【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電圧領域及び低電圧領域を有する半導体基板100と、高電圧領域に形成され、第１活性領域110-I、第１ソース／ドレイン領域114-I、第１ゲート絶縁膜130及び第１ゲート電極202-Iを有する高電圧トランジスタTR-Iと、低電圧領域に形成され、第２活性領域110-II、第２ソース／ドレイン領域114-II、第２ゲート絶縁膜310及び第２ゲート電極320を有する低電圧トランジスタTR-IIとを備え、第２ソース／ドレイン領域は、第１ソース／ドレイン領域より薄い厚さを有することを特徴とする半導体素子。 （もっと読む）

【課題】基準電圧発生回路を構成するエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴとデプレッション型ＭＯＳＦＥＴとの間の温度特性の差を小さくすることができ、基準電圧発生回路の出力電圧の温度特性を改善することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板６上においてＲｅｆ回路領域８およびＣＭＯＳ領域７に跨るようにゲート絶縁膜６６を形成した後、ＣＭＯＳ領域７の部分を選択的に除去する。次に、熱酸化により、ゲート絶縁膜６６が除去されたＣＭＯＳ領域７に第１ゲート絶縁膜１２を形成し、同時に、Ｒｅｆ回路領域８に残っているゲート絶縁膜６６を厚くして第１ゲート絶縁膜１２よりも厚い第２ゲート絶縁膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】能動素子または受動素子が一つの半導体基板に複数個形成されてなる半導体装置およびその製造方法であって、両面電極素子についても絶縁分離と集積化が可能であり、安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２０が、当該半導体基板２０を貫通する絶縁分離トレンチＴに取り囲まれて、複数のフィールド領域Ｆ１〜Ｆ８に分割されてなり、複数個の能動素子３１〜３３，４１〜４３または受動素子５１，５２が、それぞれ異なるフィールド領域Ｆ１〜Ｆ８に分散して配置されてなり、二個以上の素子が、当該素子に通電するための一組の電極ｄｒ１，ｄｒ２が半導体基板２０の両側の表面Ｓ１，Ｓ２に分散して配置されてなる、両面電極素子４１〜４３，５１，５２である半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】低電流領域でのオン電圧を低減することができる、ＳｉＣ−ＩＧＢＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】エミッタ電極２６と、エミッタ電極２６に接続されたエミッタ領域４１と、エミッタ領域４１に対してＳｉＣ半導体層２３の裏面２５側にエミッタ領域４１に接して形成されたチャネル領域３９と、チャネル領域３９に対してＳｉＣ半導体層２３の裏面２５側にチャネル領域３９に接して形成されたＳｉＣベース層３３と、ＳｉＣベース層３３に対してＳｉＣ半導体層２３の裏面２５側にＳｉＣベース層３３に接して形成されたコレクタ領域３７と、コレクタ領域３７に接続されたコレクタ電極２７とを含む、ＳｉＣ−ＩＧＢＴ９に対してＭＯＳＦＥＴ１１を並列に接続する。 （もっと読む）

【課題】所望の領域に容易に第１の膜を形成して半導体装置の不良を低減する。また、スループットが向上して、製造コストの低減を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、半導体基板の第1及び第２の領域上に第1の膜を形成した後、第1の膜上にフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンをマスクに用いた第１の膜のエッチングにより、第２の領域上の第1の膜を除去すると共に第２の領域上を覆うように被覆膜を形成する。半導体基板に熱処理を行うことにより、被覆膜を除去すると共にフォトレジストパターンに焼き締め処理を行う。この後、フォトレジストパターンを除去する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードに蓄積された電荷をより正確に読み出す。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１内に設けられ、第１導電型の半導体層を有するフォトダイオード１６と、フォトダイオード１６上に設けられ、上部又は全体が第２導電型の半導体層からなるシールド層２７と、半導体基板１１に設けられ、フォトダイオード１６に蓄積された電荷を浮遊拡散層に転送する転送トランジスタ２０とを含む。シールド層２７の上面は、半導体基板１１の上面より高い。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】インダクタの下方に位置する素子分離膜に開口を設けてその開口内に半導体基板を残しつつ、インダクタの下方に位置する半導体基板に渦電流が発生することを抑制する。
【解決手段】インダクタ３００は、多層配線層２００に形成されており、素子分離膜１２の上方に位置している。開口１３は、素子分離膜１２のうち少なくとも平面視でインダクタ３００と重なる領域に形成されている。また、素子分離膜１２とインダクタ３００の間に位置するいずれの層にも、インダクタ３００と半導体基板１０の間をシールドするシールド導電部材は形成されていない。 （もっと読む）

【課題】微細化に対応した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の第1の領域内に第1の方向に沿って交互に配置されるように第1及び第２の素子分離領域を形成する。この際、第1及び第２の素子分離領域のうち少なくとも一方の素子分離領域の側面は半導体基板の主面に対して垂直とならないように第1及び第２の素子分離領域を形成する。この後、第1及び第２の素子分離領域の上部を除去して、第1の素子分離領域と第２の素子分離領域の間の半導体基板をフィンとして形成する。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ｎ，６ｐの側面にサイドウォール９を形成した後、サイドウォール９の両側の半導体基板１に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板１の主面上に第１絶縁膜１４、第２絶縁膜１５、および第３絶縁膜１６を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第１絶縁膜１４は、第２絶縁膜１５よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第２絶縁膜１５とエッチング選択比が異なる膜である。第２絶縁膜１５は、第１絶縁膜１４よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第３絶縁膜１６は、第１絶縁膜１４および第２絶縁膜１５よりも内部応力の変化が大きい膜である。 （もっと読む）

【課題】 過電流検出による保護と、温度検出による保護とを、好適に行うことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を有する半導体装置であって、半導体基板が、メイン素子領域と、メイン素子領域よりも小さい電流が流れるサブ素子領域を有しており、サブ素子領域が、半導体基板を平面視したときに半導体基板の中心と重なる位置に形成されており、半導体基板上であって、半導体基板を平面視したときにサブ素子領域と重なる位置に、温度検出素子が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜に含まれる不純物元素濃度を低減する。また、ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極、及びドレイン電極と、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されたシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳する領域に設けられたゲート電極と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が１．０原子％以下の濃度である領域を有し、少なくとも領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 （もっと読む）