【課題】半導体ウエハ、チップに工程数が増加し、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与する。
【解決手段】チップ用樹脂膜形成用組成物は、金属化合物の表面を有機化合物により修飾してなるゲッタリング剤（Ａ）および硬化性成分（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ等の割れや欠けを抑制するとともに、化学的安定性があり、且つ、物性コントロールの容易な半導体装置製造用の接着シートを提供すること。
【解決手段】 カルボキシル基を有し、且つ、エポキシ基を有さない熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、２以上のフェノール性水酸基を有するベンゼン環を有し、陽イオンと錯体を形成する有機系錯体形成化合物とを有する半導体装置製造用の接着シート。 （もっと読む）

【課題】硬化後、ガラス転移温度以下の温度領域においては線膨張率及び弾性率が低くなり、かつ、ガラス転移温度以上の温度領域においては弾性率が高くなり、信頼性の高い接合体を得ることのできる電子部品用接合材を提供する。
【解決手段】硬化性化合物と、硬化剤と、ポリイミド粒子とを含有し、前記ポリイミド粒子は、表面に凹凸のある形状を有し、平均粒子径が０．０３〜１０μｍである電子部品用接合材。表面に凹凸のある形状は、規則的な形状、又は、球場の表面に凹凸が形成された形状でなくとも、粒子状又はフィルム状のポリイミドを機械的に粉砕して得た不規則な凹凸ある形状であってもよい。 （もっと読む）

【課題】高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くかつダイボンド材の変色が生じ難い光半導体装置を得ることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、白金のアルケニル錯体と酸化珪素粒子とを含む。上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体である。ダイボンド材中における比（アルケニル基の数／珪素原子に結合した水素原子の数）は、１．０以上、２．５以下である。 （もっと読む）

