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Fターム[5F049MB01]の内容

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【課題】2つの光検出器に対応する2つの色を含む情報のミキシングに対して感受性のない検出装置を提供する。
【解決手段】基板3は、第1のバンドギャップエネルギーを有する第1の半導体層5と、半導体バッファ層6と、第1のバンドギャップエネルギーと異なる第2のバンドギャップエネルギーを有する第2の半導体層7とを連続的に備える。2つの異なる色に反応する2つの光検出器1、2は、第1及び第2の半導体層5、7の上にそれぞれ形成される。第1のバイアスパッド9は、第1の半導体層5を第1のバイアス回路8b、14に電気的に接続する。第2のバイアスパッド10は、第2の半導体層7を第2のバイアス回路8a、15に電気的に接続する。第1のバイアスパッドは第2の半導体層7と電気的接続しない。 (もっと読む)


【課題】II族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、(a)基板上方に、II族酸化物半導体層を成長させる工程と、(b)II族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつOリッチ条件での成長を行い抵抗率が10Ωcm以上のII族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング(FCB)によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 (もっと読む)


【課題】比較的安価で、かつ高品質なものが市場に提供されている材料を紫外線受光層に利用するとともに、紫外線受光層中に高抵抗層を具備しなくても十分な紫外線受光感度および速度を有する、ショットキー型紫外線センサ素子、およびそれを用いた紫外線センサを提供する。
【解決手段】紫外線センサ素子1であって、Nbが0.01wt%以上0.10wt%以下でドープされたSrTiO単結晶からなり、第1面および前記第1面に対向する第2面を有する基板2と、前記第1面上に形成され、紫外線を受光する第1電極3と、前記第2面上に形成される第2電極4とを備えた紫外線センサ素子。 (もっと読む)


【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする。
【解決手段】 半導体紫外線受光素子の製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板上の一部領域に極性反転層を形成する工程と、前記基板上及び前記極性反転層上に、−c極性ZnO系半導体層と+c極性ZnO系半導体層とを、同時にエピタキシャル成長させる工程と、前記−c極性ZnO系半導体層をエッチングにより除去する工程と、前記+c極性ZnO系半導体層上にショットキー電極を形成する工程と、前記ショットキー電極と対をなすオーミック電極を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法を提供する。
【解決手段】赤外または可視範囲での電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法であって、検知回路が、液相または気相エピタキシによって、または分子ビームエピタキシによって得られたHg(1−x)CdTeで作られた、放射の検知層を含み、検知回路がリード回路上にハイブリッド化された方法。この方法は、以下の段階を含む。検知回路の材料と成長基板と間の界面領域まで、その厚みを低減するために成長基板に機械研磨または化学機械研磨ステップまたは化学エッチングステップを施す段階、そのように得られた界面にヨウ素処理を施す段階。 (もっと読む)


【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする。
【解決手段】紫外線受光素子は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上方に形成された第1のMgZn1−xO(0<x≦0.6)層と、前記第1のMgZn1−xO(0<x≦0.6)層上に形成され、前記第1のMgZn1−xO(0<x≦0.6)層のMg組成xよりも低いMg組成yを有し、一部が前記第1のMgZn1−xO(0<x≦0.6)層上から除去されている第2のMgZn1−yO(0≦y<0.6)層と、前記第2のMgZn1−yO(0≦y<0.6)層の一部が除去された部分から露出している前記第1のMgZn1−xO(0<x≦0.6)層上に形成されたオーミック電極と、前記第2のMgZn1−yO(0≦y<0.6)層上に形成されたショットキー電極とを有する。 (もっと読む)


【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板1と、半導体基板1の上部に形成されたトランジスタ4と、半導体基板1の上に形成され、トランジスタ4と電気的に接続する配線10を含む配線層と、配線層の上に、配線10と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極11、該複数の下部電極11の上に形成された光電変換膜12及び該光電変換膜12の上に形成された上部電極13を含む光電変換部14とを備えている。光電変換膜12は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅(I)を含む。 (もっと読む)


【課題】リーク電流をより小さくし、かつ、電気的特性を改善したショットキーバリア型のZnO系半導体素子を提供する。
【解決手段】基板1上にn型ZnO系半導体層2、酸化アルミニウム膜3が順に形成されている。また、酸化アルミニウム膜3上には、金属電極4、パッド電極5が形成される。金属電極4は、Pd層4a上にAu層4bが積層された多層膜構造を有している。金属電極4は、半透明電極として機能する。金属電極4上にはパッド電極5が形成されている。基板1の裏面には金属電極4に対向するように、裏面電極6が形成される。n型ZnO系半導体層2とPd層4aでショットキーバリア構造を構成している。 (もっと読む)


【課題】ワイヤーボンディング用金属電極の有機物電極からの剥離が抑制された新規な構造の半導体紫外線受光素子を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、II族酸化物半導体またはIII族窒化物半導体で形成された半導体層3と、半導体層3上に形成された紫外線透過性の有機物電極5と、半導体層3上に、有機物電極5の外側に形成された絶縁層と、有機物電極上から絶縁層上に延在し、絶縁層上方にボンディング領域を確保するワイヤーボンディング用金属電極6とを有する。 (もっと読む)


