【課題】高熱伝導率で放熱特性に優れ、接着性が良好で耐湿試験後の信頼性に優れた熱伝導性接着剤組成物並びにそれを用いた接着用シート及び熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂と反応性の官能基をポリマー骨格に有するポリマー、(B)１分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するエポキシ樹脂、及び(C)特定の平均組成式で表される数平均分子量500〜10000のシリコーン化合物で表面処理をした熱伝導率が10W/mK以上の無機充填剤、を含む熱伝導性接着剤組成物；基材と、該基材上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた接着用シート；基材とその上に設けられた粘着剤層とを有するダイシングフィルムと、該ダイシングフィルムの粘着剤層上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルム。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いたＦＥＴを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたＦＥＴが形成されたチップ３０と、前記チップがＡｇペースト２２を用い搭載されたベース１２と、前記チップ３０を封止するガラス転移温度が１９０℃以上の樹脂２０と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】耐イオンマイグレーションに優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る半導体装置は、導体ベースプレートと、導体ベースプレートに配置された第１接着剤と、第１接着剤上に配置され、導体ベースプレートと接着される半導体チップと、導体ベースプレート上において、半導体チップと導体ベースプレートとの接合面の外周に配置され、第１接着剤を被覆する第２接着剤とを備え、第１接着剤は、導電性金属成分を含有し、前記第２接着剤は、導電性金属成分を含有していない。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン形成性、パターン形成後の接着性、接着後の耐熱性に優れ、フィルム状に形成した場合には低温貼付性にも優れた感光性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有し、（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂が、ポリイミド樹脂を含み、（Ｂ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含み、（Ｃ）放射線重合性化合物が、アクリレート化合物及びメタクリレート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含み、（Ｄ）光開始剤が特定の化合物を含み、当該感光性接着剤組成物の３％重量減少温度が２７５℃以上である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】基板デザインに依存せず、ボイドのない半導体装置が簡便に製造できる接着剤を提供することにある。
【解決手段】本発明にかかる接着剤は、チップと配線基板とを未硬化の接着剤を介してダイボンドし、前記チップがダイボンドされた配線基板を加熱し、前記未硬化の接着剤を硬化させて半導体装置を製造するときに、前記硬化が完了する前に、前記チップがダイボンドされた配線基板を、下記式（１）で表される埋め込み指数αが７５Ｋ^-1以下となる条件で、静圧により加圧するとともに加熱する静圧加圧工程とを含む半導体装置の製造方法に用いられる前記接着剤であって、１２０℃における弾性率Ｇが３００００Ｐａ以下であることを特徴とする。
α＝［Ｇ／（Ｐ×Ｔ）］×１０⁶ （１）
（式中、Ｐは常圧に対する圧力（Ｐａ）を示し、Ｔは加熱温度（Ｋ）を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、チップに工程数が増加し、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与する。
【解決手段】チップ用樹脂膜形成用組成物は、金属化合物の表面を有機化合物により修飾してなるゲッタリング剤（Ａ）および硬化性成分（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時のチップ飛びを防止できる程度に十分な粘着力を維持しながら、ピックアップ時にはチップを容易に剥離することができ、ブリードアウトによる接着剤層の汚染も抑制する。
【解決手段】粘着テープ１２は、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂが形成された粘着テープである。粘着テープ１２では、粘着剤層１２ｂの成分として、アクリル系共重合体化合物のイソシアネート基と反応しうる官能基に対し、１官能イソシアネート化合物を５〜１００％相当の官能基比率で含有されている。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程時における基材の変形に伴う接着剤層の収縮を抑制することができる接着剤層を有するダイシング・ダイボンディングシートを提供する。
【解決手段】基材上１に接着剤層２が積層されたダイシング・ダイボンディングシート１０であって、前記接着剤層は、硬化前の状態において、８０℃における貯蔵弾性率が５００００〜５００００００Ｐａであり、かつ、８０℃環境下の２０％捻り応力付加の１２０秒後における応力緩和率が３０〜９０％である。 （もっと読む）

