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Fターム[5F047BA00]の内容

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【課題】保存時及び使用時に手間がかからず、取り扱いが容易で、接合時にボイドが発生するのを低減することができる接続シートを提供する。
【解決手段】本発明の接続シート1は、半導体素子17と基板16とを接続するための接続シート1であって、金属ペーストをシート状に形成した接合層2と、接合層2の一方の面側に設けられ、接合層2を保護する第一の保護フィルム4とを有し、接合層2は、金属微粒子と有機分散剤とを含み、加熱することにより、有機分散剤が除去され、金属微粒子同士が互いに結合することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは400nm以上5μm以下であり、前記酸化銀の層の最表面は1μmより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 (もっと読む)


【課題】 1の半導体チップから放出される電磁波が、同一パッケージ内にある他の半導体チップ、実装されている基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減すること。
【解決手段】 接着剤層と、電磁波シールド層とを有する半導体装置用接着フィルムであって、半導体装置用接着フィルムを透過した電磁波の減衰量が、50MHz〜20GHzの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、3dB以上である半導体装置用接着フィルム。 (もっと読む)


【課題】製造が単純化され、熱放散および電気絶縁が最適化され、それと同時に通電容量が増大するように、上述したタイプのパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】基板102と、少なくとも1つのパワー半導体デバイス104と、少なくとも1つのリードフレーム要素106とを有するパワー半導体モジュールに関する。さらに、このようなパワー半導体モジュール100の製造方法。少なくとも1つの第1のリードフレーム要素とパワー半導体デバイスとの間の接合と、第1のリードフレーム要素と基板との間の接合は、焼結金属接合110、好ましくは焼結銀接合を備えている。 (もっと読む)


【課題】低温加圧焼結接合時に空洞の形成あるいはそのサイズを低減した2個の接合素子の低温加圧焼結接合方法およびそれによって製造される構成体を提供する。
【解決手段】構成体製造方法は、第1接触面16を有する第1接合素子10を用意するステップ、焼結金属の粒子および溶剤から構成される焼結ペーストからなる層を第1接触面16に施与するステップ、焼結ペーストに温度を加えて、焼結層を形成するように溶剤を追い出すステップ、その焼結層に液体を施与するステップ、第2接合素子50を配置するステップ、接着剤62を、焼結層と第2接合素子50との縁部領域に、第1接合素子10にも接触する状態で塗着するステップ、接合素子10、50間の材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、構成体にさらに温度および圧力を加えるステップであって、焼結層が均質な焼結金属層34に転化されるステップ、を有する。 (もっと読む)


部材の配置方法は、基板と第1の液体を準備する工程と、部材及び第2の液体を含有する部材含有液を準備する工程と、親水性領域に第1の液体を配置する工程と、前記親水性領域に配置された前記第1の液体に前記部材含有液を接触させる工程と、前記第1の液体および前記第2の液体を除去することによって、前記部材を前記親水性領域に配置する工程と、を具備する。前記親水性領域は、部材配置領域と、前記部材配置領域の周辺に形成された液体捕捉領域とから構成されている。前記液体捕捉領域は、X−(CH2n−S−(基板)またはY−(CH2m−S−(基板)で表される表面を具備する。XはN+R3Q-(QはCl、Br、またはI)、OR、またはハロゲン原子であり、Rは低級アルキル基であり、nは1以上3以下の自然数であり、YはCOOH、またはOHであり、mは1以上22以下の自然数である。
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【課題】チップ厚の薄い半導体チップであっても、正確に画像取得を行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に複数のチップを積層する半導体装置の一連の製造工程において、ダイシングテープ等の固定用シートからの半導体チップのピックアップ(STEP8−3)に先立ち、半導体チップの薄厚化による応力によって反ってしまった半導体チップを、透明矯正板を押圧することによって平坦化させ(STEP8−1)、この状態で半導体チップの撮像を行い、得られた画像から半導体チップの位置・方向および良/不良マークの確認をする(STEP8−2)。 (もっと読む)


【課題】この発明は実装ツールの下降速度を切換えたときに、実装ツールが振れるのを防止して実装に要する手タクトタイムを短縮した実装装置を提供することにある。
【解決手段】上下方向に駆動される駆動体3に変位可能に設けられた実装ツール8が駆動体に対して上下方向に変位するのを阻止する第1の荷重を実装ツールに付与するボイスコイルモータ12と、駆動体を第1の高さ位置から第1の速度で第2の高さ位置まで下降させた後、第1の速度よりも遅い第2の速度に切換えて第3の高さ位置まで下降させるとともに、第2の高さ位置から第3の高さ位置に下降する間に実装ツールに付与された荷重を第1の荷重から第2の荷重となるまで徐々に減少させる制御装置19を具備する。 (もっと読む)


【課題】 接合性、電気伝導性、熱伝導性が良好で、かつ熱応力を緩和できる信頼性の高い半導体装置の接合体を形成できる導電性接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】 平均粒径0.1〜100μmの金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、鉄、コバルト、錫、インジウム、アルミニウム、亜鉛、これらの化合物もしくは合金の少なくともいずれかを含む複数の固体導電性粒子と、前記固体導電性粒子と金属接合されず、かつ前記固体導電性粒子より潤滑性の高い固体潤滑性粒子と、水または有機溶剤とを備えた導電性接着剤を提供する。 (もっと読む)


【課題】高電気伝導性、高熱伝導性を維持したまま高温で動作させても、熱衝撃による接合部のクラックの進展が生じにくい接合材、および該接合材を用いた半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】接合材4は、放熱板6と放熱板6上に積層される半導体チップ1との接合部に設けられる接合材であって、半導体チップ1に対向する第1の主表面(上面)と、放熱板6に対向する第2の主表面(下面)とを備える。そして、上面および下面が延びる方向に沿って二次元網目構造が形成されるように、上面から下面に向かう方向(上下方向)に延びる孔部が形成されている。 (もっと読む)


