【課題】作業ヘッドごとに別個の駆動源を設ける必要がないとともに、互いに異なる作業を行う複数の作業ヘッドの付け替え作業時の負担を軽減することが可能な基板作業装置を提供する。
【解決手段】この基板作業装置１００は、基板に対して液状材の塗布作業を行うディスペンスヘッド１０、および、基板に対して実装作業を行うマウントヘッド２０を選択的に付け替え可能なヘッド装着部３１と、ディスペンスヘッド１０およびマウントヘッド２０に共通に用いられ、ヘッド装着部３１にディスペンスヘッド１０が装着された場合には液状材が塗布されるようにディスペンスヘッド１０を駆動し、ヘッド装着部３１にマウントヘッド２０が装着された場合にはマウントヘッド２０を駆動するＲ軸モータ３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】導電箔とその保護膜が形成された絶縁基材に対して平行に半導体チップを固着し、熱膨張による応力を起因とした半導体装置の損傷の防止を図る。
【解決手段】絶縁基材１１の表面上に導電箔１２が配置され、導電箔１２を覆って、その一部を露出する複数の第１の開口部１７Ａ、及び複数の第２の開口部１７Ｂを有する保護膜１７が配置されている。各第１の開口部１７Ａで露出する導電箔１２の表面上に導電突起体１４が配置される。表面に複数のパッド電極１２を有した半導体チップ２０は、その裏面が複数の導電突起体１４と対向するように、ダイボンドペースト１５を介して保護膜１７上に固着される。各第２の開口部１７Ｂで露出する導電箔１２は、それぞれボンディングワイヤを介してパッド電極２１と接続される。絶縁基材１１の表面上の半導体チップ２０等は、封止材１６に覆われて封止される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップを搭載するダイパッドと、ダイパッド上に半導体装置に接着するためのダイボンド材と、ダイパッドの周縁部に形成された溝構造と、溝構造に連結され、半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材を溜める液溜まり構造と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル又は接着剤によって隣接する回路素子を汚染することなく、隣接する回路素子を物理的にできる限り近づけて配置できるようにするエレクトロニクスアセンブリを製造するための方法を提供する。
【解決手段】基板１２上に液体障壁３０を形成することと、液体障壁の一方の側に第１の回路素子２２を配置することと、液体障壁の反対側に第２の回路素子２４を配置する。液体４４が第１の回路素子に塗布される。第１の回路素子と第２の回路素子との間の間隔を最小にすることができるように、液体障壁を用いて、第１の回路素子に塗布された液体が第２の回路素子を汚染するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルム上のアンテナ回路に対してＩＣチップを精度よく搭載することで実装精度を向上させることができるＩＣチップ実装体の製造装置を提供する。
【解決手段】支持ローラ３３の単位回転量を支持ローラ３３の外周面を観察して検出する検出手段１２と、支持ローラ３３の正規回転量に対する回転量の誤差に関する関数を用いて検出した単位回転量に応じた誤差を割り出す割出手段１３と、支持ローラ３３の外周面上における検出手段１２で観察される観察対象位置がＩＣチップ搭載位置まで回転移動する際の正規回転量及び割出手段１３により割り出した誤差から、支持ローラ３３の外周面上における観察対象位置がＩＣチップ搭載位置まで回転移動する際の実際の回転量を求める回転量求め手段１４と、回転量求め手段１４により求められた実際の回転量に基づいて同期ローラ３１の回転を制御する回転制御手段１５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】シリコンダイに亀裂が入ることを防止し、ダイと基板との間の良好なジョイントを提供する。
【解決手段】ダイを基板に取付けるに際しては、ダイと基板との間にジョイントまたは電気カップリングが用いられる。装置は、基板１００と、この基板上に配置されたダイ１２０と、このダイとその基板との間の電気的ジョイントとを備え、この電気的ジョイントは、基板とダイとの間の電気的カップリングを与えるために３００℃以下で焼結されたナノ材料１１０を含む。 （もっと読む）

【課題】生産能力が高く、コストが安価なダイボンダ及びダイボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイをピックアップするウェハ供給部と、前記ダイを所定の温度に加熱したダイボンディング部と、前記ウェハ供給部と前記ダイボンディング部とを所定の経路で往復し、前記ダイを吸着し前記ダイボンディング部に載置された基板に圧着するコレットとを備えたボンディングヘッドと、装置全体の動作を制御する制御部とを有するダイボンダにおいて、前記制御部は、前記ボンディングヘッドが前記ダイを前記基板に圧着後、前記所定の経路を通って前記所定の経路上の所定の第１の位置まで移動する間、前記コレットを所定の吸着流量で空吸着するダイボンダ及びダイボンディング方法。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置製造用の接着シート内での陽イオンの拡散を抑制することが可能な半導体装置製造用の接着シートを提供すること。
【解決手段】 ボンディングワイヤーが上面に接続されている第１の半導体チップ上に、ボンディングワイヤーの一部が半導体装置製造用の接着シート内に埋め込まれるように、第２の半導体チップを貼り付けるための半導体装置製造用の接着シートであって、イオン捕捉剤を含有しており、熱硬化後のガラス転移温度が５０℃以上である半導体装置製造用の接着シート。 （もっと読む）

【課題】被着体に片状体を適切に接着することができる接着剤層を設けることのできる転写装置および転写方法を提供する。
