【課題】 コレットの蓄熱がある場合においても、ミスすることなく接着剤層つき半導体素子をピックアップ可能な、良好な半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】 剥離フィルムと、該剥離フィルム上に部分的に形成された接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ、該接着剤層の周囲で該剥離フィルムに接するように形成された粘着フィルムとが積層された半導体用接着シートであって、ＪＩＳ Ｋ ７１２７／２／３００にしたがって、該粘着フィルムの２５ｍｍ幅短冊状サンプルを、１００ｍｍの標線間距離およびつかみ間距離で引張強度試験を実施したときに、該粘着フィルムは伸び率が２０％までは降伏点を持たず、かつ該粘着フィルムの５％モジュラスが６．０ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体用接着シート。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時のチップ飛びを防止できる程度に十分な粘着力を維持しながら、ピックアップ時にはチップを容易に剥離することができ、ブリードアウトによる接着剤層の汚染も抑制する。
【解決手段】粘着テープ１２は、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂが形成された粘着テープである。粘着テープ１２では、粘着剤層１２ｂの成分として、アクリル系共重合体化合物のイソシアネート基と反応しうる官能基に対し、１官能イソシアネート化合物を５〜１００％相当の官能基比率で含有されている。 （もっと読む）

【課題】粘接着剤層を精度よくダイシングでき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを備える。ダイシング時に、ダイシング層５の外周部分に環状のダイシングリング２６が貼り付けられる。ダイシング層５の径は基材層４の径よりも大きい。ダイシングリングの内径をＸとしたときに、ダイシング層５の径が１Ｘを超え、基材層４の径が０．９１Ｘ以上である。本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットは、ダイシング−ダイボンディングテープ１とダイシングリング２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】印刷法で平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を付設でき、接着性に優れる接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 レベリング作用を有する表面調整剤を含む接着剤組成物を用いて、半導体ウエハの表面に、平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を印刷法により付設したことを特徴とする接着剤付きウエハ。 （もっと読む）

【課題】 短時間で、かつ高温を要しない熱硬化処理であっても被着体に対して十分な接着力を得られると共に、作製後も粘度の上昇を抑制可能な接着フィルム、及び当該接着フィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の接着フィルムは、カルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位を含む熱可塑性成分と、エポキシ樹脂とを含む接着剤組成物により構成されており、上記熱可塑性成分におけるカルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位の含有率が１．５ｍｏｌ％以上１１ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）

【課題】電子部品において平坦な上面を有するパッドを作製する方法を提供する。
【解決手段】ａ）第一電子基板上２０２に硬化性シリコーン組成物の平坦な上面を有する堆積物２０５をステンシル印刷する過程であって、第一電子基板が半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択され、平坦な上面を有する堆積物のステンシル印刷がダウンステップステンシルを通したスクイジーにより行われる、堆積物をステンシル印刷する過程と、ｂ）平坦な上面を有する堆積物を硬化させる過程であって、それにより、平坦な上面を有するパッドを形成する、堆積物を硬化させる過程と、任意にｃ）平坦な上面を有するパッドの上面に第二電子基板２０６を接着する過程であって、第二電子基板は半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択される、第二電子基板を接着する過程、並びに、任意にｄ）過程ａ）、ｂ）及びｃ）を反復する過程を包含する、パッドを作製する方法。 （もっと読む）

【課題】チップの反りを抑制する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】集積回路が表面に設けられたチップの側面に側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第１の接着工程と、前記第１の接着工程の後に前記裏面接着部材を加熱して前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第２の接着工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法を用いて形成される外部端子を有する半導体装置の製造において、欠けのない封止体を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの表面が第１ステージの表面と対向するように、第１温度（例えば８０〜１００℃）に加熱された第１ステージの表面上に半導体ウエハを配置して、半導体ウエハの裏面に接着剤を貼り付けた後、半導体ウエハに第１温度よりも高い第２温度の熱処理を施す。さらに、半導体ウエハおよび接着剤を切断領域に沿って切断して複数の半導体チップを取得した後、第３温度（例えば４０〜８０℃）に加熱された第２ステージの表面上に母基板を配置して、母基板の上面に接着剤を介して半導体チップを固定する。 （もっと読む）