【課題】ガスの発生がきわめて多量な導電性接着剤を用いて半導体素子の接続を行う場合においても、半導体素子の裏面に溝加工などの加工を不要とし、接続層内部にガスがトラップされることにより形成される接続欠陥としてのボイドの発生を抑制することである。
【解決手段】半導体素子1を基材2に接続するための接続層が、空隙層13と、接合層7との積層構造となっていることにより、接続の過程でガスを効率よく接続層の外部に放散することができる。 (もっと読む)


【課題】大面積の接合に有利で、且つ、製造コストの増加を抑制できる接合方法及び接合体を提供する。
【解決手段】第1部材における金属からなる第1接合部と、第2部材における金属からなる第2接合部との間に、金属ナノ粒子を有機溶媒中に分散してなる金属ペーストを介在させ、該金属ペーストを少なくとも加熱して金属ナノ粒子を焼結し、内部に空孔を有する接合部材として第1接合部と第2接合部を接合する接合方法であって、金属ペーストの構成条件及び金属ナノ粒子の焼結条件の少なくとも1つを調整することで、第1接合部と第2接合部との間に、空孔の占める割合である空孔率が互いに異なる複数種類の接合層を、隣接する接合層で空孔率が互いに異なるように積層形成して接合部材とする。 (もっと読む)


【目的】半導体チップ/絶縁基板間などの半田接合部について、熱劣化を抑制して高温動作を保証し高いパワーサイクル耐性と長期信頼性の向上が図れる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体チップ3と銅回路パターン2bなどの半田接合層5において、中央部に鉛フリー半田8を使用し、外周部にはAgナノやAuナノなど金属粒子9を使用することで、高温動作可能なパワー半導体装置が可能となる。
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【課題】ダイパッド等の半導体チップ搭載部の表面に塗布したダイボンド材を、その上に載せて押圧する半導体チップの下面の端部まで万遍なく濡れ広がらせ、かつ、半導体チップ搭載部からはみ出したり、半導体チップ上面へ這い上がることを防止する。
【解決手段】ダイパッド2等の半導体チップ搭載部上における半導体チップ1の搭載領域を画する各辺に対応する少なくとも外側領域に、半導体チップ1の搭載領域の中央部に向かう方向に凸状をなす突起部11を設ける。半導体チップ1下のダイボンド材4は、半導体チップ1の辺中心部から外側へはみ出す傾向にあるが、突起部11により半導体チップ1の端部側へ案内され、濡れ性が改善される。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と回路基板とを接合する場合のように、平板の面同士を、接合部分にボイドが発生することがないように接合する接合方法を提供する。
【解決手段】半導体素子1と金属板2との間において、突起3を中心に放射状にメッキ4が成長する構成としたことにより、半導体素子1と金属板2との接合部分にボイドが発生することがなく、確実に接合することができる。また半導体素子1と金属板2を加熱することなく接合できるため、熱により半導体素子1の表面電極等を破壊してしまう心配がなく、またメッキ4に残留熱応力も残らない。銅メッキでできたメッキ4は半田よりも強度が高く、高い融点を持つため、半導体素子1をSi半導体の使用温度よりも高温で使用した場合でも、接合部の信頼性を高めることができる。メッキ4は、熱伝導率、電気伝導率が高いため、半導体素子の放熱性を良くし、かつ実装抵抗を減らすことができる。 (もっと読む)


【課題】ろう接温度が割合に高い硬ろう付けを使用しても良い実装方法及び電子素子を提供する。
【解決手段】電子素子の熱に耐えられない部分とろう接を行うための熱源との間に断熱材を差し込んで、ろう接による実装時に、前記熱源から前記熱に耐えられない部分にかける熱を遮断することができる。 (もっと読む)


【課題】 ダイボンディングにおいて鉛フリー半田を用いることができる。
【解決手段】 半導体チップ1とCu合金製のダイパッド4との間に応力緩衝板8を配置し、半導体チップ1と応力緩衝板8とを、および応力緩衝板8とダイパッド4とを、固相温度270℃以上で液相温度が400℃以下のSn−Sb−Ag−Cuを主要構成元素とする鉛フリー半田の接合材10,9で接合することにより、チップ割れを発生させることなく、鉛フリー半田を用いてダイボンディングを行うことができる。 (もっと読む)


【解決課題】 熱伝導率と接着力の両立を目的とした積層体及びそれを用いた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 金属箔の両面に接着剤層を形成した積層体であり、該積層体の熱伝導率が1W/mK以上であることを特徴とする積層体。 (もっと読む)


電子デバイスは、第1の表面及び第2の表面を含む基板(110)と、第1の表面及び第2の表面を含む基板キャリア(105)と、基板(110)の第2の表面及び基板キャリア(105)の第2の表面を接着する無機材料(120)とを備える。
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【課題】 電気的および熱的に接続するための接続材料において、高熱伝導性、高密着性、環境調和型の要件を満足する接続材料を実現する。
【解決手段】 この接続材料は、金属箔の少なくとも一つの表面に、有機保護膜によって被覆された表面を有する粒子径1〜100nmの金属微粒子が付着していることを特徴とする。このような、複合シート材は、蒸着装置を用いて、金属材料を蒸発させ、有機保護膜材料蒸気中で冷却することにより、表面に有機保護膜が形成されている金属微粒子を形成し、これを金属箔の表面に付着させることによって形成することができる。または、有機保護膜が表面に形成されている金属微粒子を含有する分散液を、金属箔表面に塗布し乾燥することによっても得られる。この材料は、半導体装置のダイマウント材として適している。 (もっと読む)


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