【課題】電場増強性能の高い新規なプラズモン材料による電場増強により、高い変換効率を示すことができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】活性層５０と、３０個以上の金属系粒子２０が互いに離間して二次元的に配置されてなる粒子集合体からなる層であって、金属系粒子２０は、その平均粒径が１０〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５〜５００ｎｍの範囲内、アスペクト比が０．５〜８の範囲内にあり、隣り合う金属系粒子との平均距離が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように金属系粒子２０を配置した金属系粒子集合体層とを備える光電変換素子である。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１０２上に複数の画素電極１０４を形成する第一の工程と、複数の画素電極１０４の上に有機材料を含む受光層１０７を形成する第二の工程と、受光層１０７上に対向電極１０８を形成する第三の工程とを備え、第一の工程は、絶縁層１０２上に画素電極材料を成膜する工程と、成膜した前記画素電極材料の膜をパターニングする工程と、前記パターニング後の前記基板を２７０℃以上で加熱する工程とで構成される。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】基板１０１上に酸化膜で構成された絶縁膜１０２が形成され、当該絶縁膜１０２上に並べて形成された複数の画素電極１０４と、複数の画素電極１０４の上にこれらを覆って形成された有機材料を含む受光層１０７と、受光層１０７上に形成された対向電極１０８とを有する固体撮像素子であって、画素電極１０４が、酸化窒化チタンで構成され、受光層１０７を形成する直前における画素電極１０４の組成が、（１）画素電極１０４全体に含まれる酸素量がチタン量の７５ａｔｍ％以上、又は、（２）画素電極１０４の基板１０１側から１０ｎｍまでの範囲或いは画素電極１０４の基板１０１側から画素電極１０４厚みの２／３までの範囲において、酸素量がチタン量の４０ａｔｍ％以上の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】受光部を作製した後の作業において受光部が破壊されることを抑制される、表面入射型半導体受光素子、これを備える光受信モジュール及び光トランシーバの提供。
【解決手段】ＰＮ接合となる第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層を含む半導体多層構造を有するメサ型受光部と、前記メサ型受光部を含む保護領域の少なくとも一部を囲う、保護メサ部と、が半導体基板上に形成される表面入射型半導体受光素子であって、前記保護メサ部は、前記メサ型受光部の前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のいずれにも電気的に接続されていない、非接続メサ部を含む、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タンパク質半導体の導電型を容易に制御することができるタンパク質半導体の導電型の制御方法、これを利用したタンパク質半導体の製造方法およびｐｎ接合の製造方法を提供する。
【解決手段】アミノ酸残基全体の電荷量を制御することによりタンパク質半導体の導電型を制御し、ｐ型タンパク質半導体あるいはｎ型タンパク質半導体を製造し、ｐ型タンパク質半導体とｎ型タンパク質半導体とを用いてｐｎ接合を製造する。アミノ酸残基全体の電荷量の制御は、タンパク質に含まれる酸性のアミノ酸残基、塩基性のアミノ酸残基および中性のアミノ酸残基のうちの１つまたは複数個を自身の性質と異なる性質を有するアミノ酸残基に置換したり、タンパク質に含まれる酸性のアミノ酸残基、塩基性のアミノ酸残基および中性のアミノ酸残基のうちの１つまたは複数個を化学修飾したり、タンパク質の周りを囲む媒体の極性を制御したりすることにより行う。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ１０は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Ｐが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたｐ型領域６の先端部にｐｎ接合１５を有し、受光部Ｐを区分けするように、ｎ型領域７が該受光部の間に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高昇華温度で、耐熱性が高い有機材料を高純度、高収率、短時間で昇華精製することができる、有機材料の精製方法を提供すること。
【解決手段】真空度１×１０^−２Ｐａ以下での熱重量測定における１０％重量減少温度が２５０℃以上の有機材料の精製方法であって、有機材料中の無機不純物の濃度を５０００ｐｐｍ以下とした後に、該有機材料を昇華精製する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、ＩｎＰ基板１の上に位置し、ＩｎＧａＡｓ層３ａとＧａＡｓＳｂ層３ｂとが交互に積層されたタイプ２の多重量子井戸構造の受光層３を備え、ＩｎＧａＡｓ層またはＧａＡｓＳｂ層の層内において上面または下面へと、そのＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１０と、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備え、受光素子アレイ１０において、受光素子Ｓの間に位置するモニタ受光部Ｍを備え、いずれも、各自ｐｉｎ型フォトダイオードを形成し、モニタ受光部および受光素子の電極は各別に信号入力部に接続され、該信号入力部において、受光素子からの直の信号は、モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、本体部へ出力される。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の上に位置し、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層３とを備え、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板がＩｎＡｓ基板１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子が備える薄膜の平坦性を高くする。
【解決手段】基板２０と、該基板上に設けられた一対の電極３２、３４と、該一対の電極の間に設けられた少なくとも１層の機能層４４、７０とを有する光電変換素子１０の製造方法であって、光電変換素子の部材を形成する材料を含む液滴を該基板、該電極又は該機能層上に噴霧して電極又は機能層を形成する工程を有し、該工程において、第１のキャリアガスと第２のキャリアガスとを用いる光電変換素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】紫外光を可視光から分離して検出する紫外光センサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極層と、第１の電極層上に形成され、ポリシランを含むＰ型半導体材料と、Ｎ型半導体材料とを含み、紫外光のみを吸収する光電変換層と、光電変換層上に形成された第２の電極層とを有する。 （もっと読む）