【課題】ワイヤーボンディング用金属電極の有機物電極からの剥離が抑制された新規な構造の半導体紫外線受光素子を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、絶縁性下地の一部上方に、II族酸化物半導体またはIII族窒化物半導体で形成された半導体層と、半導体層の上面と側面を覆い、端部が絶縁性下地上に達するように形成された紫外線透過性の有機物電極と、有機物電極上から絶縁性下地上に延在し、絶縁性下地上方にボンディング領域を確保するワイヤーボンディング用金属電極とを有する。 (もっと読む)


【課題】回路層に対するIa族元素の拡散を防止しながら光電変換効率を向上する。
【解決手段】回路層20は、基板10の面上に形成されてトランジスター12を含む。光電変換素子14は、第1電極41および第2電極42との間に介在するカルコパイライト型半導体の光電変換層43を含む。供給層34は、回路層20と光電変換層43との間に形成されてIa族元素を含む。光電変換層43に対するIa族元素の拡散で光電変換効率が向上する。保護層32は、供給層34と回路層20との間に形成されて回路層20に対するIa族元素の拡散を防止する。 (もっと読む)


【課題】可視光領域だけでなく近赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する希少金属を使用しない安価な酸化物透明電極膜からなる光検出素子用透明電極膜、およびそれを設けた光検出素子を提供することである。
【解決手段】
本発明の光検出素子用透明電極膜は、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなる。該酸化物透明電極膜は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法(PLD法)またはエレクトロンビーム(EB)蒸着法にて成膜されたものであり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比で0.02〜0.1の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明導電膜の比抵抗が2.0×10-3Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】特定の波長に対して感度を持たせた素子を材料の選定を行うことなく容易に作製可能な受光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】順方向バイアス電圧を印加することによりp層14とn層13の接合部35に拡散電流を発生させ、発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れかの層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返し、近接場光が発生した箇所では反転分布に基づき非断熱過程により複数段階で誘導放出させることにより、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させることにより表面形状及び/又はドーパント分布を固定させる。 (もっと読む)


【課題】リーク電流(暗電流)が低減された光電変換部を有する光電変換装置、これを適用した電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の光電変換装置は、基板上に形成された回路部と、回路部に電気的に接続された第1電極21と、第1電極21に対向配置された透光性を有する第2電極22と、第1電極21と第2電極22との間に挟持された光電変換部26とを備え、光電変換部26は、カルコパイライト型のp型化合物半導体膜からなる光吸収層23と、非晶質の酸化物半導体層24と、n型半導体膜からなる窓層25とが順に積層されたものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い半導体薄膜と、この半導体薄膜を用いた発光素子、並びに受光素子と、これらの製造方法を開発することが課題である。
【解決手段】
ゾル状態の酸化亜鉛を基板上にスピンコート法で塗布する際と、ゲル状態の酸化亜鉛薄膜を乾燥、及び結晶化する際に、電界印加状態でマイクロ波を照射してZn+―O結合を回転させ電界方向にそろえて、結晶品質の良い酸化亜鉛薄膜を形成させる。次に、この酸化亜鉛薄膜を用いて、図6(a) から(c)のpn接合を形成することで原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い発光素子と受光素子が得られる。 (もっと読む)


【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第1充填材444は、原子番号9以下の元素で構成されているので、原子番号9を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第2充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 (もっと読む)


【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなるn型半導体層と、酸化ニッケルからなるp型半導体層を積層してなり、前記n型半導体層と前記p型半導体層がpn接合を形成している紫外線センサー素子であって、前記n型半導体層の膜厚が0.5〜15μm、前記p型半導体層の膜厚が1〜30μmであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 (もっと読む)


【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなる非多孔質の酸化物層、前記非多孔質の酸化物層と同じ材料からなる多孔質酸化物層、金属層を積層してなり、前記金属層が前記多孔質酸化物層に対してショットキー接合を形成している紫外線センサーであって、前記非多孔質の酸化物層の膜厚が20〜700nm、前記多孔質酸化物層の膜厚が2〜20μmであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 (もっと読む)


【課題】特定の吸収波長に強く応答することができる紫外線センサを実現する。
【解決手段】(Ni,Zn)Oを主成分とするp型半導体層1とZnOを主成分としたn型半導体層2とを接合させる前に、(Ni,Zn)O焼結体を酸性及びアルカリ性のいずれかに調整した表面処理溶液に接触させ、前記焼結体の表層面のZnを溶出させてp型半導体層1を作製する。表面処理は外部電極5a、5b形成後のめっき処理と同時に行うのが好ましく、表層面からのZn溶出量が所定量となるようなpHに調整された表面処理溶液を選択し、表面処理を行うか、又は表層面からのZn溶出量が所定量となるような所定時間、(Ni,Zn)O焼結体を表面処理溶液に浸漬させる。 (もっと読む)


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