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Fターム[5F049NB03]の内容

受光素子−フォトダイオード・Tr (21,418) | 用途 (2,005) | イメージセンサ用 (329)

Fターム[5F049NB03]に分類される特許

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【課題】 小型で光検出精度の優れた受発光素子を提供する。
【解決手段】 一導電型の半導体材料から成り、傾斜面2b1およびこれに続く底面2b2で構成された窪み部2bを一主面2aに有する基板2と、基板2の一主面2aに設けられた発光ダイオード3と、窪み部2bの底面2b2に設けられた第1フォトダイオード4と、窪み部2bの傾斜面2b1に設けられた第2フォトダイオード5とを有する。 (もっと読む)


【課題】時間分解能が画素間で異なるのを抑制すると共に、時間分解能をより一層向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子10は、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板1N内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードAPDと、それぞれのアバランシェフォトダイオードAPDに対して直列に接続されると共に半導体基板1Nの主面1Na側に配置されたクエンチング抵抗R1と、クエンチング抵抗R1と電気的に接続され且つ主面1Na側から主面1Nb側まで半導体基板1Nを貫通して形成された複数の貫通電極TEと、を含む。搭載基板20は、貫通電極TE毎に対応して主面20a側に配置された複数の電極E9を含む。貫通電極TEと電極E9とがバンプ電極BEを介して電気的に接続され、半導体基板1Nの側面1Ncとガラス基板30の側面30cとは面一とされている。 (もっと読む)


【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体31と、半導体基体31の第1主面上に形成された、Geを含む第1半導体層32とを備える固体撮像素子30を構成する。この固体撮像素子30は、半導体基体31の第2主面に形成された転送トランジスタTr1と、第1半導体層32を含む領域に形成されたフォトダイオード33とを備える。 (もっと読む)


【課題】 BPDに濃度勾配を設ける特別なウェハプロセスを用いることなく、感度が高く規定の時間内にBPD内の信号電荷がFDに転送される光電変換回路を得る。
【解決手段】 受光領域への入射光により電荷が生成され蓄積される複数のBPDと、一方の端子に少なくとも2つの前記BPDが接続され、オン状態/オフ状態に切り替える制御信号が入力される制御端子が共通接続された少なくとも1つのTGと、各々の前記TGの他方の端子が接続され、各々の前記TGが同時にオン状態に切り替わることにより、各々の前記BPDの前記電荷が同時に転送され集約するFDとを備え、前記FDから各々の前記BPDの前記受光領域の最遠部の間の最大距離が、規定の時間内で各々の前記BPDの前記電荷の全てが各々の前記BPDから前記FDに転送される距離である。 (もっと読む)


【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極14aと蓄積電極14bとが障壁制御電極14cを挟んで配置される。分離電極14aと蓄積電極14bと障壁制御電極14cとに正極性の電圧が印加されてウェル12にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極14cに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極14bに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 (もっと読む)


【課題】シリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイPDA1は、複数の光検出チャンネルCHがn型半導体層32を有する基板Sを備える。フォトダイオードアレイPDA1は、n型半導体層32上に形成されたp型半導体層33と、光検出チャンネルCH毎に設けられると共に信号導線23に一端部が接続される抵抗24と、複数の光検出チャンネルCHの間に形成されるn型の分離部40とを備える。p型半導体層33は、n型半導体層32との界面でpn接合を構成し、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増倍させる増倍領域AMを光検出チャンネルに対応して複数有する。n型半導体層32の表面には不規則な凹凸10が形成されており、当該表面は光学的に露出している。 (もっと読む)


