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Fターム[5F048BB14]の内容

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【課題】半導体装置の特性の向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体装置は、(a)素子分離領域STIにより囲まれた半導体領域3よりなる活性領域Acに配置されたMISFETと、(b)活性領域Acの下部に配置された絶縁層BOXとを有する。さらに、(c)活性領域Acの下部において、絶縁層BOXを介して配置されたp型の半導体領域1Wと、(d)p型の半導体領域1Wの下部に配置されたp型と逆導電型であるn型の第2半導体領域2Wと、を有する。そして、p型の半導体領域1Wは、絶縁層BOXの下部から延在する接続領域CAを有し、p型の半導体領域1Wと、MISFETのゲート電極Gとは、ゲート電極Gの上部から接続領域CAの上部まで延在する一体の導電性膜であるシェアードプラグSP1により接続されている。 (もっと読む)


【課題】 横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体を提供する。
【解決手段】 CMOS構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、非ドープ・チャネルの電界効果トランジスタ・デバイスに向上した電気的性能をもたらす。 (もっと読む)


【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】n型FET111Nの半導体活性層111Cの上面に、バックゲート絶縁膜401を介してバックゲート電極121を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極121,221について、半導体活性層111Cの上面においてゲート電極111Gおよび一対のソース・ドレイン領域111A,111Bに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極121を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン12をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極13nまたはゲート電極13pを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン12を除去し、ゲート電極13nまたはゲート電極13pの側面に付着した反応生成物14を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物14を除去する。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮
像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を1×10−13A以
下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジス
タの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向
上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリ
コン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】高い電圧を有する入力信号に対して適切に動作するアナログスイッチを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】入力端子と出力端子との間にPチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとを並列に接続したアナログスイッチと,入力端子に印加される入力電圧に応じて,Pチャネルトランジスタの第1ゲート電圧及び第1バックゲート電圧と,Nチャネルトランジスタの第2ゲート電圧及び第2バックゲート電圧とのそれぞれの電位を可変生成する可変電圧回路と,アナログスイッチを導通または非導通に制御する制御信号を可変電圧回路に供給する制御回路とを有する。可変電圧回路は,導通に制御する制御信号に応答して,可変生成される第1ゲート電圧と第2ゲート電圧とをPチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタのゲートにそれぞれ出力する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用TFTと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用TFTと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧ばらつきを改善した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SOI基板を用いた半導体装置の製造方法において、活性層基板を酸化して埋め込み酸化膜4bを生成する工程と、支持基板3表面に、MOSトランジスタ1の閾値電圧を決定するためのチャネルドープ10を行う工程と、支持基板3と活性層基板5とを前記埋め込み酸化膜を介して貼り合せる工程と、活性層基板を部分的に除去し埋め込み酸化膜4aを露出させる工程と、埋め込み酸化膜4a上にゲート電極6aを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】ESDの影響を効果的に抑制する保護回路を提供すること。またESDの影響が効果的に抑制された半導体装置を提供すること。
【解決手段】保護回路は、少なくとも2つの保護ダイオードを有し、当該保護ダイオードを、チャネルを形成する半導体層を挟んで対向する2つのゲートを有するトランジスタで構成する。さらに当該トランジスタのゲートの一方に、固定電位が入力される構成とすればよい。 (もっと読む)


【課題】動作速度を向上し消費電力を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に第1の領域を画定する第1の素子分離絶縁膜と、半導体基板の第1の領域に形成された第1導電型の第1の導電層と、半導体基板上に形成され、第1の領域の一部である第2の領域に第1の導電層に接続して形成された第1導電型の第2の導電層と、第1の領域の他の一部である第3の領域に第1の導電層に接続して形成された第1導電型の第3の導電層とを有する半導体層と、半導体層内に設けられ、第2の導電層と第3の導電層とを分離する第2の素子分離絶縁膜と、第2の導電層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、第3の導電層を介して第1の導電層に電気的に接続されたゲート電極とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置のトランジスタのシリコンピラー上部に活性領域を設ける際に、エピタキシャル成長により前記シリコンピラー上部に形成されるシリコン膜の高さが、前記トランジスタ毎にばらつくことを防ぎ、前記シリコン膜への導電型ドーパントの注入深さを均一にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の主面に柱状のシリコンピラーを形成するシリコンピラー形成工程と、前記シリコンピラーを覆うように第1の絶縁膜を形成する第1絶縁膜形成工程と、前記第1の絶縁膜を上面から除去し、前記シリコンピラー上部の上面及び側面を露出させる第1絶縁膜除去工程と、前記シリコンピラー上部の上面及び側面にエピタキシャル成長法によりシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのリーク電流を低減し、論理回路の誤動作を抑制する。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を含み、チャネル幅1
μmあたりのオフ電流が1×10−13A以下であるトランジスタを有し、入力信号とし
て、第1の信号、第2の信号、及びクロック信号である第3の信号が入力され、入力され
た第1の信号乃至第3の信号に応じて電圧状態が設定された第4の信号及び第5の信号を
出力信号として出力する構成とする。 (もっと読む)