【課題】印刷法で平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を付設でき、接着性に優れる接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 レベリング作用を有する表面調整剤を含む接着剤組成物を用いて、半導体ウエハの表面に、平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を印刷法により付設したことを特徴とする接着剤付きウエハ。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程時における基材の変形に伴う接着剤層の収縮を抑制することができる接着剤層を有するダイシング・ダイボンディングシートを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンディングシート１０は、基材１上に接着剤層２が積層されたものであって、接着剤層２は、硬化前の状態において、８０℃における貯蔵弾性率が５００００〜５００００００Ｐａであり、かつ、８０℃におけるｔａｎδが０．１〜０．３８である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と支持部材との接続において接続信頼性を向上させることが可能なフィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るフィルム状接着剤１は、（ａ）軟化点が８０℃以下であり且つ１５０℃におけるゲル化時間が９０秒以下であるエポキシ樹脂６〜２０質量％、及び、１５０℃におけるゲル化時間が１５０秒以上であるエポキシ樹脂３５〜５０質量％を含む熱硬化性成分と、（ｂ）架橋性官能基をモノマー比率で３〜１５％有し、重量平均分子量が１０万〜８０万であり且つＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分と、（ｃ）無機フィラーと、を含有し、高分子量成分の含有量が熱硬化性成分１００質量部を基準として３０〜１００質量部であり、無機フィラーの含有量が熱硬化性成分１００質量部を基準として１０〜６０質量部である。 （もっと読む）

【課題】 短時間で、かつ高温を要しない熱硬化処理であっても被着体に対して十分な接着力を得られると共に、作製後も粘度の上昇を抑制可能な接着フィルム、及び当該接着フィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の接着フィルムは、カルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位を含む熱可塑性成分と、エポキシ樹脂とを含む接着剤組成物により構成されており、上記熱可塑性成分におけるカルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位の含有率が１．５ｍｏｌ％以上１１ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）

【課題】チップの反りを抑制する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】集積回路が表面に設けられたチップの側面に側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第１の接着工程と、前記第１の接着工程の後に前記裏面接着部材を加熱して前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第２の接着工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】外付けされるキャパシタを内蔵した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０では、絶縁性フィルム１２が、第１の面１１ｃと第２の面１１ｄを有する導電性部材１１ａの第１の面１１ｃに設けられている。第１の面３１ａと第２の面３１ｂを有する第１導電型の半導体基板３１が、第２の面３１ｂが絶縁性フィルム１２側になるように設けられている。半導体基板３１の第１の面３１ａ側に、ゲート絶縁膜３４を介して形成されたゲート電極３５と、ゲート電極３５を挟むように形成された第２導電型の第１および第２不純物拡散層３６、３７とを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ２１が設けられている。第１不純物拡散層３６が半導体基板３１に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 イオン捕捉性の接着シートを採用してもその接着シートのイオン捕捉性の低下を防止することができるとともに、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材及び該基材上に積層された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された接着シートとを備え、上記接着シートは、金属イオンを捕捉し得るイオン捕捉剤を含み、上記粘着剤層の２６℃での貯蔵弾性率が１．０×１０^４Ｐａ以上１．０×１０^７Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 高温に長時間晒されたとしても、ダイボンドフィルムと被着体との境界におけるボイドの発生を低減することができるダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 ニトリル基含有熱硬化性アクリル共重合体と硬化剤とを含有し、示差熱量計を用い、２５℃から３００℃まで１０℃／分の昇温速度にて測定した場合の発熱量が１０ｍＪ／ｍｇ以下であるダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】耐湿信頼性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、半焼成ハイドロタルサイトと、半焼成ハイドロタルサイトと異なる無機充填剤とを含むことを特徴とする。また、半導体装置は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子１が封止されてなることを特徴とする。 （もっと読む）