【課題】導電箔とその保護膜が形成された絶縁基材に対して平行に半導体チップを固着し、熱膨張による応力を起因とした半導体装置の損傷の防止を図る。
【解決手段】絶縁基材１１の表面上に導電箔１２が配置され、導電箔１２を覆って、その一部を露出する複数の第１の開口部１７Ａ、及び複数の第２の開口部１７Ｂを有する保護膜１７が配置されている。各第１の開口部１７Ａで露出する導電箔１２の表面上に導電突起体１４が配置される。表面に複数のパッド電極１２を有した半導体チップ２０は、その裏面が複数の導電突起体１４と対向するように、ダイボンドペースト１５を介して保護膜１７上に固着される。各第２の開口部１７Ｂで露出する導電箔１２は、それぞれボンディングワイヤを介してパッド電極２１と接続される。絶縁基材１１の表面上の半導体チップ２０等は、封止材１６に覆われて封止される。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル又は接着剤によって隣接する回路素子を汚染することなく、隣接する回路素子を物理的にできる限り近づけて配置できるようにするエレクトロニクスアセンブリを製造するための方法を提供する。
【解決手段】基板１２上に液体障壁３０を形成することと、液体障壁の一方の側に第１の回路素子２２を配置することと、液体障壁の反対側に第２の回路素子２４を配置する。液体４４が第１の回路素子に塗布される。第１の回路素子と第２の回路素子との間の間隔を最小にすることができるように、液体障壁を用いて、第１の回路素子に塗布された液体が第２の回路素子を汚染するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】外部振動や機械的衝撃に対して高い信頼性を確保した水晶発振器や表面弾性波デバイスを他の電子デバイスとともに搭載した電子モジュールを提供する。
【解決手段】複数の電子デバイス３ａ,３ｂ、４ａ,４ｂ、５ａ,５ｂの端子部を支持基板１とは反対側の面である上面に露出させて同一平面となるように配置した状態で樹脂６を用いて埋設し、各電子デバイスの露出面にある各電子部品の接続電極あるいは接続端子と接続する配線／回路パターン８を形成する。配線／回路パターン８の一部に設けた外部接続端子を半田ボール９を用いて実装機器のマザーボードに実装する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性を確保しつつ、はんだの厚さを制御可能な電子装置の製造方法及び電子装置を提供する。
【解決手段】金属板９上にはんだ５，１１を介して基板７を配置し、基板上にはんだ５を介して電子部品３，７を配置しはんだ５、１１をリフロー加熱してはんだ付けする電子装置１の製造方法において、はんだ５，１１の外周部に、絶縁性樹脂からなり、リフロー加熱時に溶融してはんだと密接するスペーサ２１，２２を配置し、リフロー加熱後に電子部品３，基板７を封止樹脂１５で樹脂封止する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ内における半導体素子の位置ずれを抑制することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置１０は、凸部２３が形成されたパッケージ基板１１、導電性の接着剤２５、およびパッケージ基板１１上に実装された半導体素子１４、を具備する。パッケージ基板１１は、少なくとも２箇所に凸部２３が形成された基板である。導電性の接着剤２５は、凸部２３を含むパッケージ基板１１上に形成される。パッケージ基板１１上に実装される半導体素子１４は、各凸部２３に係合する複数のバイアホール２４を有している。さらに、半導体素子１４は、少なくとも２箇所のバイアホール２４が、各凸部２３に接着剤２５を介して係合するようにパッケージ基板１１上に実装される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のオン状態における素子全体にわたる抵抗成分のうち、半導体基板に起因する抵抗成分を低減することができ且つ半導体基板の裏面側からの放熱効果を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された第１の主面と、該第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有する半導体基板と、該半導体基板の第２の主面に固着されたリードフレーム１１４とを備えている。第２の主面を構成するコレクタ層８には、少なくとも１つの凹部８ａが形成されている。リードフレーム１１４における第２の主面と固着される面には、コレクタ層８に形成された各凹部８ａと嵌合する凸部１１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとダイパッドの接合に用いる接着剤が必要以上に半導体チップの外側にはみ出してしまうことを抑制する。
