【課題】 コレットの蓄熱がある場合においても、ミスすることなく接着剤層つき半導体素子をピックアップ可能な、良好な半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】 剥離フィルムと、該剥離フィルム上に部分的に形成された接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ、該接着剤層の周囲で該剥離フィルムに接するように形成された粘着フィルムとが積層された半導体用接着シートであって、ＪＩＳ Ｋ ７１２７／２／３００にしたがって、該粘着フィルムの２５ｍｍ幅短冊状サンプルを、１００ｍｍの標線間距離およびつかみ間距離で引張強度試験を実施したときに、該粘着フィルムは伸び率が２０％までは降伏点を持たず、かつ該粘着フィルムの５％モジュラスが６．０ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体用接着シート。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン形成性、パターン形成後の接着性、接着後の耐熱性に優れ、フィルム状に形成した場合には低温貼付性にも優れた感光性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有し、（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂が、ポリイミド樹脂を含み、（Ｂ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含み、（Ｃ）放射線重合性化合物が、アクリレート化合物及びメタクリレート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含み、（Ｄ）光開始剤が特定の化合物を含み、当該感光性接着剤組成物の３％重量減少温度が２７５℃以上である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】低弾性率で、かつ高密着性の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物、及び耐半田クラック性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、(A)数平均分子量500以上30000以下、分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体、(B)エチレン性不飽和基を有する重合性モノマー、(C)ラジカル重合触媒、(D)特定のジスルフィド化合物及び(E)充填剤を含有する。半導体装置は、そのような組成物により半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、チップに工程数が増加し、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与する。
【解決手段】チップ用樹脂膜形成用組成物は、金属化合物の表面を有機化合物により修飾してなるゲッタリング剤（Ａ）および硬化性成分（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時のチップ飛びを防止できる程度に十分な粘着力を維持しながら、ピックアップ時にはチップを容易に剥離することができ、ブリードアウトによる接着剤層の汚染も抑制する。
【解決手段】粘着テープ１２は、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂが形成された粘着テープである。粘着テープ１２では、粘着剤層１２ｂの成分として、アクリル系共重合体化合物のイソシアネート基と反応しうる官能基に対し、１官能イソシアネート化合物を５〜１００％相当の官能基比率で含有されている。 （もっと読む）

【課題】印刷法で平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を付設でき、接着性に優れる接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 レベリング作用を有する表面調整剤を含む接着剤組成物を用いて、半導体ウエハの表面に、平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を印刷法により付設したことを特徴とする接着剤付きウエハ。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程時における基材の変形に伴う接着剤層の収縮を抑制することができる接着剤層を有するダイシング・ダイボンディングシートを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンディングシート１０は、基材１上に接着剤層２が積層されたものであって、接着剤層２は、硬化前の状態において、８０℃における貯蔵弾性率が５００００〜５００００００Ｐａであり、かつ、８０℃におけるｔａｎδが０．１〜０．３８である。 （もっと読む）

【課題】 短時間で、かつ高温を要しない熱硬化処理であっても被着体に対して十分な接着力を得られると共に、作製後も粘度の上昇を抑制可能な接着フィルム、及び当該接着フィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の接着フィルムは、カルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位を含む熱可塑性成分と、エポキシ樹脂とを含む接着剤組成物により構成されており、上記熱可塑性成分におけるカルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位の含有率が１．５ｍｏｌ％以上１１ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）

【課題】電子部品において平坦な上面を有するパッドを作製する方法を提供する。
【解決手段】ａ）第一電子基板上２０２に硬化性シリコーン組成物の平坦な上面を有する堆積物２０５をステンシル印刷する過程であって、第一電子基板が半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択され、平坦な上面を有する堆積物のステンシル印刷がダウンステップステンシルを通したスクイジーにより行われる、堆積物をステンシル印刷する過程と、ｂ）平坦な上面を有する堆積物を硬化させる過程であって、それにより、平坦な上面を有するパッドを形成する、堆積物を硬化させる過程と、任意にｃ）平坦な上面を有するパッドの上面に第二電子基板２０６を接着する過程であって、第二電子基板は半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択される、第二電子基板を接着する過程、並びに、任意にｄ）過程ａ）、ｂ）及びｃ）を反復する過程を包含する、パッドを作製する方法。 （もっと読む）

