【課題】導電箔とその保護膜が形成された絶縁基材に対して平行に半導体チップを固着し、熱膨張による応力を起因とした半導体装置の損傷の防止を図る。
【解決手段】絶縁基材１１の表面上に導電箔１２が配置され、導電箔１２を覆って、その一部を露出する複数の第１の開口部１７Ａ、及び複数の第２の開口部１７Ｂを有する保護膜１７が配置されている。各第１の開口部１７Ａで露出する導電箔１２の表面上に導電突起体１４が配置される。表面に複数のパッド電極１２を有した半導体チップ２０は、その裏面が複数の導電突起体１４と対向するように、ダイボンドペースト１５を介して保護膜１７上に固着される。各第２の開口部１７Ｂで露出する導電箔１２は、それぞれボンディングワイヤを介してパッド電極２１と接続される。絶縁基材１１の表面上の半導体チップ２０等は、封止材１６に覆われて封止される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップを搭載するダイパッドと、ダイパッド上に半導体装置に接着するためのダイボンド材と、ダイパッドの周縁部に形成された溝構造と、溝構造に連結され、半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材を溜める液溜まり構造と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を基板側に向かって加圧しつつリフローはんだ付けを行うはんだ付け装置において、ワイヤボンディングの接合強度の低下を防止する。
【解決手段】重り１２により半導体素子２を基板１側に向かって加圧しつつリフローはんだ付けを行うはんだ付け装置において、重り１２における半導体素子２に接触する加圧接触面１２ａを鏡面仕上げする。これによると、リフローはんだ付け工程で半導体素子２におけるワイヤボンディング実施面２ａに傷が付くことを防止することができ、ひいてはワイヤボンディングの接合強度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル又は接着剤によって隣接する回路素子を汚染することなく、隣接する回路素子を物理的にできる限り近づけて配置できるようにするエレクトロニクスアセンブリを製造するための方法を提供する。
【解決手段】基板１２上に液体障壁３０を形成することと、液体障壁の一方の側に第１の回路素子２２を配置することと、液体障壁の反対側に第２の回路素子２４を配置する。液体４４が第１の回路素子に塗布される。第１の回路素子と第２の回路素子との間の間隔を最小にすることができるように、液体障壁を用いて、第１の回路素子に塗布された液体が第２の回路素子を汚染するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いたＦＥＴを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたＦＥＴが形成されたチップ３０と、前記チップがＡｇペースト２２を用い搭載されたベース１２と、前記チップ３０を封止するガラス転移温度が１９０℃以上の樹脂２０と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 低タック、低弾性率及び接着強度のすべてを高水準で満足することができるダイボンディング層を印刷法によって形成することができるダイボンディング用樹脂ペースト、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 ダイボンディング用樹脂ペーストは、ブタジエン樹脂（Ａ）、熱硬化性成分（Ｂ）、フィラー（Ｃ）、ゴム状フィラー（Ｄ）、並びに、２５℃、５０％ＲＨの雰囲気下で１時間経過したときの吸湿率が１％未満である溶剤（Ｅ）を含み、ゴム状フィラー（Ｄ）の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｄ）成分の総量を基準として５〜２８質量％である。 （もっと読む）

【課題】接着力をかなり高めることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、アルコキシ基を有するアルコキシ化合物とを含む。該アルコキシ化合物は、ＩＵＰＡＣの周期表における原子番号が４０までの４価の４族原子を有するアルコキシ化合物、又はＩＵＰＡＣの周期表における原子番号が４０までの２価の１２族原子を有するアルコキシ化合物、ＩＵＰＡＣの周期表における原子番号が４０までの３価の１３族原子を有するアルコキシ化合物である。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルム上のアンテナ回路に対してＩＣチップを精度よく搭載することで実装精度を向上させることができるＩＣチップ実装体の製造装置を提供する。
【解決手段】支持ローラ３３の単位回転量を支持ローラ３３の外周面を観察して検出する検出手段１２と、支持ローラ３３の正規回転量に対する回転量の誤差に関する関数を用いて検出した単位回転量に応じた誤差を割り出す割出手段１３と、支持ローラ３３の外周面上における検出手段１２で観察される観察対象位置がＩＣチップ搭載位置まで回転移動する際の正規回転量及び割出手段１３により割り出した誤差から、支持ローラ３３の外周面上における観察対象位置がＩＣチップ搭載位置まで回転移動する際の実際の回転量を求める回転量求め手段１４と、回転量求め手段１４により求められた実際の回転量に基づいて同期ローラ３１の回転を制御する回転制御手段１５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子３０と、半導体素子３０を実装する回路層２０が形成された絶縁性を有するセラミックス基板１０と、を備え、半導体素子３０と回路層２０は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも１種類を含有するアルミニウム系ろう材６０により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンダイに亀裂が入ることを防止し、ダイと基板との間の良好なジョイントを提供する。
【解決手段】ダイを基板に取付けるに際しては、ダイと基板との間にジョイントまたは電気カップリングが用いられる。装置は、基板１００と、この基板上に配置されたダイ１２０と、このダイとその基板との間の電気的ジョイントとを備え、この電気的ジョイントは、基板とダイとの間の電気的カップリングを与えるために３００℃以下で焼結されたナノ材料１１０を含む。 （もっと読む）

