【課題】 コレットの蓄熱がある場合においても、ミスすることなく接着剤層つき半導体素子をピックアップ可能な、良好な半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】 剥離フィルムと、該剥離フィルム上に部分的に形成された接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ、該接着剤層の周囲で該剥離フィルムに接するように形成された粘着フィルムとが積層された半導体用接着シートであって、ＪＩＳ Ｋ ７１２７／２／３００にしたがって、該粘着フィルムの２５ｍｍ幅短冊状サンプルを、１００ｍｍの標線間距離およびつかみ間距離で引張強度試験を実施したときに、該粘着フィルムは伸び率が２０％までは降伏点を持たず、かつ該粘着フィルムの５％モジュラスが６．０ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体用接着シート。 （もっと読む）

【課題】パターン形成性、パターン形成後の接着性、接着後の耐熱性に優れ、フィルム状に形成した場合には低温貼付性にも優れた感光性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有し、（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂が、ポリイミド樹脂を含み、（Ｂ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含み、（Ｃ）放射線重合性化合物が、アクリレート化合物及びメタクリレート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含み、（Ｄ）光開始剤が特定の化合物を含み、当該感光性接着剤組成物の３％重量減少温度が２７５℃以上である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、チップに工程数が増加し、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与する。
【解決手段】チップ用樹脂膜形成用組成物は、金属化合物の表面を有機化合物により修飾してなるゲッタリング剤（Ａ）および硬化性成分（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】粘接着剤層を精度よくダイシングでき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを備える。ダイシング時に、ダイシング層５の外周部分に環状のダイシングリング２６が貼り付けられる。ダイシング層５の径は基材層４の径よりも大きい。ダイシングリングの内径をＸとしたときに、ダイシング層５の径が１Ｘを超え、基材層４の径が０．９１Ｘ以上である。本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットは、ダイシング−ダイボンディングテープ１とダイシングリング２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 短時間で、かつ高温を要しない熱硬化処理であっても被着体に対して十分な接着力を得られると共に、作製後も粘度の上昇を抑制可能な接着フィルム、及び当該接着フィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の接着フィルムは、カルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位を含む熱可塑性成分と、エポキシ樹脂とを含む接着剤組成物により構成されており、上記熱可塑性成分におけるカルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位の含有率が１．５ｍｏｌ％以上１１ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）

【課題】 イオン捕捉性の接着シートを採用してもその接着シートのイオン捕捉性の低下を防止することができるとともに、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材及び該基材上に積層された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された接着シートとを備え、上記接着シートは、金属イオンを捕捉し得るイオン捕捉剤を含み、上記粘着剤層の２６℃での貯蔵弾性率が１．０×１０^４Ｐａ以上１．０×１０^７Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】接着剤層を片状体の形状に沿って正確に分割することのできる転写装置および転写方法を提供する。
【解決手段】転写装置１は、接着シートＳ１およびリングフレームＲＦ１を介してウェハＷを支持する第１支持手段２と、ウェハＷに対向配置させて転写シートＳ２を支持する第２支持手段３と、ウェハＷと転写シートＳ２とを互いに離間接近させる当接手段４と、転写シートＳ２の接着剤層ＡＤ２を流動化させる流動化手段５と、接着剤層ＡＤ２を割断する割断手段６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの実装に適した形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを容易に形成可能な接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法は、間隔をおいて配置された複数の半導体チップ２７を、光硬化性成分を含む接着フィルム１１０に貼り付ける貼り付け工程と、光硬化性成分を含む粘着フィルム１２０が接着フィルム１１０を挟んで半導体チップ２７の反対側に配置された状態で、半導体チップ２７を介して接着フィルム１１０及び粘着フィルム１２０に光を照射する露光工程と、露光工程の後に、接着フィルム１１０が付着した半導体チップ２７をピックアップする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの実装に適した形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを容易に形成可能な半導体用積層シートを提供する。
【解決手段】半導体用積層シート１００は、粘着フィルム１２０と、当該粘着フィルム１２０に貼り付けられた接着フィルム１１０とを備え、接着フィルム１１０が、イミド骨格を有する熱可塑性樹脂と、光硬化性樹脂と、光ラジカル発生剤とを含有し、粘着フィルム１２０が、アクリル系共重合ポリマと、光ラジカル発生剤とを含有し、熱可塑性樹脂のガラス転移温度が１０℃以上であり、アクリル系共重合ポリマのガラス転移温度が０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのピックアップ性を保ちつつ、リングフレームへの粘接着剤の残存を軽減することができるダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１は、テープの基部をなす基材層２と、基材層２の一方面上に形成された粘接着層３と、を備え、粘接着層３は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部３ｂと、ウェハ保持部３ｂの外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部３ａと、を有し、リング保持部３ａと基材層２との接着力が、ウェハ保持部３ｂと基材層２との接着力よりも高くなっている。これにより、リング保持部３ａは、ウェハ保持部３ｂと比べ基材層２から剥離し難いため、基材層２と共にリングフレームから剥離し易い。その結果、リングフレームへの粘接着剤の残存が軽減される。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの反りが十分抑制され、ダイシングによって接着剤付き半導体素子を効率よく得ることができる接着剤層付きウェハを製造する方法、信頼性を十分維持しながら半導体装置の更なる薄型化を図ることが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの一方面上に、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光重合開始剤及び（Ｃ）熱硬化性樹脂を含有する液状感光性接着剤を塗布して感光性接着剤層を設ける工程と、感光性接着剤層を酸素濃度が１０％以下の雰囲気下で露光してＢステージ化することにより接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】紫外線硬化型接着剤によって半導体部品と基材とを接合する半導体装置の製造方法及び半導体装置において、紫外線硬化型接着剤による接着強度を増大させることを目的とする。
【解決手段】基材２のアイランド部３に、表面に紫外線反射加工が施された反射粒子１１を予め含有させた紫外線硬化型接着剤１０を塗布する。この紫外線硬化型接着剤１０を介在させた状態で、基材２のアイランド部３に半導体部品４を配置する。そして、基材２の側面側から紫外線硬化型接着剤１０に紫外線を照射し硬化させ、半導体部品４を基材２に接着固定する。 （もっと読む）