【課題】 イオン捕捉性の接着シートを採用してもその接着シートのイオン捕捉性の低下を防止することができるとともに、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材及び該基材上に積層された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された接着シートとを備え、上記接着シートは、金属イオンを捕捉し得るイオン捕捉剤を含み、上記粘着剤層の２６℃での貯蔵弾性率が１．０×１０^４Ｐａ以上１．０×１０^７Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で正確なピックアップを行える接着剤層付き片状体を製造可能な転写装置および転写方法を提供することにある。
【解決手段】転写装置１は、接着シートＳ１を介してウェハＷを支持する第１支持手段２と、ウェハＷに対向配置させて転写シートＳ２を支持する第２支持手段３と、ウェハＷと転写シートＳ２とを互いに接近する方向に移動して当接させる当接手段４と、転写シートＳ２の接着剤層ＡＤ２を流動化させる流動化手段５と、接着シートＳ１を変形させて接着剤層ＡＤ２に貼付する押圧手段６と、接着シートＳ１を転写シートＳ２から離間する方向に移動させて、接着剤層ＡＤ２を基材シートＢＳ２から引き剥がす割断手段７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 プロセスおよびフィラーやワイヤー等の材料に含まれる銀によるイオンマイグレーションを防止でき、長期信頼性の確保が可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】 接着剤層とボンディングワイヤーとを有する半導体装置であって、ボンディングワイヤーの一部が接着剤層内に埋め込まれており、接着剤層に用いられる接着シートは、１０ｐｐｍの銀イオンを有する水溶液５０ｍｌ中に、重さ２．５ｇの接着シートを浸漬し、１２０℃で２０時間放置した後の水溶液中の銀イオン濃度が、０〜９．９ｐｐｍである半導体装置。 （もっと読む）

【課題】接着剤層を片状体の形状に沿って正確に分割することのできる転写装置および転写方法を提供する。
【解決手段】転写装置１は、接着シートＳ１およびリングフレームＲＦ１を介してウェハＷを支持する第１支持手段２と、ウェハＷに対向配置させて転写シートＳ２を支持する第２支持手段３と、ウェハＷと転写シートＳ２とを互いに離間接近させる当接手段４と、転写シートＳ２の接着剤層ＡＤ２を流動化させる流動化手段５と、接着剤層ＡＤ２を割断する割断手段６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 高温処理を施しても半導体チップからの剥離が生じず、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能な接着シートを提供すること。
【解決手段】 イオン捕捉剤を含む接着剤組成物により構成され、１７５℃で５時間硬化させた後の２６０℃での引張貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下である接着シート。 （もっと読む）

【課題】ウェハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えた接着シートにおいて、チップと配線接続基板との間の熱応力を緩和できる構成を提供する。
【解決手段】本発明の接着シートは、放射性重合性基材上にダイボンディング剤として使用できる接着剤層を有しているので、ウェハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えた接着シートを提供できる。また、接着剤層として、Ｂステージ状態で相分離する２種類の樹脂であって、Ｂステージ状態で分散相を形成する樹脂（Ａ）と連続相を形成する樹脂（Ｂ）とを持ち、前記樹脂（Ａ）は、未硬化状態での重量平均分子量が１万以下で、前記樹脂（Ｂ）は、未硬化状態での重量平均分子量が１０万以上である。 （もっと読む）

【課題】ピックアップ工程において小さい突き上げ量でも、半導体チップを十分にピックアップ可能なダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供すること。
【解決手段】本発明のダイシング・ダイボンディング一体型テープは、基材層、粘着層及び接着層がこの順で積層されたものであり、粘着層は光照射前の破断伸びが１４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】部分的に設けられた複数の接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合においても、接着剤層への巻き跡の転写が抑制されるとともに、積層体を剥離する装置への悪影響も抑制される接着シートを提供することを課題とする。
【解決手段】剥離基材１と、剥離基材１の面３０に、剥離基材１の長手方向に沿って部分的に設けられた接着剤層２と、接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように形成された粘着フィルム層３と、剥離基材１の短手方向両端部において、剥離基材１の面３０から面５０にかけて延在して設けられた粘着フィルム層２０と、を有し、剥離基材１の短手方向両端部における接着シート１００の厚みは、接着剤層２の中央部における接着シート１００の厚み以上である接着シート１００である。 （もっと読む）

【課題】ペースト状態で室温開放系における粘度安定性及びＢステージ保存安定性に優れ、且つ、ボイドの無い硬化物を与える接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】成分（Ａ）エポキシ樹脂、成分（Ｂ）エポキシ樹脂硬化促進剤、成分（Ｃ）２５℃において固体状の熱可塑性樹脂の粒子、成分（Ｄ）ブチルカルビトールアセテート、成分（Ｅ）エポキシ樹脂硬化剤、及び成分（Ｆ）無機充填剤を含み、前記成分（Ｃ）が前記成分（Ｄ）に室温で溶解も膨潤もせずに残存している状態であることを特徴とする接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】高接着性と低弾性を両立し得る接着シート及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】高分子量成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有する接着シートであって、上記熱硬化性成分（Ｂ）が特定の構造を有するフェノール樹脂及びフェノール誘導体の少なくとも一種であるフェノール類を含む接着シート。 （もっと読む）