【解決手段】図１に示すように本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０と接合させるダイパッド１０４を有するリードフレーム１００と、半導体チップ１２０とダイパッド１０４を接合する接着剤１３０と、を含む。本実施の形態において、ダイパッド１０４は、半導体チップ１２０の裏面の面積より開口面積が小さい凹部１０８を有している。凹部１０８には、接着剤１３０が充填されていない中空部１０６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】耐久信頼性及び熱特性を一定以上に確保することが可能な回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】導電層を有する絶縁基板と回路素子とを備え、前記絶縁基板の前記導電層と前記回路素子とがはんだにより接合される回路基板の製造方法であって、前記はんだで構成されるはんだシートに、前記絶縁基板の前記導電層と前記回路素子との間隔を規制する規制部材を配設する配設工程（ステップＳＴ１）と、前記絶縁基板、前記規制部材が配設された前記はんだシート、及び前記回路素子を、その順番で積層する積層工程（ステップＳＴ２）と、積層されている前記絶縁基板、前記はんだシート及び前記回路素子を、還元雰囲気下において加熱して前記はんだシートを溶融することによって、前記絶縁基板と前記回路素子とを接合する接合工程（ステップＳＴ３）と、を含む回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】後工程でのリフロー処理においてダイボンドはんだ２０が溶融したときに、溶融したダイボンドはんだ２０がダイパッド１２とダイ１１の間から流失するのを阻止し、ダイ１１とダイパッド１２との間にボイドが形成されるのを回避して、高い接合安定性を備えた回路装置を得る。
【解決手段】ダイパッド１２に載置するダイ１１の周囲を囲むようにしてダム材２を形成する。ダム材２で囲われた内側領域内の全面を満たすようにダイボンドはんだ２０を充填する。それにより、リフロー工程で、ダイボンドはんだ２０が溶融しても溶融したダイボンドはんだ２０はダム材２で囲われた内側領域内に留まっていることができ、流失することはない。それにより、ダイ１１とダイパッド１２との間にボイドが形成されるのは回避される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ／絶縁基板間の接合層に熱劣化が原因で亀裂が発生するのを抑制し、併せて伝熱性を向上させて長期信頼性の向上が図れる接合構造を提供する。
【解決手段】絶縁基板の回路パターン２ｂの上に鉛フリー半田を適用して半導体チップ３を半田マウントした半導体装置において、半導体チップ／回路パターン間の半田接合面を半導体チップの中央部下に対応する中央面域と該中央面域を囲む外周面域とに分け、かつ回路パターンには前記中央面域に対応して台形状の凸部２ｂ−１を形成した上で、半導体チップ／回路パターン間をリフロー半田付けする。これにより、半導体チップ３の中央部下の半田接合層５は厚さが薄く、該部における伝熱抵抗も小さくなって熱劣化，亀裂発生を抑制でき、また熱膨張係数差に起因する剪断応力が集中する外周部では厚い半田層が応力を吸収緩和し、その結果としてパワーサイクル耐性，長期信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】はみ出した接合材の量が多くてもフレームのボンディング部に接合材が到達するのを防ぐことができる半導体装置を得る。
【解決手段】フレーム１０は、接合部１０ａとボンディング部１０ｂを有する。半導体チップ１２は、フレーム１０の接合部１０ａに接合材２０により接合されている。フレーム１０のボンディング部１０ｂと半導体チップ１２は金線１４により接続されている。そして、ボンディング部１０ｂは接合部１０ａよりも突出している。 （もっと読む）