【課題】耐熱黄変性、耐光性、耐擦傷性及び密着性のいずれの点でも光半導体用途において要求されるレベルを十分に満足する透明な硬化物を形成することが可能な熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】特定の、メタクリロイルオキシ基含有環状シロキサン化合物、及び特定の、メタクリロイルオキシ基含有環状シロキサンで、隣接した珪素が、シロキサンを含む環状置換基で置換されている化合物で、両者を含むオルガノシロキサン中に含まれるヒドロシリル基のモル分率の値が０．０２０以下の範囲であることを特徴とするオルガノポリシロキサンを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高い信頼性を維持しながら、半導体チップと支持部材又他の半導体チップとを接着する接着剤の層を更に薄くすることを可能にする接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】放射線重合性化合物と、光開始剤と、熱硬化性樹脂と、を含有し、半導体チップを接着するために用いられる接着剤組成物。接着剤層を形成している接着剤組成物を光照射によりＢステージ化したとき、接着剤層表面のタック力が、３０℃において２００ｇｆ／ｃｍ^２以下で、１２０℃において２００ｇｆ／ｃｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】 非破壊により、はんだ接合部の劣化を容易に診断する。
【解決手段】 実施形態によれば、基板、基板の一主面上に設けられた配線部、及び配線部上にナノカーボンを含有するはんだ接合部を介して実装された少なくとも１つの半導体チップを含む電子部品を加熱しながら、電子部品の温度分布を測定し、及び温度分布の測定データに基づいてはんだ接合部の劣化を検出することを含むはんだ接合部の劣化診断方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】粒子径が均一で樹脂への分散性に優れた半導体装置実装用ペ−ストを提供する。
【解決手段】平均粒子径が０．５〜３０μｍの範囲にあり、粒子径変動係数（ＣＶ値）が３％以下であり、含有量が３０〜９０重量％の範囲にあるポリオルガノシロキサン粒子と、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、シリコ−ン系樹脂、ＢＴレジン、シアネ−ト系樹脂から選ばれた１種または２種以上からなる。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く、かつ光の反射率が高く、更に高温に晒されても黄変し難い光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さずかつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化チタンとを含む。該酸化チタンは、ルチル型酸化チタンである。該酸化チタンの熱伝導率は、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。該酸化チタンは、金属酸化物及び金属水酸化物の内の少なくとも１種により被覆されている。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びそれを備えたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】フリップチップ型半導体裏面用フィルム２は、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム２であって、熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が１０ＧＰａ〜３０ＧＰａの範囲であり、かつ、熱硬化前の２５℃における引張貯蔵弾性率に対して４倍〜２０倍の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐ＵＶ性、光反射性及び接着性に優れた硬化物を与える光半導体素子用ダイボンド剤組成物並びに該組成物を用いてなる光半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の脂環式エポキシ基を有する構造単位をモル分率０．２５〜０．７５で含み、所定長さの直鎖オルガノポリシロキサン構造を有する構造単位をモル分率０．２５〜０．７５で含有してなり、エポキシ当量が２００〜１３００ｇ／ｅｑであるシリコーン樹脂、（Ｂ）前記脂環式エポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｃ）エポキシ基と反応性の官能基を有する硬化剤、（Ｄ）硬化触媒、（Ｅ）白色顔料、（Ｆ）（Ｅ）成分以外の無機充填剤、（Ｇ）シランカップリング剤、及び（Ｈ）酸化防止剤、を各々所定量含む光半導体素子用ダイボンド剤組成物；光半導体素子と、基体と、前記ダイボンド剤組成物の硬化物とを有してなり、該硬化物を介して該光半導体素子が該基体に接着されている光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、当該半導体チップに対し充填材を介して局所的な応力が加わるのを防止し、これにより半導体チップの破損を低減することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム及びそれを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、接着剤組成物及び微粒子からなる充填材を含む熱硬化型ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さをＹ（μｍ）とし、前記充填材の最大粒径をＸ（μｍ）としたときの比率Ｘ／Ｙ（−）が１以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合層の表面を平坦化させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの回路パターンが形成された第１の面と対向する第２の面に、樹脂と溶媒とを含む接合剤を付着させる際に、接合剤を加熱して前記溶媒を蒸散させるとともに、前記接合剤が面する雰囲気における前記溶媒の蒸気圧を低下させる工程と、前記付着させた接合剤を加熱して接合層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。
【解決手段】 本発明に係る接着シートは、基材と、該基材上に剥離可能に積層された接着剤層とからなり、該接着剤層が、基材面側から、第１接着剤層および第２接着剤層がこの順に積層されてなり、該第１接着剤層が、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）および熱硬化剤（Ｃ）を含み、該第２接着剤層が、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）およびゲッタリング剤（Ｄ）を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。
【解決手段】 半導体チップをチップ搭載基板に固着するために使用する接着剤として、 アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、重金属不活性化剤（Ｃ）および硬化剤（Ｄ）を含む接着剤組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の樹脂組成物は、作業性に優れかつ、２６０℃以上という高温環境下においても半導体装置にクラック等の不具合が生じず優れた信頼性を半導体装置に付与することができる熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】
金属酸化物（Ａ）、水酸基を有する化合物（Ｂ）、および低応力剤（Ｃ）、および熱硬化性樹脂（Ｄ）を含有する樹脂組成物であって、前記金属酸化物（Ａ）がＩＲ粉体拡散反射法における３７２０ｃｍ^−１以上３７７０ｃｍ^−１未満の赤外線波長領域に生じるピーク面積値が０．1（Ａｃｍ^−１）以上２．０（Ａｃｍ^−１）未満であることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】薄型化しつつある半導体チップを狭ピッチの有機基板上に実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がなく、高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係る粘接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、ナフタレン骨格および／またはアントラセン骨格を有するエポキシ樹脂（Ｂ）および硬化剤（Ｃ）を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】個片化工程時における半導体素子の個片の保持性と、ピックアップ工程時における半導体素子の個片の剥離性とを、粘接着フィルムの輸送及び保管条件等の影響を受け難く、長期間保持することができる半導体用フィルムを提供すること。
【解決手段】接着層１と剥離層２とを有し、前記接着層１と前記剥離層２とが接合されてなり、前記接着層１の前記剥離層２と反対側の面を半導体ウエハーに貼付させ、この状態で該半導体ウエハー及び前記接着層１とを切断してそれぞれ個片化し、得られた接着層付き半導体素子の個片を前記剥離層からピックアップする際に用いる半導体用接着フィルムであって、前記剥離層２が放射線硬化樹脂を含むものであり、２５℃、相対湿度６０％の条件で３０日処理した後における前記接着層１と前記剥離層２とのピール強度が、処理前の値に対し、０．８〜１．５倍の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を小型化することが可能な、厚さの薄い接着剤層付半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】一方面上に回路を有する半導体ウェハ１０の他方面上に溶媒を含む接着剤組成物４０を塗布する塗布工程と、接着剤組成物１０の前記溶媒を除去して接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、接着剤層４０を形成した半導体ウェハ１０を切断して接着剤層付半導体チップを得る切断工程と、を備える、接着剤層付半導体チップの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属不純物イオンの半導体デバイス領域への拡散による半導体装置の特性の悪化を防ぐ、半導体装置及び接着シートを提供する。
【解決手段】半導体装置１は、基板３と、基板３上に設けられた第１の半導体チップと、第１の半導体チップ上に設けられ、裏面が鏡面処理された第２の半導体チップと、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間に設けられ、金属不純物イオンを捕獲する金属不純物イオン捕獲剤を含む接着シート５と、を備える。 （もっと読む）