【課題】
作業性と熱伝導性に優れた液状樹脂組成物およびそれを半導体用ダイアタッチ材または放熱部材用接着剤として使用した際に熱放散性に優れ、高い信頼性を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】
（Ａ）ラジカル重合可能な官能基を有する化合物、（Ｂ）非導電性の熱伝導性フィラー、（Ｃ）チキソ性付与剤を含有し、前記（Ｂ）の比表面積が５〜９ｍ^２／ｇ、前記（Ｂ）の含有量が３５〜５０ｖｏｌ％、さらに（Ｃ）の含有量が１ｗｔ％以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 高温処理を施しても半導体チップからの剥離が生じず、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能な接着シートを提供すること。
【解決手段】 イオン捕捉剤を含む接着剤組成物により構成され、１７５℃で５時間硬化させた後の２６０℃での引張貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下である接着シート。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度で接着する必要がある支持部材に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、かつ硬化後のボイド発生および膜減りを抑制するダイボンディング用樹脂ペーストを提供すること。
【解決手段】（Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、（Ｂ）エポキシ化ポリブタジエン又はカルボキシ末端アクリロニトリルブタジエン共重合体、（Ｃ）ラジカル開始剤、および（Ｄ）非導電性フィラーを含有してなり、２５℃での粘度が５〜１０００Ｐａ・ｓであり、室温における経時粘度変化率（４８時間）が±２０％以下であることを特徴とするダイボンディング用樹脂ペースト。 （もっと読む）

【課題】個片化されたチップ領域を有する半導体ウエハに形成した接着剤層の切断性を高めると共に、接着剤層の切断屑等による半導体チップの汚染等を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態において、第１の面３ａに貼付された表面保護フィルム４でウエハ形状が維持された半導体ウエハ３に液状接着剤を塗布して接着剤層７を形成する。半導体ウエハ３の第２の面３ａに粘着層８を有する支持シート９を貼付する。表面保護フィルム４を剥離した後、支持シート９を引き伸ばしてダイシング溝１内に充填された接着剤を含む接着剤層７を割断する。支持シート９の引き伸ばし状態を維持しつつ洗浄する。粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を、洗浄工程前に選択的に低下させる。 （もっと読む）

【課題】積層体を剥離基材から剥離する工程において、剥離基材と支持層との界面に剥がれが生じることが抑制される接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】剥離基材１と、剥離基材１の面３０上に部分的に設けられた接着剤層２と、接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２が設けられた領域の周囲で剥離基材１に接するように設けられた粘着フィルム層３と、剥離基材１の面３０のうち、粘着フィルム層３が設けられていない領域の少なくとも一部に、剥離基材１に接するように設けられた粘着フィルム層４と、を有し、剥離基材１の面３０は、粘着フィルム層４が設けられた領域の少なくとも一部に、コロナ放電処理が施された領域を有する、接着シート１００である。 （もっと読む）

【課題】取付板を厚くせずとも、被接着物と取付板の接着強度を向上させることである。
【解決手段】イメージセンサ取付構造１が、開口部２１を有した取付板２０と、開口部２１内に配置されたイメージセンサ１０と、開口部２１の縁２６とイメージセンサ１０との間に挟まれて、開口部２１の縁２６と前記イメージセンサ１０を接着した接着剤３０と、を備え、開口部２１の縁２６であって取付板２０の裏側の角部に面取り部２７が形成され、接着剤３０の一部３２が面取り部２７に固着していることを特徴とする （もっと読む）

【課題】ボンディングの際、基板の熱変形によって真空至達エラーが発生することを防止するダイボンディング装置及びボンディング方法を提供する。
【解決手段】供給される半導体ウェハから半導体チップを移動して基板上に搭載するダイボンディング装置は、基板を吸着及び保持して搬送するステージ３０と、先端に半導体チップを吸着及び保持するコレット１３０を含むボンディングヘッド１１と、ボンディングヘッドを保持して水平方向に移動する水平移動機構と、コレット１３０を上下方向に移動する垂直移動機構と、更に、半導体チップを前記基板上にボンディングする際、ステージ上に吸着及び保持される基板の表面にホットエアを吹き付けるホットエア吹付装置２０（又は、ホットエア吹付ノズル）を設けた。 （もっと読む）

【課題】従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップを製造できるデバイスチップの製造方法を提供する。
【解決手段】分割予定ラインに沿ってウェーハを複数のデバイスチップＣに分割し、粘着テープＴを拡張してデバイスチップＣ間の間隔を広げ、環状フレームＦ内に支持された複数のデバイスチップＣの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤３を塗布して接着フィルムを被覆する。ウェーハをデバイスチップＣに分割後、デバイスチップＣの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤３を塗布して接着フィルムを被覆するため、従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップＣを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ボンディング過程においてスタンピング効率が向上し、スタンピング条件を様々に可変させることができるスタンピング装置を提供する。
【解決手段】樹脂材供給部６００で樹脂材に浸漬され、基板に樹脂材をスタンピングする複数個のスタンパー１００と、それぞれのスタンパーの高さが可変可能なように前記スタンパー１００を支持する複数個のスタンパー軸２００ｘ、２００ｙと、複数個の前記スタンパー軸２００ｘ、２００ｙを同時に回転させるスタンパー回転装置と、前記スタンパーの移送過程、浸漬過程またはスタンピング過程でスタンパーの高さを調節するスタンパー高さ調節装置と、を含むスタンピング装置１０００とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハーへの熱ラミネートの経時安定性、ダイアタッチ埋め込み性能に優れ、ワイヤボンディング工程及び樹脂封止工程で特別な熱管理を必要としないダイシング・ダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】接着剤層１５が第１の接着剤シート１３及び第２の接着剤シート１４からなり、第１接着剤層組成物は、（Ａ）カルボキシル基含有エチレン−アクリルゴム、（Ｂ）重量平均分子量が５０００以下である５〜４０℃で固体状のエポキシ樹脂、（Ｃ）ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミンを含み、第２接着剤層組成物は、（Ｄ）重量平均分子量が５０，０００〜１，５００，０００であり、エポキシ基及び化学式（１）で示される構造単位を有する（メタ）アクリル系樹脂、（Ｂ）、（Ｃ）を含むダイシング・ダイアタッチフィルム。
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【課題】シリコンウエハに対して、硬化後に良好な接着性を有する熱硬化性樹脂組成物を提供すること
【解決手段】エポキシ樹脂100質量部に対して、ウレア構造を有する化合物を、該化合物中のウレア構造部分が0.1〜50質量部となるように含有してなることを特徴とする、シリコンウエハ接着性樹脂組成物 （もっと読む）