【解決手段】転写装置１は、接着シートＳ１およびリングフレームＲＦ１を介してウェハＷを支持する第１支持手段２と、ウェハＷに対向配置させて転写シートＳ２を支持する第２支持手段３と、ウェハＷと転写シートＳ２とを互いに離間接近させる当接手段４と、転写シートＳ２の接着剤層ＡＤ２を流動化させる流動化手段５と、転写シートＳ２を変形させる側面接着手段６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 プロセスおよびフィラーやワイヤー等の材料に含まれる銀によるイオンマイグレーションを防止でき、長期信頼性の確保が可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】 接着剤層とボンディングワイヤーとを有する半導体装置であって、ボンディングワイヤーの一部が接着剤層内に埋め込まれており、接着剤層に用いられる接着シートは、１０ｐｐｍの銀イオンを有する水溶液５０ｍｌ中に、重さ２．５ｇの接着シートを浸漬し、１２０℃で２０時間放置した後の水溶液中の銀イオン濃度が、０〜９．９ｐｐｍである半導体装置。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で正確なピックアップを行える接着剤層付き片状体を製造可能な転写装置および転写方法を提供することにある。
【解決手段】転写装置１は、接着シートＳ１を介してウェハＷを支持する第１支持手段２と、ウェハＷに対向配置させて転写シートＳ２を支持する第２支持手段３と、ウェハＷと転写シートＳ２とを互いに接近する方向に移動して当接させる当接手段４と、転写シートＳ２の接着剤層ＡＤ２を流動化させる流動化手段５と、接着シートＳ１を変形させて接着剤層ＡＤ２に貼付する押圧手段６と、接着シートＳ１を転写シートＳ２から離間する方向に移動させて、接着剤層ＡＤ２を基材シートＢＳ２から引き剥がす割断手段７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】作業性が良好で、耐熱性、耐湿性、耐候性に優れ、かつ半導体素子と各種基材との接合において信頼性の高い物理的、電気的接合が可能な導電性ペースト、及びそのような導電性ペーストを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】導電性ペーストは、（Ａ）可溶性ポリイミド樹脂、（Ｂ）溶剤及び（Ｃ）比表面積（ＳＡ）０．３〜１．３ｍ^２／ｇ、タップ密度（ＴＤ）３．０〜６．０ｇ／ｃｍ^３のフレーク状銀粉を含有する。半導体装置は、そのような導電性ペーストにより、半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、接着剤塗布を撮影するための認識用カメラの移動動作を排除し、高いスループットによる信頼性の高いダイボンダを提供することにある。
【解決手段】
本発明は、リードフレームとこのリードフレームの上部に位置して内部にペースト状接着剤を封入したシリンジと、このシリンジの側方に固定された認識用カメラと、この認識用カメラの近傍に設けられた照明と、この照明と対向する位置に設けられた反射板とを備え、前記反射板は前記照明からの明かりを前記リードフレームのペースト状接着剤の塗布面を照射するようにしたもの。また、認識用カメラと前記照明と反射板はＸ方向に搬送されるリードフレームの上部にある前記シリンジを境として−Ｙ側に反射板、＋Ｙ側に認識用カメラと照明が配置するとともに、前記反射板の反射面を艶消し白色コーティングとしたもの。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のオン状態における素子全体にわたる抵抗成分のうち、半導体基板に起因する抵抗成分を低減することができ且つ半導体基板の裏面側からの放熱効果を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された第１の主面と、該第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有する半導体基板と、該半導体基板の第２の主面に固着されたリードフレーム１１４とを備えている。第２の主面を構成するコレクタ層８には、少なくとも１つの凹部８ａが形成されている。リードフレーム１１４における第２の主面と固着される面には、コレクタ層８に形成された各凹部８ａと嵌合する凸部１１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと、実装基体上のダイボンド材との接着強度をより高めた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と、半導体チップ１をダイボンド材３により固定する実装基体２とを備えた半導体装置１０であって、半導体チップ１は、半導体チップ１の側面１ｃに、ダイボンド材３に埋設してダイボンド材３を引掛ける引掛部１ａを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができるウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハ加工用テープ１では、ウェハリング１４への貼付領域Ｐに対応して、平面視において接着剤層３の外側を向く半円状又は舌片状の切込部１１が基材フィルム５側から剥離基材２に到達する深さで形成されている。切込部１１の形成により、ウェハ加工用テープ１に剥離力が作用すると、粘着剤層４及び基材フィルム５において切込部１１よりも外側の部分が先に剥離し、切込部１１よりも内側の部分は凸状をなした状態でウェハリング１４に残るようになる。これにより、ウェハ加工用テープ１とウェハリング１４との間の剥離強度を向上させることができ、工程中にウェハ加工用テープ１がウェハリング１４から剥離することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】高接着性と低弾性を両立し得る接着シート及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】高分子量成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有する接着シートであって、上記熱硬化性成分（Ｂ）が特定の構造を有するフェノール樹脂及びフェノール誘導体の少なくとも一種であるフェノール類を含む接着シート。 （もっと読む）