【課題】受光素子間のクロストーク（漏れ電流）を十分に低減し、小型且つ簡易な光半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置よると、裏面電極が鏡面状の薄膜となったことにより、隣接する受光素子へのクロストークを容易に抑圧することが出来、光半導体装置の光強度検出時における誤差を少なくすることが出来る。また、パターン化した裏面電極もしくは絶縁膜の底部にオーミック電極を裏面全体に設置することにより、裏面における接触抵抗を低減することが出来る。また、２次元配列の光半導体素子を用いることおよび裏面電極を鏡面状の薄膜とすることによりクロストークを改善することが出来る。また、高い気密性を有した状態で筺体に収納することにより、光半導体素子は、外部環境から保護されて、耐湿性に優れ、高い信頼性を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】安価で量産性に富み、暗電流や表面リーク電流が低く、感光波長域が広く高感度で信頼性の高い赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】比較的安価で大面積ウェファの入手が容易なＧａＡｓやＳｉ基板上に、ＰＤを構成するエピタキシャル層に格子整合し、かつ機械強度の弱い緩和層を成長し、格子不整合や結晶成長前後の熱歪みを解消する。更に、感光層を夾んで、電子および正孔の相補的なバリア層を形成し、感光層の外からの電子および正孔の流入が選択的に抑制するとともに、光励起された電子正孔を、ポテンシャルバリア無しにそれぞれの電極に導く。 （もっと読む）

【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなるｎ型半導体層と、酸化ニッケルからなるｐ型半導体層を積層してなり、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層がｐｎ接合を形成している紫外線センサー素子であって、前記ｎ型半導体層の膜厚が０．５〜１５μｍ、前記ｐ型半導体層の膜厚が１〜３０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１ａは、柔軟性を有し、可視光に対して透明な透明基板１２と、透明基板上に設けられる透明電極１４と、透明電極の透明基板と接している面の反対側の一部に設けられる有機半導体層１６と、有機半導体層の透明電極と接している面の反対側の表面の上方に設けられる反射層７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子、開放電圧、および光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池、及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、およびｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記陰極と陽極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有する。


（式中、Ｘは酸素原子もしくは硫黄原子もしくはセレン原子を表し、ＹはＣ−Ｒ_２または窒素原子を表す。Ｒ_１、Ｒ_２は水素原子もしくは置換基を表す。Ｚ_１、Ｚ_２は炭素原子もしくは窒素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】垂直に積層したセンサーを含む感光性センサー群を提供する。
【解決手段】第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 （もっと読む）