【課題】厚さが１５〜７５μｍの薄い半導体チップをピックアップする場合であっても、割れ、欠け等の破損を生じることなく、従来のコレットを用いてチップを速やかにピックアップすることができる、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハの一方の面に樹脂膜を形成する工程と、半導体ウエハの他方の面に、ダイボンディングフィルムを備える粘着シートを貼り合せてダイシングを行ない、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを作製する工程と、コレットを用いてダイボンディングフィルム付き半導体チップをピックアップする工程と、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを配線基板上にダイボンディングする工程と、を含み、半導体ウエハは、厚みが１５〜７５μｍであり、樹脂膜は、２５℃における弾性率が２〜１０ＧＰａであり、膜厚が３〜２０μｍである、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 低タック、低弾性率及び接着強度のすべてを高水準で満足することができるダイボンディング層を印刷法によって形成することができるダイボンディング用樹脂ペースト、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 ダイボンディング用樹脂ペーストは、ブタジエン樹脂（Ａ）、熱硬化性成分（Ｂ）、フィラー（Ｃ）、ゴム状フィラー（Ｄ）、並びに、２５℃、５０％ＲＨの雰囲気下で１時間経過したときの吸湿率が１％未満である溶剤（Ｅ）を含み、ゴム状フィラー（Ｄ）の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｄ）成分の総量を基準として５〜２８質量％である。 （もっと読む）

【課題】パターン形成性、パターン形成後の接着性、接着後の耐熱性に優れ、フィルム状に形成した場合には低温貼付性にも優れた感光性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有し、（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂が、ポリイミド樹脂を含み、（Ｂ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含み、（Ｃ）放射線重合性化合物が、アクリレート化合物及びメタクリレート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含み、（Ｄ）光開始剤が特定の化合物を含み、当該感光性接着剤組成物の３％重量減少温度が２７５℃以上である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、チップに工程数が増加し、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与する。
【解決手段】チップ用樹脂膜形成用組成物は、金属化合物の表面を有機化合物により修飾してなるゲッタリング剤（Ａ）および硬化性成分（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】接着性に優れており、また、熱伝導性及び塗布作業性も良好に維持された樹脂ペースト組成物と、この樹脂ペースト組成物を用いた半導体装置とを提供する。
【解決手段】（Ａ１）１分子中に、２個のアクリロイルオキシ基と、炭素数５〜２０の脂環式構造又は炭素数４〜２０の脂肪族構造とを有するアクリロイルオキシ基含有化合物、（Ａ２）特定の一般式で表される化合物、（Ｂ）重合開始剤、及び（Ｃ）充填材を含有する樹脂ペースト組成物。支持部材、前記支持部材の表面に設置された半導体素子、前記支持部材の表面と前記半導体素子との間に介在して前記支持部材と前記半導体素子とを固定する前記の樹脂ペースト組成物の硬化物、及び前記支持部材の一部と前記半導体素子とを封止する封止材、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】粘接着剤層を精度よくダイシングでき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを備える。ダイシング時に、ダイシング層５の外周部分に環状のダイシングリング２６が貼り付けられる。ダイシング層５の径は基材層４の径よりも大きい。ダイシングリングの内径をＸとしたときに、ダイシング層５の径が１Ｘを超え、基材層４の径が０．９１Ｘ以上である。本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットは、ダイシング−ダイボンディングテープ１とダイシングリング２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程時における基材の変形に伴う接着剤層の収縮を抑制することができる接着剤層を有するダイシング・ダイボンディングシートを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンディングシート１０は、基材１上に接着剤層２が積層されたものであって、接着剤層２は、硬化前の状態において、８０℃における貯蔵弾性率が５００００〜５００００００Ｐａであり、かつ、８０℃におけるｔａｎδが０．１〜０．３８である。 （もっと読む）

【課題】電子部品において平坦な上面を有するパッドを作製する方法を提供する。
【解決手段】ａ）第一電子基板上２０２に硬化性シリコーン組成物の平坦な上面を有する堆積物２０５をステンシル印刷する過程であって、第一電子基板が半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択され、平坦な上面を有する堆積物のステンシル印刷がダウンステップステンシルを通したスクイジーにより行われる、堆積物をステンシル印刷する過程と、ｂ）平坦な上面を有する堆積物を硬化させる過程であって、それにより、平坦な上面を有するパッドを形成する、堆積物を硬化させる過程と、任意にｃ）平坦な上面を有するパッドの上面に第二電子基板２０６を接着する過程であって、第二電子基板は半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択される、第二電子基板を接着する過程、並びに、任意にｄ）過程ａ）、ｂ）及びｃ）を反復する過程を包含する、パッドを作製する方法。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 イオン捕捉性の接着シートを採用してもその接着シートのイオン捕捉性の低下を防止することができるとともに、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材及び該基材上に積層された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された接着シートとを備え、上記接着シートは、金属イオンを捕捉し得るイオン捕捉剤を含み、上記粘着剤層の２６℃での貯蔵弾性率が１．０×１０^４Ｐａ以上１．０×１０^７Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法を用いて形成される外部端子を有する半導体装置の製造において、欠けのない封止体を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの表面が第１ステージの表面と対向するように、第１温度（例えば８０〜１００℃）に加熱された第１ステージの表面上に半導体ウエハを配置して、半導体ウエハの裏面に接着剤を貼り付けた後、半導体ウエハに第１温度よりも高い第２温度の熱処理を施す。さらに、半導体ウエハおよび接着剤を切断領域に沿って切断して複数の半導体チップを取得した後、第３温度（例えば４０〜８０℃）に加熱された第２ステージの表面上に母基板を配置して、母基板の上面に接着剤を介して半導体チップを固定する。 （もっと読む）

