【課題】減圧半田接合工程時に発生する溶融半田飛沫の飛散を防止し、前記飛沫による半導体チップの汚染や不良発生を抑制することのできる半導体チップの位置決め治具及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板の一面に載置される金属薄板に半導体チップを半田付けする際に用いられる半導体チップの位置決め治具３であって、位置決め治具３は、前記半導体チップを嵌め合わせる貫通孔２を有していて、貫通孔２の下端部に前記半導体チップに面して切り込まれた空間１３を有する半導体チップの位置決め治具とする。 （もっと読む）

【課題】接続導体との間のはんだ接合部の信頼性を確保する。
【解決手段】ジンケート法による無電解めっき法を用いて、半導体チップ１の表面側のＡｌ電極３の上にＮｉめっき層５が形成される。Ａｌ電極３の上には、選択的にＮｉめっき層５が析出されるため、周辺耐圧構造４部分には、Ｎｉめっき層５は形成されない。また、形成されるＮｉめっき層５は、所定の厚さに均一に形成することができる。続いて、Ｎｉめっき層５の上にＡｕめっき層６が形成される。無電解めっき法を用いることによって、Ａｕめっき層６もＮｉめっき層５と同様に、Ｎｉめっき層５の上に選択的、かつ均一に形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｕを主成分とする高融点Ｐｂフリーはんだを、パワー用半導体装置の内部接合材料として適用し得る接合構造体を提供する。
【解決手段】半導体素子１０１上に被覆形成される半導体素子保護樹脂２０５を、半導体素子１０１の中間接合層２０３とはんだ接合層２０４の間の外周面域にも被覆形成させ、半導体素子１０１内部の耐クラック性、および半導体素子１０１とはんだ材料１０４との界面に加わる応力の緩和性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】マウント位置のリードフレーム姿勢の変化を無くして半田厚を均等にすることによって、チップの接着状態の信頼性向上を図ることができる搬送装置を提供する。
【解決手段】上流側の半田供給点１と下流側のチップマウント点２とを備えた搬送路を、リードフレーム４が長手方向に沿って走行して、リードフレーム４の半田供給部が半田供給点１に搬送された時に半田を供給し、リードフレーム４のチップマウント部がチップマウント点３に搬送された時にチップ５をマウントする搬送装置である。半田供給部近傍及びチップマウント部近傍を押えてリードフレーム４の浮き上がりを防止する第１押え機構１０と、半田供給部近傍の押え解除状態におけるチップマウント時に、チップマウント部よりも下流側を押えてリードフレーム４の浮き上がりを防止する第２押え機構２０を設けた。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの放熱性を十分に確保できながら、半導体チップの接合材の鉛フリー化を達成することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体チップ２と、半導体チップ２が接合されるダイパッド３と、半導体チップ２とダイパッド３との間に介在され、ＢｉＳｎ系材料からなる接合材８とを有する半導体装置１において、接合材８に、半導体チップ２とダイパッド３との間の熱伝導性を向上させるためのＡｇネットワーク９を形成する。 （もっと読む）

【課題】光出力を精度良く制御することが可能なマウント部材を提供する。
【解決手段】このヒートシンク（マウント部材）Ａ１は、半導体レーザチップ２０が設置される搭載部１１が設けられたシリコン基板１０と、シリコン基板１０に一体的に形成され、搭載部１１に設置された半導体レーザチップ２０からの光を検出するモニタ用の受光素子１２とを備えている。このモニタ用の受光素子１２は、半導体レーザチップ２０からの光を受光する受光面１２ａを含んでいる。また、シリコン基板１０の上面には、段差部１３が形成されている。そして、上記搭載部１１が段差部１３の底面１３ａに設けられるとともに、受光素子１２の受光面１２ａが段差部１３の上面１３ｂに形成されることによって、受光素子１２の受光面１２ａが、搭載部１１よりも高い位置に配されている。 （もっと読む）

本質的に金、スズおよびインジウムの合金から構成される、無鉛はんだ付け材料が開示される。スズは１７．５％〜２０．５％の濃度で存在し、インジウムは２．０％〜６．０％の濃度で存在し、そして残りは金であり、合金は、２９０℃〜３４０℃、好ましくは３００℃〜３４０℃の融点を有する。溶融温度は、後シール加熱を可能にするのに十分高く、そして損傷を生じさせずに半導体のシールを可能にするのに十分低いので、本発明のはんだ付け合金は、特に半導体デバイスを密封してシールするのに有用である。 （もっと読む）

