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Fターム[5F047CA08]の内容

ダイボンディング (10,903) | ダイ(材料) (151) | 受光、発光、レーザ (93)

Fターム[5F047CA08]に分類される特許

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【課題】先に剥離すべき剥離フィルムに接着剤層が転着したり、接着剤層の端部がめくれ上がったりする問題がなく、歩留りの向上やタクトタイムの短縮に貢献する半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】硬化性組成物からなる接着剤層(3)の両面に、剥離フィルムA(1)、B(2)が剥離可能に貼着されてなる半導体素子を該取付部に接着するための半導体用接着シートであって、
剥離フィルムの曲げ剛性相対値(N・m=弾性率E(MPa)×(フィルム厚)3(mm3))が剥離フィルムA(1)のほうが剥離フィルムB(2)より大きく、
剥離フィルムB(2)の曲げ剛性相対値が0.2以上であり、
剥離フィルムA(1)の曲げ剛性相対値−剥離フィルムBの曲げ剛性相対値が0.5以上
である半導体用接着シート。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、光半導体装置を効率よく製造でき、特にLED、LDをはじめとした光半導体素子を光半導体装置の素子取付部に固定するまでの作業を効率よく行うことができ、光半導体装置の製造の生産性を高めることができる光半導体装置用粘着フィルム、光半導体装置用粘着フィルムシート、及び光半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウエーハから切り出されソーティングされた光半導体素子を基材シート上からピックアップし、前記光半導体素子を光半導体装置内の素子取付部に搭載した後、前記光半導体素子を前記素子取付部に硬化せずに固定するために用いる光半導体装置用粘着フィルムであって、
フィルム状に成形されており、前記基材シート上に配置されており、前記基材シートから剥離できるものであることを特徴とする光半導体装置用粘着フィルム。 (もっと読む)


【課題】接着力をかなり高めることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第1のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第2のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、アルコキシ基を有するアルコキシ化合物とを含む。該アルコキシ化合物は、IUPACの周期表における原子番号が40までの4価の4族原子を有するアルコキシ化合物、又はIUPACの周期表における原子番号が40までの2価の12族原子を有するアルコキシ化合物、IUPACの周期表における原子番号が40までの3価の13族原子を有するアルコキシ化合物である。 (もっと読む)


【課題】 発光面となる前面側がチップ基板上から浮き上がることなくハンダによって電気的接合することができると共に、ある一定の傾きを有した状態でも安定して電気的接合を図ることのできるLEDチップを提供することである。
【解決手段】 前面12aが発光面、背面12bが電極面となるPN接合構造による発光本体12と、前記背面12bにP層及びN層の一部が露出する一対のチップ電極13a,13bとを備え、前記前面12a及び背面12bと直交する一側面を載置面12cとして、電極パターンが形成されたチップ基板上に載置されるLEDチップ11において、前記背面12b側の一部に、前記載置面12cの一端から延長する底面部14aを有して突出する実装支持部材14を設けた。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板10は、セラミックス基板11とその上に形成された配線層12とを具備する。配線層12は、セラミックス基板11の表面に順に積層された下地金属層15、第1の拡散防止層16および第1のAu層17を有する配線部13と、配線部13上の所望の位置に順に積層された第2の拡散防止層19、空孔抑制層20および半田層18を有する接続部14とを備える。空孔抑制層20はAuやAuを85質量%以上含むAu−Sn合金により構成される。 (もっと読む)


【課題】フェイスアップ実装方法において、低コストで半導体チップを損傷する虞のない半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】主平面20Aと、裏面20Bとを備えた半導体チップ20を基板10上に実装する半導体チップ実装方法であって、半導体チップ20の主平面20Aにチップ側バンプ41を形成するチップ側バンプ形成工程と、ピックアップ手段60の吸着面61にチップ側バンプ41を当接させながら半導体チップ20をピックアップするピックアップ工程と、裏面20Bが基板10と対向するように半導体チップ20を基板10の所定位置に載置する載置工程と、半導体チップ20を基板10に固定する固定工程と、を有する半導体チップの実装方法により上記課題が解決される。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な方法で、電子デバイスを構成する部材間の接合強度をより高めることが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体2と、半導体基体2を実装する基体1と、半導体基体2を基体1側に接合する接合部3とを備えた電子デバイス10の製造方法であって、接合部3がAuを含む接合材料からなり、半導体基体2の接合部3側が接合材料を構成する元素以外から構成される母材材料からなり、基体1に設けた接合部3を溶融する温度以上に加熱して液相状態にした接合材料と固相状態の母材材料とを接触させる接触工程と、接触工程後に、Auと母材材料を構成する元素との合金の融点の温度以上に加熱して、半導体基体2を基体1側に接合する接合工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】レーザ光源の位置に狂いが生じたり、半田が破壊されたりするといった問題を生じることのない、信頼性の高いレーザモジュールを実現するために、融点の低いAu−Sn90%半田を、接合後に、硬質半田として使用し得る接合方法を提供する。
【解決手段】2つの部材Aと,Bと、をAu−Sn半田で接合する接合方法であって、接合後のAu−Sn半田S’におけるSnの重量%濃度を、38.0%以上82.3%以下としている。 (もっと読む)


【課題】耐熱、耐UV性、貯蔵安定性が良好な硬化物を与える樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式(1)の構造を有するシリコーン変性エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。


[式中、R1、R2は特定の有機基、Yは環状エーテル基を含有する有機基。] (もっと読む)