【課題】接着剤層を片状体の形状に沿って正確に分割することのできる転写装置および転写方法を提供する。
【解決手段】転写装置１は、接着シートＳ１およびリングフレームＲＦ１を介してウェハＷを支持する第１支持手段２と、ウェハＷに対向配置させて転写シートＳ２を支持する第２支持手段３と、ウェハＷと転写シートＳ２とを互いに離間接近させる当接手段４と、転写シートＳ２の接着剤層ＡＤ２を流動化させる流動化手段５と、接着剤層ＡＤ２を割断する割断手段６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ等の割れや欠けを抑制するとともに、化学的安定性があり、且つ、物性コントロールの容易な半導体装置製造用の接着シートを提供すること。
【解決手段】 カルボキシル基を有し、且つ、エポキシ基を有さない熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、２以上のフェノール性水酸基を有するベンゼン環を有し、陽イオンと錯体を形成する有機系錯体形成化合物とを有する半導体装置製造用の接着シート。 （もっと読む）

【課題】接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される接着シートを提供する。
【解決手段】長尺の剥離基材１と、前記剥離基材上に、分散配置され、部分的に形成された接着剤層２と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着剤層３とを有する接着シートであって、前記接着剤層が分散配置されていない剥離基材上に、接着剤層と同じ厚み、もしくはそれ以上の厚みを持つ支持層を有した接着シート。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのピックアップ性を保ちつつ、リングフレームへの粘接着剤の残存を軽減することができるダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１は、テープの基部をなす基材層２と、基材層２の一方面上に形成された粘接着層３と、を備え、粘接着層３は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部３ｂと、ウェハ保持部３ｂの外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部３ａと、を有し、リング保持部３ａと基材層２との接着力が、ウェハ保持部３ｂと基材層２との接着力よりも高くなっている。これにより、リング保持部３ａは、ウェハ保持部３ｂと比べ基材層２から剥離し難いため、基材層２と共にリングフレームから剥離し易い。その結果、リングフレームへの粘接着剤の残存が軽減される。 （もっと読む）

【課題】低弾性率かつ密着性に優れた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）数平均分子量５００以上３００００以下で、かつ、１分子内に少なくとも１つの二重結合を有する炭化水素化合物又はその誘導体と、（Ｂ）１つ以上のエチレン性不飽和基を有するモノマーと、（Ｃ）ラジカル重合触媒と、（Ｄ）一般式［Ｉ］で表されるジスルフィド環式基を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導体と、（Ｅ）充填材と、を必須成分とする半導体接着用熱硬化型樹脂組成物、及び該熱硬化型樹脂組成物を用いて得られた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シートを提供する。
【解決手段】剥離基材と、該剥離基材上に部分的に形成された所定の平面形状を有する接着剤層と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムと、を有する接着シートであって、前記粘着フィルムを取り除く部分が剥離基材の短手方向（長手方向に直交する方向）の中心からずれている接着シート。 （もっと読む）

【課題】アセンブリ段階において外部磁場から磁気メモリチップを保護する。
【解決手段】主面に磁気メモリ素子および複数のワイヤボンドパッドが形成された磁気メモリチップを準備する。シリコンより高透磁率を有する第１の磁気シールド板を磁気メモリチップの主面に搭載する。磁気メモリチップをリードフレームのダイパッド上に搭載しダイアタッチフィルムにより接着する。磁気メモリチップのワイヤボンドパッドとリードフレームのリードとをワイヤで電気的に接続する。磁気メモリチップ、磁気シールド板、ワイヤ及びリードの一部を樹脂により封止する。複数の磁気メモリチップを有するシリコンウェハを準備し、シリコンウェハの裏面を研削することによりシリコンウェハを所定の厚さまで薄くしてダイアタッチフィルムを張り付けた後にシリコンウェハをダイシングして各々がダイアタッチフィルムをその裏面に有する複数の磁気メモリチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】硬化後、ガラス転移温度以下の温度領域においては線膨張率及び弾性率が低くなり、かつ、ガラス転移温度以上の温度領域においては弾性率が高くなり、信頼性の高い接合体を得ることのできる電子部品用接合材を提供する。
【解決手段】硬化性化合物と、硬化剤と、ポリイミド粒子とを含有し、前記ポリイミド粒子は、表面に凹凸のある形状を有し、平均粒子径が０．０３〜１０μｍである電子部品用接合材。表面に凹凸のある形状は、規則的な形状、又は、球場の表面に凹凸が形成された形状でなくとも、粒子状又はフィルム状のポリイミドを機械的に粉砕して得た不規則な凹凸ある形状であってもよい。 （もっと読む）