【課題】チップの反りを抑制する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】集積回路が表面に設けられたチップの側面に側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第１の接着工程と、前記第１の接着工程の後に前記裏面接着部材を加熱して前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第２の接着工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法を用いて形成される外部端子を有する半導体装置の製造において、欠けのない封止体を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの表面が第１ステージの表面と対向するように、第１温度（例えば８０〜１００℃）に加熱された第１ステージの表面上に半導体ウエハを配置して、半導体ウエハの裏面に接着剤を貼り付けた後、半導体ウエハに第１温度よりも高い第２温度の熱処理を施す。さらに、半導体ウエハおよび接着剤を切断領域に沿って切断して複数の半導体チップを取得した後、第３温度（例えば４０〜８０℃）に加熱された第２ステージの表面上に母基板を配置して、母基板の上面に接着剤を介して半導体チップを固定する。 （もっと読む）

【課題】 高温に長時間晒されたとしても、ダイボンドフィルムと被着体との境界におけるボイドの発生を低減することができるダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 ニトリル基含有熱硬化性アクリル共重合体と硬化剤とを含有し、示差熱量計を用い、２５℃から３００℃まで１０℃／分の昇温速度にて測定した場合の発熱量が１０ｍＪ／ｍｇ以下であるダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】 イオン捕捉性の接着シートを採用してもその接着シートのイオン捕捉性の低下を防止することができるとともに、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材及び該基材上に積層された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された接着シートとを備え、上記接着シートは、金属イオンを捕捉し得るイオン捕捉剤を含み、上記粘着剤層の２６℃での貯蔵弾性率が１．０×１０^４Ｐａ以上１．０×１０^７Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】 製造される半導体装置の電気特性の低下を防止して製品信頼性を向上させることができる接着シートを提供すること。
【解決手段】 イオン捕捉剤を含有する半導体装置製造用の接着シートであって、１０ｐｐｍの銅イオンを有する水溶液５０ｍｌ中に、１７５℃で５時間加熱した重さ２．５ｇの半導体装置製造用の接着シートを浸漬し、１２０℃で２０時間放置した後の水溶液中の銅イオン濃度が、０〜９．９ｐｐｍであり、イオン交換水５０ｍｌ中に、１７５℃で５時間加熱した重さ２．５ｇの半導体装置製造用の接着シートを浸漬し、１２０℃で２０時間放置した後の水溶液中の塩化物イオン濃度が、０．１ｐｐｍ以下である半導体装置製造用の接着シート。 （もっと読む）

【課題】接着剤層を片状体の形状に沿って正確に分割することのできる転写装置および転写方法を提供する。
【解決手段】転写装置１は、接着シートＳ１およびリングフレームＲＦ１を介してウェハＷを支持する第１支持手段２と、ウェハＷに対向配置させて転写シートＳ２を支持する第２支持手段３と、ウェハＷと転写シートＳ２とを互いに離間接近させる当接手段４と、転写シートＳ２の接着剤層ＡＤ２を流動化させる流動化手段５と、接着剤層ＡＤ２を割断する割断手段６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ等の割れや欠けを抑制するとともに、化学的安定性があり、且つ、物性コントロールの容易な半導体装置製造用の接着シートを提供すること。
【解決手段】 カルボキシル基を有し、且つ、エポキシ基を有さない熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、２以上のフェノール性水酸基を有するベンゼン環を有し、陽イオンと錯体を形成する有機系錯体形成化合物とを有する半導体装置製造用の接着シート。 （もっと読む）

【課題】ウェハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えた接着シートにおいて、チップと配線接続基板との間の熱応力を緩和できる構成を提供する。
【解決手段】本発明の接着シートは、放射性重合性基材上にダイボンディング剤として使用できる接着剤層を有しているので、ウェハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えた接着シートを提供できる。また、接着剤層として、Ｂステージ状態で相分離する２種類の樹脂であって、Ｂステージ状態で分散相を形成する樹脂（Ａ）と連続相を形成する樹脂（Ｂ）とを持ち、前記樹脂（Ａ）は、未硬化状態での重量平均分子量が１万以下で、前記樹脂（Ｂ）は、未硬化状態での重量平均分子量が１０万以上である。 （もっと読む）