【課題】一種のモールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージは、主に1つの基板、基板に貼り付ける一主面を有する1つのチップ、チップと基板の基板コア層とを接着する1つのダイアタッチング層、複数のボンディングワイヤ及び1つのモールド封止体を含む。基板のスロットの一端にチップ寸法を超える1つのモールド流入口を形成し、二個、または、これより多いモールド流れ障害物は、基板コア層上に付着してダイアタッチング区域の一縁部とスロットの両側縁との交差部位に位置し、更に、モールド流入口の両側に僅かに突出するためモールド流れによる衝撃はダイアタッチング層に加える応力を抵抗してモールド流入口に剥離現象の発生を避けると共に、ダイアタッチング間隙を維持することも可能である。 （もっと読む）

【課題】機能素子の可動部分を配置した空間の気密性の低下を抑制しつつ、小型化を実現できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面１０ａに凹部１５が形成され、その凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００を備える変位検出用半導体チップ１０と、変位検出用半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置されたダイアタッチ材を含む結合部２０と、可動部分の変位を検出した機能素子１００が出力する検出信号を処理する処理回路３００を有し、空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って結合部２０上に配置された信号処理用半導体チップ３０とを備え、結合部２０によって凹部１５が気密封止されている。 （もっと読む）

【課題】上段側半導体素子の一部が下段側半導体素子の外周より外側に突出する積層構造において、素子間隔が狭い積層構造を実現しつつ、上段側半導体素子の載置時や接着剤の硬化処理時におけるチップシフトを抑制する。
【解決手段】配線基板２上に搭載された第１の半導体素子５上に、低回転時粘度μ_0.5rpm）が１０〜１５０Ｐａ・ｓの範囲であると共に、高回転時粘度μ_5rpmに対する低回転時粘度μ_0.5rpmの比で表されるチキソ比（μ_0.5rpm／μ_5rpm）が２以上の接着剤を介して、第１の半導体素子５の外周より外側に突出した部分を備える第２の半導体素子９を配置する。第２の半導体素子９の突出部分９ａと配線基板２との間の中空部に接着剤を充填しつつ、第２の半導体素子９を第１の半導体素子５上に接着する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の発熱を効率良く放熱することができると共に、半導体装置の発熱を抑制することができる半導体装置、半導体モジュール、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の貫通孔１４が形成された半導体素子１１と、前記第１の貫通孔１４に対応した位置に第２の貫通孔１５が形成され、半導体素子１１に接する放熱板１３と、第１の貫通孔１４及び第２の貫通孔１５を貫通する突起部１７が形成され、突起部１７は、絶縁層１８を介し、第１の貫通孔１４及び第２の貫通孔１５の順に嵌合される電極板１２とを有する半導体装置１０、及び第１の絶縁部材５１と第２の絶縁部材５２とを介して半導体装置１０と接する第１の冷却器５３と第２の冷却器５４を有する半導体モジュール５０、並びにこれらの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化・薄型化を低コストに実現し、かつ信頼性を確保した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１と、有機基板２と、有機基板２に設けた突起ダムテープ３と、半導体素子１と突起ダムテープ３の間に設けた凹部４と、半導体素子１と有機基板２を接着して固定するペースト５と、半導体素子１と有機基板２を電気的に接続する金属細線６と、半導体素子１と金属細線６の領域を囲って封止する封止絶縁材料７と、有機基板２の半導体素子１を搭載していない反対面に付設する金属端子８から構成される。 （もっと読む）

【課題】 電子素子と基板との電気的な接続の信頼性が高く、歩留まりを向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１および第２電極１５ａ，１５ｂを備える半導体チップ１１と、第１および第２電極１５ａ，１５ｂにそれぞれ個別に臨んで設けられる第１および第２接続部１７ａ，１７ｂを備えるサブストレート基板１２と、ろう材から成り、第１および第２電極１５ａ，１５ｂおよびこの第１および第２電極１５ａ，１５ｂに臨む第１および第２接続部１７ａ，１７ｂとそれぞれ接続して、半導体チップ１１をサブストレート基板１２に固定する第１および第２接続固定部１３ａ，１３ｂと、電気絶縁性を有し、サブストレート基板１２の表面部うち相互に隣接する第１および第２接続固定部１３ａ，１３ｂの間の部分から半導体チップ１１に向かって立設し、第１および第２接続固定部１３ａ，１３ｂの間に設けられる１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上の厚膜導体の上に、シリコン半導体よりなる半導体チップをはんだダイボンドにより、接続するようにした半導体チップの実装方法において、はんだ濡れ性を確保しつつ、厚膜導体のはんだ食われを極力防止する。
【解決手段】厚膜導体１１の表面に、当該表面側から、活性金属よりなり厚膜導体１１が溶融したはんだ３０に溶け出すのを防止する溶出防止膜１１ａ、この溶出防止膜１１ａよりも溶融したはんだ３０に溶け出しやすく当該溶融したはんだ３０に犠牲的に溶け出す犠牲膜１１ｂ、厚膜導体１１よりもはんだ３０の濡れ性に優れ当該濡れ性を確保する濡れ性向上膜１１ｃを順次、積層し、その後、はんだ３０を介した半導体チップ２０の搭載、および、はんだ３０による接続を行う。 （もっと読む）

【課題】はんだ接続部においてはんだの良好な濡れ性を確保して放熱性の低下を防止して光素子等の電子部品の特性を向上させた電子部品搭載方法を提供する。
【解決手段】電子部品１が搭載される基板４の主面側の、前記電子部品が搭載される領域の少なくとも一部に第１の導体層５を形成する工程と、該第１の導体層の少なくとも一部にはんだ６を形成する工程と、前記基板の主面側における電子部品が搭載される領域内において、前記はんだ以外の第１の導体層上あるいは前記基板の主面上に、突起物７を形成する工程と、該突起物で前記電子部品を支えた状態で前記はんだを溶融させて前記電子部品を前記基板の主面側の第１の導体層に接続して搭載する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超音波ボンディング時のワイヤーの接合不良およびセンサの破損を防ぐとともに、耐衝撃性に優れた物理量検出装置を提供する。
【解決手段】物理量検出装置２０は基板７上に搭載されたセンサ部１９を備える。センサ部１９は、錘部１が一対の梁部２を介して枠部３と接合し、枠部３の開口部に懸架される。また下蓋４が枠部３の下部と接合する。枠部３の上部にはパッド電極５が設けられ、基板７上に設けられた基板電極８と接続ワイヤー６を介して電気的に接続する。さらにセンサ部１９は、支持部材９により下蓋４の下側から基板７上で支持される。支持部材９はセンサ部１９または基板７のいずれか一方に固着された状態で、センサ部１９を基板７上で支持する。支持部材９に支持されたセンサ部１９は、弾性接着剤１０により基板７に対して固着されている。支持部材９は弾性接着剤１０より硬度の高い部材により構成される。 （もっと読む）