、リフローはんだ付け工程で半導体素子２におけるワイヤボンディング実施面２ａに傷が付くことを防止することができ、ひいてはワイヤボンディングの接合強度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を安定した姿勢で保持できるようにする。
【解決手段】半導体素子の側面に突き当たる第１面と、前記半導体素子の前記側面と対向する対向面の稜線に突き当たる第２面と、前記側面が前記第１面に突き当たり、且つ、前記稜線が前記第２面に突き当たった状態に前記半導体素子が保持されるように、当該半導体素子に対して吸引力を作用させる吸引部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル又は接着剤によって隣接する回路素子を汚染することなく、隣接する回路素子を物理的にできる限り近づけて配置できるようにするエレクトロニクスアセンブリを製造するための方法を提供する。
【解決手段】基板１２上に液体障壁３０を形成することと、液体障壁の一方の側に第１の回路素子２２を配置することと、液体障壁の反対側に第２の回路素子２４を配置する。液体４４が第１の回路素子に塗布される。第１の回路素子と第２の回路素子との間の間隔を最小にすることができるように、液体障壁を用いて、第１の回路素子に塗布された液体が第２の回路素子を汚染するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】吸着ツールに対する半導体チップの位置ずれを補正して被搭載体に搭載可能となり、被搭載体に対する半導体チップの位置精度の向上が図れる半導体装置の製造方法、および、製造装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２を吸着ツール１２で吸着する工程と、吸着ツールに吸着された半導体チップの裏面から赤外線カメラ１３で赤外線画像を撮影することにより半導体チップの表面にあるアライメントマークの位置を検出する工程と、赤外線カメラによって検出されたアライメントマークの位置に基づいて吸着ツールに対する半導体チップの位置ズレを補正して半導体チップを被搭載体３に搭載する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料の耐酸化性と接合性とを両立するとともに、当該焼結性接合材料を用いて作製した半導体装置等の接合部におけるイオンマイグレーションを抑制する。
【解決手段】粒径1000nm以下の銅ナノ粒子を含む液又はペーストであって、銅ナノ粒子の個数基準の粒径分布の粒径ピークは、粒径が1〜35nmの区間、及び、粒径が35nmより大きく1000nm以下の区間にそれぞれ一つ以上あり、銅ナノ粒子は、単一粒子１５５（一次粒子）と、単一粒子１５５の融合体１５６である二次粒子とを含む焼結性接合材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板デザインに依存せず、ボイドのない半導体装置が簡便に製造できる接着剤を提供することにある。
【解決手段】本発明にかかる接着剤は、チップと配線基板とを未硬化の接着剤を介してダイボンドし、前記チップがダイボンドされた配線基板を加熱し、前記未硬化の接着剤を硬化させて半導体装置を製造するときに、前記硬化が完了する前に、前記チップがダイボンドされた配線基板を、下記式（１）で表される埋め込み指数αが７５Ｋ^-1以下となる条件で、静圧により加圧するとともに加熱する静圧加圧工程とを含む半導体装置の製造方法に用いられる前記接着剤であって、１２０℃における弾性率Ｇが３００００Ｐａ以下であることを特徴とする。
α＝［Ｇ／（Ｐ×Ｔ）］×１０⁶ （１）
（式中、Ｐは常圧に対する圧力（Ｐａ）を示し、Ｔは加熱温度（Ｋ）を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、チップに工程数が増加し、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与する。
【解決手段】チップ用樹脂膜形成用組成物は、金属化合物の表面を有機化合物により修飾してなるゲッタリング剤（Ａ）および硬化性成分（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜個片の接合面の汚染および薄膜個片の支持層からの脱離を抑制すること。
【解決手段】複数の薄膜個片１０ａ〜１０ｄの上面上にそれぞれ支持層２０を形成する工程と、第１基板５０の下面に設けられた仮固定層４０が前記複数の薄膜個片の上面および側面の少なくとも一部に接するように前記複数の薄膜個片を前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程と、前記複数の薄膜個片の下面を第２基板６０に接合する工程と、前記支持層および前記仮固定層の少なくとも一方を除去することにより、前記第１基板を前記複数の薄膜個片から剥離する工程と、を含む薄膜個片の接合方法。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時のチップ飛びを防止できる程度に十分な粘着力を維持しながら、ピックアップ時にはチップを容易に剥離することができ、ブリードアウトによる接着剤層の汚染も抑制する。
【解決手段】粘着テープ１２は、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂが形成された粘着テープである。粘着テープ１２では、粘着剤層１２ｂの成分として、アクリル系共重合体化合物のイソシアネート基と反応しうる官能基に対し、１官能イソシアネート化合物を５〜１００％相当の官能基比率で含有されている。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】 発光面となる前面側がチップ基板上から浮き上がることなくハンダによって電気的接合することができると共に、ある一定の傾きを有した状態でも安定して電気的接合を図ることのできるＬＥＤチップを提供することである。
【解決手段】 前面１２ａが発光面、背面１２ｂが電極面となるＰＮ接合構造による発光本体１２と、前記背面１２ｂにＰ層及びＮ層の一部が露出する一対のチップ電極１３ａ，１３ｂとを備え、前記前面１２ａ及び背面１２ｂと直交する一側面を載置面１２ｃとして、電極パターンが形成されたチップ基板上に載置されるＬＥＤチップ１１において、前記背面１２ｂ側の一部に、前記載置面１２ｃの一端から延長する底面部１４ａを有して突出する実装支持部材１４を設けた。 （もっと読む）

【課題】単一の搬送レーンと単一のボンディングヘッドを有する、又は複数の搬送レーンと複数のボンディングヘッドを有するダイボンダにおいて、ウェハを取り外すことなくウェハのグレード処理ができるダイボンダ又はボンディング方法を提供する。
【解決手段】電気的特性の異なるダイＤを複数のグレード毎に分類した分類ダイＤ１、Ｄ２の分類マップを作成し、ウェハ１１からダイＤをピックアップし、ボンディングヘッド４１で基板Ｐ又はダイＤ上にボンディングし、搬送レーン５１によって分類ダイＤ１、Ｄ２に対応した分類基板Ｐ１、Ｐ２の単位で搬送し、単一の搬送レーン５１と単一のボンディングヘッド４１を有する、又は複数の搬送レーン５１と複数のボンディングヘッド４１を有するダイボンダ１０またボンディング方法であって、前記分類マップに基づいて、分類ダイＤ１、Ｄ２を対応する分類基板Ｐ１、Ｐ２にボンディング可能なように分類制御する。 （もっと読む）