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Fターム[5F048AC10]の内容

MOSIC、バイポーラ・MOSIC (97,815) | 集積回路要素 (9,617) | L、C、R、ダイオード等を含む (1,648)

Fターム[5F048AC10]に分類される特許

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【課題】ダイオードの逆回復特性を改善する技術を提供すること。
【解決手段】モノリシック集積回路100は、半導体層6と絶縁分離部4とダイオード16を備えている。絶縁分離部4は、平面視したときに、半導体層6の一部である島領域8を周囲から絶縁している。ダイオード16は、島領域8に形成されている。ダイオード16は、第1導電型の中央領域14と第2導電型の環状領域10を有している。中央領域14と環状領域10は、半導体層6の表層に形成されている。平面視したときに、環状領域10は、中央領域14の周囲を一巡している。島領域8には、半導体層6を貫通する貫通部18が形成されている。貫通部18は、中央領域14に囲まれている。モノリシック集積回路100では、絶縁分離部4を画定するトレンチと貫通部18を画定するトレンチが、同一の製造工程で作製される。 (もっと読む)


【課題】微細化に対応した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の第1の領域内に第1の方向に沿って交互に配置されるように第1及び第2の素子分離領域を形成する。この際、第1及び第2の素子分離領域のうち少なくとも一方の素子分離領域の側面は半導体基板の主面に対して垂直とならないように第1及び第2の素子分離領域を形成する。この後、第1及び第2の素子分離領域の上部を除去して、第1の素子分離領域と第2の素子分離領域の間の半導体基板をフィンとして形成する。 (もっと読む)


【課題】能動素子または受動素子が一つの半導体基板に複数個形成されてなる半導体装置およびその製造方法であって、両面電極素子についても絶縁分離と集積化が可能であり、安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板20が、当該半導体基板20を貫通する絶縁分離トレンチTに取り囲まれて、複数のフィールド領域F1〜F8に分割されてなり、複数個の能動素子31〜33,41〜43または受動素子51,52が、それぞれ異なるフィールド領域F1〜F8に分散して配置されてなり、二個以上の素子が、当該素子に通電するための一組の電極dr1,dr2が半導体基板20の両側の表面S1,S2に分散して配置されてなる、両面電極素子41〜43,51,52である半導体装置100とする。 (もっと読む)


【課題】低電流領域でのオン電圧を低減することができる、SiC−IGBTを備える半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】エミッタ電極26と、エミッタ電極26に接続されたエミッタ領域41と、エミッタ領域41に対してSiC半導体層23の裏面25側にエミッタ領域41に接して形成されたチャネル領域39と、チャネル領域39に対してSiC半導体層23の裏面25側にチャネル領域39に接して形成されたSiCベース層33と、SiCベース層33に対してSiC半導体層23の裏面25側にSiCベース層33に接して形成されたコレクタ領域37と、コレクタ領域37に接続されたコレクタ電極27とを含む、SiC−IGBT9に対してMOSFET11を並列に接続する。 (もっと読む)


【課題】入力トランジスタの構造を櫛形構造にしてゲート抵抗を抑えつつ、NFの増大を防ぐことが可能なCMOS集積回路を提供する。
【解決手段】トランジスタは、ゲート配線から櫛歯状に延びて形成され、信号入力端子からの入力信号が供給されるゲート電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるソース配線から、ゲート電極の櫛歯の間に1つ起きに櫛歯状に延びて形成される、接地端子に接続されたソース電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるドレイン配線から、ゲート電極の櫛歯の間のソース電極が存在しない箇所に櫛歯状に延びて形成される、電源端子に接続されたドレイン電極と、を備え、ゲート電極と、ソース電極またはドレイン電極とは、重なり合う領域が存在しないことを特徴とする、CMOS集積回路が提供される。 (もっと読む)