【課題】接着性に優れており、また、熱伝導性及び塗布作業性も良好に維持された樹脂ペースト組成物と、この樹脂ペースト組成物を用いた半導体装置とを提供する。
【解決手段】（Ａ１）１分子中に、２個のアクリロイルオキシ基と、炭素数５〜２０の脂環式構造又は炭素数４〜２０の脂肪族構造とを有するアクリロイルオキシ基含有化合物、（Ａ２）特定の一般式で表される化合物、（Ｂ）重合開始剤、及び（Ｃ）充填材を含有する樹脂ペースト組成物。支持部材、前記支持部材の表面に設置された半導体素子、前記支持部材の表面と前記半導体素子との間に介在して前記支持部材と前記半導体素子とを固定する前記の樹脂ペースト組成物の硬化物、及び前記支持部材の一部と前記半導体素子とを封止する封止材、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】印刷法で平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を付設でき、接着性に優れる接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 レベリング作用を有する表面調整剤を含む接着剤組成物を用いて、半導体ウエハの表面に、平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を印刷法により付設したことを特徴とする接着剤付きウエハ。 （もっと読む）

【課題】シリンジのネジ締結部の緩みを排除して、ペーストの漏れを防止することができるペースト塗布装置を提供することを目的とする。
【解決手段】シリンジ１６の下端部に設けられたペースト送給口１６ｅがねじ締結部を介して着脱自在に接続される回転部材３２を軸線ＡＺ廻りに回転自在に保持し、この回転部材３２の下部に設けられた吐出ネジ部３２ｂが嵌合する吐出空間３１ｂが形成され、吐出ネジ部３２ｂを吐出空間３１ｂ内で軸線ＡＺ廻りに回転させることによりペーストを圧送するためのポンプ機構１８を形成するケーシング部３１と、回転部材３２をケーシング部３１に対して所定方向に相対回転させることによりポンプ機構１８を作動させてペーストを吐出口１７ａから吐出させる吐出用回転駆動機構とを備えた構成において、回転部材３２のペースト吐出時の回転方向をねじ締結部による締結時の回転方向と逆方向に設定する。 （もっと読む）

【課題】電子部品において平坦な上面を有するパッドを作製する方法を提供する。
【解決手段】ａ）第一電子基板上２０２に硬化性シリコーン組成物の平坦な上面を有する堆積物２０５をステンシル印刷する過程であって、第一電子基板が半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択され、平坦な上面を有する堆積物のステンシル印刷がダウンステップステンシルを通したスクイジーにより行われる、堆積物をステンシル印刷する過程と、ｂ）平坦な上面を有する堆積物を硬化させる過程であって、それにより、平坦な上面を有するパッドを形成する、堆積物を硬化させる過程と、任意にｃ）平坦な上面を有するパッドの上面に第二電子基板２０６を接着する過程であって、第二電子基板は半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択される、第二電子基板を接着する過程、並びに、任意にｄ）過程ａ）、ｂ）及びｃ）を反復する過程を包含する、パッドを作製する方法。 （もっと読む）

【課題】高温環境下における回路基板からの電子部品の剥離を抑制することによって、信頼性を高めた電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品モジュール１は、セラミックス基板３の両面に第１および第２の金属板５、７が接合された回路基板２と、第１の金属板５に第１のろう材層８を介して接合され、少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品９と、第２の金属板７に第２のろう材層１０を介して接合されたベース板１１とを具備する。第１のろう材層８は、電子部品９の使用温度より高く、かつ５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するＡｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材からなる。第２の金属板７の厚さに対する第１の金属板５の厚さの比は５０〜２００％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）上に多孔質状金属層（Ｃ）を介して半導体素子（Ｓ）の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】耐湿信頼性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、半焼成ハイドロタルサイトと、半焼成ハイドロタルサイトと異なる無機充填剤とを含むことを特徴とする。また、半導体装置は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子１が封止されてなることを特徴とする。 （もっと読む）