【課題】 接着特性を十分に維持しながら、半導体素子同士もしくは半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する接着剤の層を更に薄く形成することができる半導体用接着剤組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体用接着剤は、（Ａ）カチオン重合性化合物、（Ｂ）熱カチオン発生剤、（Ｃ）ラジカル重合性化合物、及び（Ｄ）光ラジカル発生剤、を含む半導体用接着剤組成物であって、２５℃での粘度が１０〜１００００ｍＰａ・ｓであり、且つ、溶剤の含有量が５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体チップを積層して半導体装置を作製する際に連続圧着が可能であり、薄膜かつ高精細な接着剤パターンを形成することができる感光性接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）炭素−炭素不飽和結合を有する化合物、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）光開始剤、及び、（Ｄ）アルカリ性水溶液又は有機溶剤に可溶な可溶性ポリマーを少なくとも含む感光性接着剤組成物であって、感光性接着剤組成物からなる接着剤層を１００ｍＪ／ｃｍ^２で露光後の８０℃でのタック強度が１００ｇｆ以下である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液によるパターン形成性に優れ、露光後の十分な再接着性を有するとともに、低温貼付け性にも優れたフィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ポリマーと、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）一種又は複数の放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有する感光性接着剤組成物をフィルム状に成形してなる、フィルム状接着剤であって、（Ｃ）放射線重合性化合物が、下記一般式（Ｉ）で表されるイソシアヌル酸エチレンオキシド変性ジ又はトリアクリレートを含有するものであり、フィルム状接着剤の５％重量減少温度が２６０℃以上である、フィルム状接着剤１。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は水素原子又は−ＣＯＣＨ＝ＣＨ_２を示す。］ （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、電磁波シールド層を有するダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】接着剤層３０と、金属箔からなる電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０、又は、接着剤層３０と、蒸着により形成された電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０。前記ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイシングフィルムは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記ダイボンドフィルムは、前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に積層されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】
粘着シートとダイアタッチフィルムを積層した粘着シートでは、粘着剤に含有される低分子量成分である光重合開始剤がダイアタッチフィルム側にマイグレーションし、半導体製造工程においてチップとリードフレームとの接着不良が発生する場合があった。
【解決手段】
本発明は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、紫外線重合性化合物と、多官能イソシアネート硬化剤と、光重合開始剤とを有し、光重合開始剤の２３℃から５００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温したときの質量減少率１０％となる温度が２５０℃以上である粘着剤である。 （もっと読む）

【課題】 半導体支持部材上にダイボンディング材を印刷法により塗布して半導体チップを接合するときのタクトタイムを削減することができ、なおかつＢステージ化での硬化不足や過度の硬化による組立不具合を十分防止できて、信頼性に優れる半導体装置を生産性よく製造することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載するための半導体支持部材１０上に、光硬化性成分及び熱硬化性成分を含み溶剤の含有量が５質量％以下であるダイボンディング用樹脂ペーストを印刷法により塗布して樹脂ペーストの塗膜３０を設ける第１工程と、塗膜３０への光照射により光硬化性成分を光硬化する第２工程と、半導体支持部材１０と半導体チップ５０とを、光照射された塗膜３２を挟んで圧着して接合する第３工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体支持部材上にダイボンディング材をスクリーン印刷法により塗布して半導体チップを接合するときのタクトタイムを削減することができ、なおかつＢステージ化での硬化不足や過度の硬化、残留した溶剤に起因する組立不具合を十分防止できて、信頼性に優れる半導体装置を生産性よく製造することを可能とするダイボンディング用樹脂ペースト、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のダイボンディング用樹脂ペーストは、（Ａ）２５℃における粘度が１００Ｐａ・ｓ以下である光重合性化合物、（Ｂ）熱硬化性化合物、及び（Ｃ）熱可塑性エラストマーを含有し、溶剤の含有量が５質量％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウエハ側に形成した接着剤半硬化層に対する汚染を低減することができ、かくして、リードフレーム等に対する接着性に優れた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】
ウエハの裏面にペースト状接着剤を全面塗布してペースト状接着剤を放射線照射又は加熱してシート状に半硬化させる接着剤半硬化層形成工程、ウエハに形成された接着剤半硬化層とリングフレームを粘着シートの粘着層に貼り付けて固定する貼付工程、ダイシングブレードでウエハを接着剤半硬化層ごとダイシングして半導体チップにするダイシング工程、放射線を照射した後に接着剤半硬化層付きチップを粘着層からピックアップするピックアップ工程を含む。 （もっと読む）