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Fターム[5F048BF02]の内容

Fターム[5F048BF02]に分類される特許

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【課題】基準電圧発生回路を構成するエンハンスメント型MOSFETとデプレッション型MOSFETとの間の温度特性の差を小さくすることができ、基準電圧発生回路の出力電圧の温度特性を改善することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板6上においてRef回路領域8およびCMOS領域7に跨るようにゲート絶縁膜66を形成した後、CMOS領域7の部分を選択的に除去する。次に、熱酸化により、ゲート絶縁膜66が除去されたCMOS領域7に第1ゲート絶縁膜12を形成し、同時に、Ref回路領域8に残っているゲート絶縁膜66を厚くして第1ゲート絶縁膜12よりも厚い第2ゲート絶縁膜13を形成する。 (もっと読む)


【課題】作製工程が簡略化され、容量素子の面積が縮小化された昇圧回路を有する半導体
装置を提供することを課題とする。
【解決手段】直列に接続され、第1の入力端子部から出力端子部へ整流作用を示す複数の
整流素子と、第2の入力端子部に接続され、互いに反転する信号が入力される第1の配線
及び第2の配線と、それぞれ第1の電極、絶縁膜及び第2の電極を有し、昇圧された電位
を保持する複数の容量素子とから構成される昇圧回路を有し、複数の容量素子は、第1の
電極及び第2の電極が導電膜で設けられた容量素子と、少なくとも第2の電極が半導体膜
で設けられた容量素子とを有し、複数の容量素子において少なくとも1段目の容量素子を
第1の電極及び第2の電極が導電膜で設けられた容量素子とする。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮
像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を1×10−13A以
下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジス
タの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向
上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリ
コン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】n型FET111Nの半導体活性層111Cの上面に、バックゲート絶縁膜401を介してバックゲート電極121を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極121,221について、半導体活性層111Cの上面においてゲート電極111Gおよび一対のソース・ドレイン領域111A,111Bに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極121を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子が有する寄生容量や寄生インダクタンスによる電力の損失を抑えるこ
とが出来る、整流回路の提供を課題とする。
【解決手段】入力された交流電圧の振幅に従い、前段の回路と該整流回路の間におけるイ
ンピーダンスを整合または不整合にする。入力される交流電圧が規定の振幅以下である場
合は、インピーダンスを整合にし、該交流電圧をそのまま整流回路に印加する。逆に入力
される交流電圧が規定の振幅よりも大きい場合は、インピーダンスを不整合にし、反射に
より該交流電圧の振幅を小さくしてから整流回路に印加する。 (もっと読む)


【課題】バーティカル型のバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ領域からベース領域にかけて存在する界面準位を安定に低減することを可能とした半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】バーティカル型のバイポーラトランジスタ10は、シリコン基板1に形成されたP型のベース領域13と、シリコン基板1に形成されてベース領域13に接するエミッタ領域15と、シリコン基板1の表面であってベース領域13とエミッタ領域15との境界部21上に形成されたシリコン酸化膜17と、シリコン酸化膜17上に形成されたポリシリコンパターン19と、を有する。シリコン酸化膜17とシリコン基板1との界面に塩素が1×1017cm−3以上の濃度で存在する。 (もっと読む)


【課題】IGBT終端部でのリカバリ破壊を防ぎ、ダイオードのスナップバックを抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】N−型のドリフト層30の上に形成されたP型のチャネル層31を含む半導体基板32のうちチャネル層31側の一面33とは反対側の他面34側に、P++型のコレクタ層53とN++型のカソード層54とが同じ階層に形成されている。そして、P++型のコレクタ層53がトレンチ35の延設方向における表面IGBT専用領域10および表面ダイオード専用領域20の周辺部25にそれぞれ設けられていることによりN++型のカソード層54は四角形状にレイアウトされている。また、P++型のコレクタ層53がエミッタ領域39の終端部39aから距離aを半径とする円形状に設けられていることにより当該四角形状の角部が窪んだ形状にレイアウトされている。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極の不純物濃度を好適に制御する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第2トランジスタ170のゲート電極171を半導体基板1に対するマスクとして半導体基板1へイオン注入を行うことにより、第2トランジスタのドレイン175を形成するとともに、第2トランジスタ170のゲート電極171へイオン注入を行う。 (もっと読む)


【課題】微細化しても高いオン電流を得ることができるトランジスタを用いた、半導体装置。
【解決手段】トランジスタが、絶縁表面上の一対の第1導電膜と、一対の第1導電膜上の半導体膜と、一対の第1導電膜にそれぞれ接続されている一対の第2導電膜と、半導体膜上の絶縁膜と、絶縁膜上において、半導体膜と重なる位置に設けられた第3導電膜とを有する。また、半導体膜上における第3導電膜の端部と、一対の第2導電膜が設けられた領域とは、離隔している。 (もっと読む)


【課題】微細化を実現し、トランジスタとして十分に機能できる電気的特性を付与された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、該半導体層としてインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の4元素を少なくとも含み、該4元素の組成を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の2倍以上である酸化物半導体膜を用いる。該半導体装置において、酸化物半導体膜は作製工程において酸素が導入され、酸素を多く(過剰に)含む膜であり、トランジスタを覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁層が設けられる。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのリーク電流を低減し、論理回路の誤動作を抑制する。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を含み、チャネル幅1
μmあたりのオフ電流が1×10−13A以下であるトランジスタを有し、入力信号とし
て、第1の信号、第2の信号、及びクロック信号である第3の信号が入力され、入力され
た第1の信号乃至第3の信号に応じて電圧状態が設定された第4の信号及び第5の信号を
出力信号として出力する構成とする。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】抵抗値が制御されることができる抵抗素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板101と、絶縁膜14bと、半導体素子と、抵抗素子4tとを有する。絶縁膜14bは半導体基板101の少なくとも一部を被覆している。半導体素子は、半導体基板101の一部からなるチャネル領域と、電極とを有する。抵抗素子4tは、電極を流れる電流に対する抵抗となるように電極と電気的に接続され、かつ絶縁膜14bを介して半導体基板101上に設けられている。抵抗素子4tは半導体領域を含む。半導体基板101と抵抗素子4tとの間の電位差により半導体領域に空乏層が生じる。 (もっと読む)


【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第1の半導体材料が用いられた第1のチャネル形成領域と、第1のゲート電極と、を含む第1のトランジスタと、第1のゲート電極と一体に設けられた第2のソース電極および第2のドレイン電極の一方と、第2の半導体材料が用いられ、第2のソース電極および第2のドレイン電極と電気的に接続された第2のチャネル形成領域と、を含む第2のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 (もっと読む)


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