【課題】ボイドを低減できるダイボンダを提供する。
【解決手段】半田接合ダイボンダは、リードフレームを搬送するレール部と、リードフレーム上に半田を供給する半田供給部と、リードフレーム上で溶融した半田を攪拌する半田攪拌棒５と、半田攪拌棒５をリードフレームの表面と平行な方向に振動させることが可能な超音波振動子と、半田攪拌棒５で攪拌された半田上に半導体チップを搭載するチップマウント部とを備えている。半田攪拌棒５の先端面である半田攪拌面には、断面形状が略矩形である凹部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子裏面とダイパット間が剥離することがなく、放熱性の低下や剥離に伴う抵抗の増大による特性劣化を防止することができ、良好な歩留まりで高信頼性の半導体装置を安定して得ることができる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイパット２上に複数の半導体素子を並べて実装したものを１つのパッケージに樹脂封止してマルチ化を図る場合に、半導体素子４１が厚み２μｍ以上１５μｍ以下の半田６１でダイパット２に実装され、残りの半導体素子４２は銀ペーストなどのエポキシ樹脂からなるダイスボンド材６２でダイパット２に実装される。 （もっと読む）

【課題】はんだ接続部においてはんだの良好な濡れ性を確保して放熱性の低下を防止して光素子等の電子部品の特性を向上させた電子部品搭載方法を提供する。
【解決手段】電子部品１が搭載される基板４の主面側の、前記電子部品が搭載される領域の少なくとも一部に第１の導体層５を形成する工程と、該第１の導体層の少なくとも一部にはんだ６を形成する工程と、前記基板の主面側における電子部品が搭載される領域内において、前記はんだ以外の第１の導体層上あるいは前記基板の主面上に、突起物７を形成する工程と、該突起物で前記電子部品を支えた状態で前記はんだを溶融させて前記電子部品を前記基板の主面側の第１の導体層に接続して搭載する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 接合面に空洞が発生しにくい接合方法を提供することである。本発明の他の目的は、この接合方法を用いて接合した半導体装置を提供する。
【解決手段】 （ａ）第１の基板(1)の主表面上に、ＡｕＳｎ合金からＳｎを吸収して、該ＡｕＳｎ合金のＳｎの組成比を低下させる金属からなる第１のＳｎ吸収層(5)を形成する。（ｂ）第２の基板(11)の主表面上に、ＡｕＳｎ合金からＳｎを吸収して、該ＡｕＳｎ合金のＳｎの組成比を低下させる金属からなる第２のＳｎ吸収層(17)を形成する。（ｃ）前記第１のＳｎ吸収層及び前記第２のＳｎ吸収層の少なくとも一方のＳｎ吸収層の上に、ＡｕＳｎ合金からなる半田層(7)を形成する。（ｄ）前記第１の基板と第２の基板の主表面同士が対向するように、前記第１の基板と第２の基板とを密着させた状態で、前記半田層を溶融させて、該第１の基板を第２の基板に接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との間の半田接続部の位置が一致したまま、ずれることのないようにする製造プロセスを提供する。
【解決手段】基板３は、半田付け可能な表面領域４を有しており、当該半田付け可能な表面領域４上には、半田層が配置される。当該半田層には、上記半導体チップの裏面１０が固定される。上記半田層は、繰り返し溶解可能かつ耐真空性の半田材料６を含んでいる。上記半田接続部１を製造するためには、まずボンディングプロセスによって、上記表面領域上に上記半導体チップ２が固定される。次に、空隙を含まない半田層を達成するために、溶融状態にある上記半田層を有する、ボンディングされた半田接続部１が、真空半田付け炉内において真空引きされる。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に設けられた接合部に、半田、チップ部品の順に積層させた状態で半田付けする際に、チップ部品の回路基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】半田溶融時の半導体素子１２の浮き上がりを規制する規制部材２８として、溶融した半田の表面張力に打ち勝つことが可能な重量を有し、半導体素子１２より上方に位置する押さえ部３０を備えた規制部材２８を用いる。回路基板１１の接合部上に半田シート２７、半導体素子１２をその順に積層配置する。また、上側に配置された半導体素子１２の上方に所定の間隔を空けて押さえ部３０が位置するように規制部材２８を配置して、押さえ部３０を半導体素子１２の上方に位置させた状態で半田を溶融させるとともに、半田溶融時における半導体素子１２の浮き上がりを押さえ部３０に半導体素子１２を当接させることで規制する。 （もっと読む）

【課題】エキスパンドによる個片化が可能であり、且つモールド時に基板凹凸への埋込性が優れる半導体用接着シート及びダイシング一体型半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】高分子量成分を少なくとも含有する半導体用接着シートであって、０℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定によるＢステージ状態の弾性率が４０００〜１０００００ＭＰａとなり、２００℃で１０Ｈｚにおける動的粘弾性測定による硬化後の弾性率が１〜１０ＭＰａとなることを特徴とする半導体用接着シート。 （もっと読む）