【課題】フォトダイオードに蓄積された電荷をより正確に読み出す。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板11と、半導体基板11内に設けられ、第1導電型の半導体層を有するフォトダイオード16と、フォトダイオード16上に設けられ、上部又は全体が第2導電型の半導体層からなるシールド層27と、半導体基板11に設けられ、フォトダイオード16に蓄積された電荷を浮遊拡散層に転送する転送トランジスタ20とを含む。シールド層27の上面は、半導体基板11の上面より高い。 (もっと読む)


【課題】作製工程が簡略化され、容量素子の面積が縮小化された昇圧回路を有する半導体
装置を提供することを課題とする。
【解決手段】直列に接続され、第1の入力端子部から出力端子部へ整流作用を示す複数の
整流素子と、第2の入力端子部に接続され、互いに反転する信号が入力される第1の配線
及び第2の配線と、それぞれ第1の電極、絶縁膜及び第2の電極を有し、昇圧された電位
を保持する複数の容量素子とから構成される昇圧回路を有し、複数の容量素子は、第1の
電極及び第2の電極が導電膜で設けられた容量素子と、少なくとも第2の電極が半導体膜
で設けられた容量素子とを有し、複数の容量素子において少なくとも1段目の容量素子を
第1の電極及び第2の電極が導電膜で設けられた容量素子とする。 (もっと読む)


【課題】インダクタの下方に位置する素子分離膜に開口を設けてその開口内に半導体基板を残しつつ、インダクタの下方に位置する半導体基板に渦電流が発生することを抑制する。
【解決手段】インダクタ300は、多層配線層200に形成されており、素子分離膜12の上方に位置している。開口13は、素子分離膜12のうち少なくとも平面視でインダクタ300と重なる領域に形成されている。また、素子分離膜12とインダクタ300の間に位置するいずれの層にも、インダクタ300と半導体基板10の間をシールドするシールド導電部材は形成されていない。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。 (もっと読む)


【課題】 過電流検出による保護と、温度検出による保護とを、好適に行うことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を有する半導体装置であって、半導体基板が、メイン素子領域と、メイン素子領域よりも小さい電流が流れるサブ素子領域を有しており、サブ素子領域が、半導体基板を平面視したときに半導体基板の中心と重なる位置に形成されており、半導体基板上であって、半導体基板を平面視したときにサブ素子領域と重なる位置に、温度検出素子が形成されている。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜に含まれる不純物元素濃度を低減する。また、ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極、及びドレイン電極と、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されたシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳する領域に設けられたゲート電極と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が1.0原子%以下の濃度である領域を有し、少なくとも領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】バラスト抵抗の幅を広げることなく、バラスト抵抗の許容電流量を大きくする
【解決手段】バラスト抵抗200を構成する抵抗210の少なくとも一つは、第1抵抗212及び第2抵抗214を有している。第1抵抗212は、保護素子100内で電流が流れる方向である第1の方向(図1ではX方向)に延伸している。第2抵抗214は、第1抵抗212に並列に接続され、第1の方向に延伸している。そして第2抵抗214は、第1抵抗212と同一直線上に位置している。 (もっと読む)


【課題】 少ない工程数で形成でき、耐熱性に優れた温度センサを備える炭化珪素半導体装置を得る。
【解決手段】 炭化珪素基板1の活性領域ARに形成された半導体素子と、活性領域ARを取り囲むように炭化珪素基板1中に形成されたウエル領域5と、炭化珪素基板1上に配設される多結晶シリコンからなるゲート電極8と、ゲート電極8と同時に形成され、その一部を用いて形成した測温抵抗体17と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】逆導通IGBTに内蔵されたダイオードで発生するリカバリ電流を低減させる。
【解決手段】逆導通IGBTに内蔵されているダイオードに順方向電流が流れている間に、逆導通IGBTのゲート−エミッタ間にゲート閾値電圧よりも低い電圧を印加することで、逆導通IGBTのドリフト領域への正孔の注入を抑制し、リカバリ電流を低減させる。 (もっと読む)


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