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Fターム[5F047FA56]の内容

ダイボンディング (10,903) | ボンディング装置 (2,221) | 加熱部材 (134) | マイクロ波 (4)

Fターム[5F047FA56]に分類される特許

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【課題】チップの特性を劣化させることなく低コストで基板へ実装することが可能な実装方法および吸着コレットを提供する。
【解決手段】吸着コレット100として、セラミック(例えば、窒化アルミニウムなど)により形成されるとともにLEDチップ(チップ)1の吸着部位101を含む第1の平面P1とLEDチップ1における接合面を含む第2の平面P2との間で第1の平面P1および第2の平面P2に平行な仮想平面VP(ここでは、第1の平面P1と同一平面)上に表面が位置する熱放射領域102を吸着部位101の周囲に設けたものを用い、LEDチップ1を介するウェハ(基板)200の加熱に加えて熱放射領域102からの熱放射によりウェハ200を加熱するようにしている。 (もっと読む)


【課題】チップを破損させたり、接合材の十分な展開を阻害したりすることなく、チップ搭載プロセスに必要な時間を短縮することができるダイボンディング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ディスペンサから供給されたシリンジ1内の接合材2は、ヒータユニット3により加熱される。接合材2は、温度が高くなると、粘度が低下するので、接合材2をシリンジ1内で加熱することにより、接合材2の粘度を低下させ、接合材2の流動性を高める。これにより、接合材2は、シリンジ1からノズル1bを介して吐出されるときから、粘性が低く、高速で吐出することができると共に、リードフレーム11上に供給された接合材2は、接合部14上で半導体チップ13の低荷重での押圧により容易に広がり、展開される。 (もっと読む)


【課題】ボンディング済みの電子部品の不要加熱を防止することが可能な電子部品の実装装置を提供する。
【解決手段】電子部品Aを加熱された基材B上にボンディングする電子部品の実装装置において、前記基材Bの前記電子部品Aをボンディングする部位の下面に接触して当該基材Bを部分的に加熱する加熱部材6と、前記基材Bの前記加熱部材6にて加熱される部分の周囲を冷却する冷却手段7とを備えた。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を接合部に良好に半田付けすることができるとともに、良好な半田フィレットの形成を可能とすること。
【解決手段】位置決め治具IKは、第1の治具32と、第2の治具35とを備えている。第1の治具32は、半田シート33及び半導体素子12を挿入可能な位置決め孔34を有し、該位置決め孔34が金属回路13に対応するように回路基板11に配置される。第2の治具35は、位置決め孔34に挿脱可能であるとともに、位置決め孔34内への挿入状態にて金属回路13に対向配置されて半田シート33上の半導体素子12を回路基板11側へ加圧する加圧面35aを備えている。そして、第2の治具35は、位置決め孔34への第2の治具35の挿入時に加圧面35aが金属回路13の対向位置に配置されるように位置決め孔34の壁面34aによって位置決めされる。 (もっと読む)


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