【課題】高速動作が可能であり、且つ消費電力の低減が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを備える半導体装置において、ゲート電圧が負のときの電流が小さいトランジスタの酸化物半導体膜と、電界効果移動度が高くオン電流が大きいトランジスタの酸化物半導体膜において、酸素濃度が異なる。代表的には、ゲート電圧が負のときの電流が小さいトランジスタの酸化物半導体膜と比較して、電界効果移動度が高くオン電流が大きいトランジスタの酸化物半導体膜の酸素濃度が低い。 (もっと読む)


【課題】素子面積の増加を抑制しつつ、動作速度が向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書に開示する半導体装置は、ボディ領域11a、11bと、ボディ領域11a、11b上にゲート絶縁層12a、12bを介して配置されるゲート電極13a、13bと、ボディ領域11a、11bを挟んで配置される一対のソース/ドレイン領域14a、14b、14cと、を有する電界効果型トランジスタ10a、10bを複数備え、複数のトランジスタ10a、10bは、ボディ領域11a、11b同士が電気的に接続されており、複数のトランジスタ10a、10bの内の一のトランジスタ10aのゲート電極13aのみが、複数のトランジスタ10a、10bの内の何れかのトランジスタのボディ領域と電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】消費電力の増加を招くことなくオフの状態を実現することのできる半導体装置を
提供する。
【解決手段】ゲートに電圧が印加されていない状態でオン状態であるパワー素子と、パワ
ー素子のゲートに第1の電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと
、パワー素子のゲートに第1の電圧より低い電圧を印加するためのスイッチング用の電界
効果トランジスタと、を有し、上記スイッチング用の電界効果トランジスタはオフ電流が
小さい半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置
を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびド
レイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、
ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、酸化物半導体層の厚さは1nm以上10nm以
下であり、ゲート絶縁層は、ゲート絶縁層に用いられる材料の比誘電率をε、ゲート絶
縁層の厚さをdとして、ε/dが、0.08(nm−1)以上7.9(nm−1)以下
の関係を満たし、ソース電極とドレイン電極との間隔は10nm以上1μm以下である半
導体装置である。 (もっと読む)


【課題】SRAMメモリセルを有する半導体装置において、その特性の向上を図る。
【解決手段】SRAMを構成するドライバトランジスタ(Dr1)が配置される活性領域(Ac)の下部に、絶縁層(BOX)を介して、素子分離領域(STI)により囲まれたn型のバックゲート領域(nBG)を設け、ドライバトランジスタ(Dr1)のゲート電極(G)と接続する。また、n型のバックゲート領域(nBG)の下部に配置され、少なくともその一部が、素子分離領域(STI)より深い位置に延在するp型ウエル領域(Pwell)を設け、接地電位(VSS)に固定する。かかる構成によれば、トランジスタの閾値電位(Vth)をトランジスタがオン状態の時には高く、逆に、オフ状態の時には低くなるように制御し、また、p型ウエル領域(Pwell)とn型のバックゲート領域(nBG)との間のPN接合も順バイアスさせないよう制御することができる。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜の膜厚が異なる複数のトランジスタを有する半導体装置において、オフリークの増加を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体層上に形成された第1MISトランジスタ及び第2MISトランジスタを備える。第1MISトランジスタは、活性領域101が素子分離膜102に囲まれた第1活性領域と、第1活性領域上に第1ゲート絶縁膜111を介して形成された第1ゲート電極104とを有する。第2MISトランジスタは、活性領域101が素子分離膜102に囲まれた第2活性領域と、第2活性領域上に第2ゲート絶縁膜103を介して形成された第2ゲート電極104とを有する。第2ゲート絶縁膜103は、第1ゲート絶縁膜111よりも薄い。第2MISトランジスタは、少なくとも第2ゲート電極104の下方において、第2活性領域と素子分離膜102との境界部上に、素子分離膜102の側面を覆う保護絶縁膜108を有する。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極の一部にメタルゲート電極を有するMISEFTにおいて、メタルゲート電極を構成するグレインの配向性のばらつきに起因するMISFETのしきい値電圧のばらつきを小さくする。
【解決手段】メタルゲート電極4a、4bに炭素(C)を導入することにより、メタルゲート電極4a、4b内のグレインの粒径が大きくなることを防ぎ、メタルゲート電極4a、4bの中に多数の小さいグレインを形成することにより、グレインの配向性を均一化し、ゲート電極の仕事関数のばらつきを低減する。 (もっと読む)


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