【課題】 放熱性がよく、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことのない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置1は、少なくとも1つ以上のレーザ発光部12を含む半導体レーザ素子10と、半導体レーザ素子10が実装されるサブマウント20と、サブマウント20が搭載される搭載面31aを有するパッケージ30とを含み、サブマウント20の厚み方向Z2の一方の表面部は、半導体レーザ素子10が実装される平坦な実装面21aを有し、他方の表面部である接合側表面部21bは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分25aと、平坦部分25aに囲繞される部分であって、平坦部分25aの表面よりも窪んだ凹部26を有する凹凸部分25bとから成り、接合側表面部21bを介して、サブマウント20がパッケージ30に接合される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは400nm以上5μm以下であり、前記酸化銀の層の最表面は1μmより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 (もっと読む)


【課題】高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くかつダイボンド材の変色が生じ難い光半導体装置を得ることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第1のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第2のシリコーン樹脂と、白金のアルケニル錯体と酸化珪素粒子とを含む。上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体である。ダイボンド材中における比(アルケニル基の数/珪素原子に結合した水素原子の数)は、1.0以上、2.5以下である。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、搭載部品の下面に応力が残留するのを抑制しつつ、搭載部品を被搭載部材上の所望高さに実装することができる部品搭載方法および部品搭載装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る部品搭載装置10は、搭載部品20を被搭載部材30に近づけて、搭載部品20の下面21を支持部材40の高さに半田部材50の熱収縮高さを加えた所定の高さ位置13に維持する保持手段11と、半田部材50を加熱後に冷却する加熱冷却手段12と、を備える。ここで、下面21を所定の高さ位置13に維持した状態で、加熱冷却手段12が半田部材50の冷却を開始すると共に保持手段11が搭載部品20を保持する保持力を半田部材50の熱収縮力より小さくする。 (もっと読む)


【課題】接着剤の量や形状の制御が容易で歩留まりを向上でき、さらに工程全体のタクトタイムを短くできる、LED加工用シートを提供する。
【解決手段】基材12a上に、粘着剤層12bと複数の接着剤層13とがこの順に形成されたLED加工用シート10であって、接着剤層13は、当該接着剤層13上に設けられるチップ2のサイズに対応した大きさで、複数の接着剤層13が、粘着剤層12b上に非連続に形成されている。 (もっと読む)


【課題】 めっき法や真空成膜法等で成膜する高価なNi接合層に対し、金属粒子と溶剤を主成分とする金属ペースト等を代わりに用いることで、製造工程を簡便にし、ランニングコストの大幅な改善を行うことができる接合用積層体、およびこの接合用積層体を含むLED素子等に使用可能な接合体を提供することを課題とする。
【解決手段】 金属ナノ粒子焼結体層11と、金属粒子または金属酸化物粒子を含む接合層12と、を備えることを特徴とする、接合用積層体1である。 (もっと読む)


【課題】ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができ、更に硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】光半導体装置用ダイボンド材は、下記式(1)で表され、かつアリール基と珪素原子に結合した水素原子とを有する第1のシリコーン樹脂と、下記式(51)で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第2のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。光半導体装置用ダイボンド材では、上記第1のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第2のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さない。
(もっと読む)


【課題】 キャリア上に搭載される光学部品の反りを抑制可能な光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本光半導体装置の製造方法は、キャリア30上に供給されたロウ材40を溶融させる工程と、溶融したロウ材40上に、部品保持用のツール50を用いて半導体レーザチップ60を搭載する工程と、ロウ材40を冷却して固化する工程と、ロウ材40を冷却する工程の後、半導体レーザチップ60からツール50を離した状態で、半導体レーザチップ60が搭載されたロウ材40を再溶融させる工程と、再溶融されたロウ材40を再び冷却して固化する工程と、含む。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と基板とのダイボンディング接合において、半導体素子が実装される装置の大型化を引き起こすことなく、接合部位からのダイボンド剤の溢れ出しを起こりにくくし、かつ半導体素子から基板への放熱が効率良く起こるようにする。
【解決手段】半導体素子(LED)3が載置される素子載置面2aに、複数の環状凸条部2bが設けられる。LED3と素子載置面2aとをダイボンディング接合する際に、環状凸条部2bがダイボンド剤4の広がりを抑制するため、ダイボンド剤4は素子載置面2aの周辺部へ溢れ出しにくくなる。また、環状凸条部2bは、LED3と素子載置面2aとの接合面面積を大きくするため、LED3の放熱効率を向上することができる。更に、環状凸条部2bは、素子載置面2aの直下に設けられるため、LED3が実装される装置の大型化を引き起こさない。 (もっと読む)


【課題】本発明は、実装する半導体レーザの発光領域に対する応力をより低減し、且つ、半導体レーザとの接合強度を確保することができる半田付け構造及び半田付け方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半田付け構造は、発光領域を有する半導体レーザを実装可能な半田付け構造であって、第一の電極と、第一の電極の第一領域に形成された第一の半田と、第一の電極の第二領域に形成された第二の半田と、を有し、第一領域は、第一の電極の表面のうち、半田付け構造に半導体レーザが実装された場合に、発光領域の直下に位置する領域であり、第二領域は、第一の電極の表面のうち、第一の領域を除いた領域であり、第一の半田の引張強度は、第二の半田の引張強度よりも小さく、第一の半田と第二の半田とは、半田付け構造に半導体レーザが実装された状態において、互いに接触しない。 (もっと読む)


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