【課題】 素子分離領域の広がりによる素子形成領域間の拡大等の改善を図る。
【解決手段】 半導体基体１１に、素子分離領域１６が、所定の濃度をもって第１導電型不純物が導入された第１の選択的不純物導入領域１７と、第１の選択的不純物導入領域１７に比し低い所定の不純物濃度の第２導電型不純物が選択的に導入された第２の選択的不純物導入領域１８とによって構成され、第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 （もっと読む）