【課題】ウエハ加工用テープの生産性に優れ、ピックアップ工程におけるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制することが可能なウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、粘着フィルム１２を直角形引裂試験片とした、ＪＩＳ Ｋ７１２８−３「プラスチックーフィルム及びシートの引裂強さ試験方法―第３部：直角形引裂法」に示される直角形引裂試験片の試験方法において、直角形引裂試験片１００の引裂強度をＣとし、直角形引裂試験片１００の直角部の先端を通る中央線上で、該直角部の先端から長さ略１ｍｍの切断部分１１５を入れた場合の直角形引裂試験片１１０の引裂強度をＤとしたとき、強度比（Ｄ／Ｃ）が、０．８以下である。更に、ＪＩＳ Ｋ７１１３の２号形試験片による伸び率の測定において、２号形試験片１２０である接着剤層１３の伸び率が、１５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量を調整し、高精度かつ信頼性の高い半導体チップ積層体を得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板又は他の半導体チップ１に半導体部品用接着剤３を塗布し、半導体チップ２を積層する半導体チップ積層工程と、基板又は他の半導体チップ１上の半導体チップ２を接合させる領域全体に、半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせ、硬化させる。半導体部品用接着剤３を塗布する領域は、半導体チップ２を接合させる領域の４０〜９０％であり、半導体チップ２積層の直後、濡れ広がった領域は、半導体チップ２を接合させる領域の６０％以上１００％未満であり、そのときのＥ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が１〜３０Ｐａ・ｓである。半導体部品用接着剤１を加温処理と保温処理をすることを特徴とする半導体チップ積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量を調整し、高精度かつ信頼性の高い半導体チップ積層体を得ることが可能な半導体チップ積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板又は他の半導体チップ１に半導体部品用接着剤３を塗布し、半導体チップ２を積層して、半導体部品用接着剤３を均一に濡れ広がらせ、硬化させる。半導体部品用接着剤３を塗布する領域は、半導体チップ２を接合させる領域の４０〜９０％であり、半導体部品用接着剤３の濡れ広がった領域は、半導体チップ２を接合させる領域の６０％以上１００％未満、半導体部品用接着剤３を均一に濡れ広がらせたときのＥ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が１〜３０Ｐａ・ｓである半導体チップ積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の向上を可能とする熱圧着性を有する感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】パターン形成後の２０℃〜２００℃における最低溶融粘度が３００００Ｐａ・ｓ以下である感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】硬化物の線膨張率及び弾性率が低く、接合された半導体チップへの応力の発生を低減することでハンダ等の導通部分のクラックの発生を防止し、信頼性の高い半導体装置を製造することができる半導体チップ接合用接着剤を提供する。また、該半導体チップ接合用接着剤を用いて製造される非導電性ペースト及び非導電性フィルムを提供する。
【解決手段】フルオレン骨格エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤及び無機充填材を含有する半導体チップ接合用接着剤。 （もっと読む）

本発明は、マレイミド、ナジイミドまたはイタコンイミド含有化合物および金属／カルボキシレート錯体およびペルオキシドを含む熱硬化性樹脂組成物に関し、それは、比較的短い時間、低い温度で、例えば３０から９０分間に渡って、約１００℃未満、例えば５５−７０℃で硬化可能である。本発明は、さらに、そのような組成物を製造する方法、そのような組成物を基体表面に塗布する方法、およびマイクロエレクトロニック回路を接続するためにそれらを使って製造されたパッケージおよび組立品を提供する。 （もっと読む）

【課題】硬化時のボイドを含まず、良好な熱時接着性を備え、高温環境における経時的変化が小さく、耐熱性および耐久性に優れた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】リードフレーム上に導電性接着剤を介して半導体素子をダイボンディングし、前記接着剤を加熱硬化して固定する半導体装置の製造方法において、前記接着剤が反応性希釈剤を含み、前記反応性希釈剤の沸点が２５０℃以上であり、前記接着剤の加熱硬化を１００℃以上２５０℃未満と２５０℃以上３５０℃未満の少なくとも二回に分けて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法および同製造方法により作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程ではダイシングテープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れる接着シートを提供する。
【解決手段】（A)ポリイミド樹脂、(B)熱硬化性樹脂及び(C)放射線照射によって硬化性を発現する化合物を含有する粘接着剤層を有する接着シートである接着シート。 （もっと読む）

取付け方法と、そのような方法を用いて製造される装置が開示される。ある実施例においては、この方法は、基板にキャップされたナノ材料を配置する工程と、配置後のキャップされたナノ材料上に電子部品を配置する工程と、配置後のキャップされたナノ材料および配置されたダイを乾燥させる工程と、乾燥後の配置された電子部品および乾燥後のキャップされたナノ材料を３００℃以下の温度で焼結して、電子部品を基板に取付ける工程とを備える。この方法を用いて製造される方法もまた記載される。
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