この方法は、ろう材を形成するマス１６を加熱するステップを含む。本発明により、方法は、加熱ステップの前に、マス１６および部材１２を支持体１４上に配置するステップを含む。具体的には、方法は、マス１６を支持体１４上に位置付けるステップと、前記マス１６を支持体１４に対して押し付けるように、第１の圧縮力Ｆ１をマス１６上に加えるステップとを含み、第１の力Ｆ１の強度は、マス１６を平らにするように選択される所定の第１の値まで上がる。次に、方法は、部材１２を、平らにされたマス１６上に位置付けるステップと、前記部材１２を、平らにされたマス１６および支持体１４に対して押し付けるように、第２の圧縮力Ｆ２を部材１２に加えるステップとを含み、第２の力Ｆ２の強度は第２の所定値まで上がり、第２の所定値は第１の所定値より低い。
（もっと読む）

【課題】セラミックス基板上に金属板からなる回路基板を接合し、該金属回路基板の所要箇所に半導体素子を装着する構成の半導体装置で、氷点下から100℃以上の高温ヒートサイクルにも耐える高耐熱性を有した構成の提供。
【解決手段】半導体素子３の直下にMo材４ａを配置しかつ当該素子の接合部にはCu材４ｂを配置した構成とすることで、金属回路基板２と半導体素子間において、Mo材は該素子に対してCu材の平面方向の膨張を抑制でき、接合面にはMo材に比べ柔らかいCu材があることで接合部に与える応力を緩和でき、高耐熱、高強度な実装が可能となり、また、同様の作用効果を有する応力緩和機構として、Mo材は該素子直下の接合部のCu材を拘束するように配置、筒形状のMo材を採用できる。 （もっと読む）

【課題】半田接合における初期接合強度を高め、電子デバイス等を確実に半田接合し得るようにした、半田接合形成方法を提供する。
【解決手段】基板２と、基板上に形成する電極層４と、電極層上に形成する半田層５と、を含む電子デバイス実装基板１において、予め、電子デバイスを半田層５に接合した電子デバイス実装基板１を、半田層５の融点よりも低温の熱処理温度にて熱処理を施すことにより、半田接合を形成する。電子デバイスの半田接合後に、半田層５を構成する半田を熱処理することによって、平衡状態として、初期接合強度を３０ＭＰａ以上にすることができる。電子デバイスの半田付け不良が低減され、電子デバイス実装における歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】ダイシングの際にバリ現象とダイピックアップの不良を防止し、ダイボンディングの際にダイと基板間の接着力は十分維持できる半導体用ダイシングダイ接着フィルムを提供する。
【解決手段】ダイシングダイ接着フィルム１００は、第１接着層１２０、第２接着層１３０、ダイシングフィルム１４０を含み、第１接着層１２０の常温貯蔵弾性率が第２接着層１３０の常温貯蔵弾性率（Ｔ２）より小さく、Ｔ２が５０〜３００ＭＰａ、第１接着層１２０の伸張率が第２接着層１３０の伸張率（Ｅ２）より大きく、Ｅ２の常温測定値が５０〜５００％、第１接着層１２０の粘着力が第２接着層１３０の粘着力（Ｔａ２）より大きく、Ｔａ２の６０℃測定値が３０〜３５０ｇｆ、第１接着層１２０とウエハーとの剥離力（Ｐ１）は、第２接着層１３０とダイシングフィルム１４０との剥離力より大きく、Ｐ１は３０〜３００ｇｆ／ｃｍである。 （もっと読む）

【課題】 ＣｕやＮｉに対する濡れ性を向上させ、Ｐｂを含まない高温はんだ合金によるろう材を提供する。
【解決手段】 Ｇｅを２〜９質量％、Ａｌを２〜９質量％、Ｖを０．０１〜１．０質量％、残部がＺｎおよび不可避不純物からなるろう材か、あるいは、Ｇｅを２〜９質量％、Ａｌを２〜９質量％、Ｍｇを０．０１〜０．５質量％、Ｖを０．０１〜１．０質量％、残部がＺｎおよび不可避不純物からなるろう材を溶製する。 （もっと読む）

【課題】電子部品５とメタライズ層２との接合を強固なものとすることによって、電子部品５を長期間にわたり正常かつ安定に作動させ得る電子部品搭載構造体を提供することにある。
【解決手段】基体１と、該基体１上の電子部品５を搭載するための部位に被着形成され、周縁部が中央部よりも高く、且つ該中央部の断面形状が下に凸の曲面状を呈する下地金属層３と、該下地金属層３上に形成され、電子部品の下面に接合されるロウ材と、該ロウ材上に接合される面である下面が平坦である電子部品５と、を備えたことを特徴とする。
（もっと読む）