【課題】外部量子効率と光反応性が優れた光ダイオードを提示する。
【解決手段】光ダイオードは、アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードの間に位置する真性層を含み、前記真性層はP型半導体及びN型半導体を含み、前記真性層内における位置に応じてP型半導体とN型半導体の組成比率が異なる。好ましくは、前記真性層内におけるP型半導体とN型半導体の組成比率は前記アノード及び前記カソードからの距離に応じて異なり、前記真性層内において、前記アノードと近いほどP型半導体の組成比が高まり、前記カソードと近いほどN型半導体の組成比が高まる。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜の形成方法に依らずに、その表面に凹凸を形成することが可能な透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化物からなる透明導電膜を形成し、透明導電膜を水素含有ガスの還元雰囲気に晒すことで、透明導電膜の表面に凹凸を形成する、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】加熱処理を行った場合にも優れた高光電変換効率および低暗電流性を示し、高い生産性で製造することができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜15と、導電性膜11と、透明導電性膜15と導電性膜11との間に配置された光電変換層12および電子ブロッキング層16Aとを有する光電変換素子10aであって、光電変換層12が、ベンゼン環を少なくとも5個以上含み、総環数が7個以上であり、カルボニル基を含まない縮合多環炭化水素を含有し、電子ブロッキング層が、化合物からRa1〜Ra9の少なくとも1つの基を取り除いた残基を有し、ガラス転移点(Tg)が200℃以上である化合物Aを含有する。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率が高く、光電流/暗電流のS/N比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極(20,40)と、一対の電極(20,40)に挟持された少なくとも光電変換層32を含む受光層30を有する光電変換素子1は、受光層30の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のD50%で表される平均粒径が50μm〜300μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 (もっと読む)


【課題】フォトダイオードを有する半導体イメージセンサーにおいて、より高い光検出効率を実現し、光検出部以外の信号処理を行う画素トランジスタの特性を安定させることで、半導体装置の微細化を可能にする。
【解決手段】フォトダイオードPDを構成するP領域126およびN型領域111に炭素を共注入して炭素注入層128a、128bを形成することで、フォトダイオードPDの容量を増大させる。また、炭素注入層128bの形成によりN型領域111を含む転送トランジスタTrのチャネル内のホウ素の分布を均一化し、転送トランジスタTrの特性を安定させることで半導体装置内の素子の特性ばらつきの発生を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】1画素1バンプを実現しながら、感度を向上させる。
【解決手段】センサ素子アレイを、第1波長帯に対する第1活性層8と第2波長帯に対する第2活性層9とを積層した構造を有し、縦横2つずつ配列された第1〜第4画素10A〜10Dと、第1画素10Aの第1活性層と第2画素10Bの第1活性層とに電気的に接続された第1バンプ6Aと、第2画素の第2活性層に電気的に接続された第2バンプ6Bと、第1画素の第2活性層と第3画素10Cの第2活性層とに電気的に接続された第3バンプ6Cと、第4画素10Dの第1活性層に電気的に接続された第4バンプ6Dとを備えるものとし、第1〜第4バンプを、第1〜第4画素の上方にそれぞれ1つずつ設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする。
【解決手段】 半導体紫外線受光素子の製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板上の一部領域に極性反転層を形成する工程と、前記基板上及び前記極性反転層上に、−c極性ZnO系半導体層と+c極性ZnO系半導体層とを、同時にエピタキシャル成長させる工程と、前記−c極性ZnO系半導体層をエッチングにより除去する工程と、前記+c極性ZnO系半導体層上にショットキー電極を形成する工程と、前記ショットキー電極と対をなすオーミック電極を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示すと共に、高速で連続して製造した際にも製造ロッド間での応答速度のばらつきが小さい光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性膜、光電変換材料を含む光電変換膜、および透明導電性膜をこの順で積層してなる光電変換素子であって、光電変換膜が固体からなる膜であり、該光電変換材料が、一般式(1)で表される化合物を含む、光電変換素子。
(もっと読む)


【課題】光の左右比の検出精度の低下が抑制された光センサ、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板(10)に受光素子(20)が形成され、受光素子(20)の形成面(10a)上に、透光膜(30)を介して遮光膜(40)が形成され、遮光膜(40)に透光用の開口部(50)が形成された光センサであって、仮想直線(VL)を介して線対称の関係にある一対の受光素子(21,22)及び一対の開口部(51,52)を有し、形成面(10a)に直交する高さ方向に沿う光を、開口部(51,52)を介して受光素子(21,22)に照射した際に、一対の受光素子(21,22)から出力される出力信号に基づいて、高さ方向に沿う光が開口部(51,52)を介して受光素子(21,22)に入射した際に出力される一対の受光素子(21,22)の出力信号が互いに一致するように、各出力信号を補正する。 (もっと読む)


【課題】光電変換特性に優れる有機光電変換素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板2と、基板2上に形成された、少なくとも一方が透明な一対の電極と、電子受容体6及び電子供与体5を含んで形成された活性層9と、一方の該電極と活性層9との間に、下記式(I)または(II)で表わされるベンゾポルフィリン化合物を含んで形成されたベンゾポルフィリン化合物層とを備える。
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【課題】光電変換層に汚染物質を混入させず、分光感度特性がよく、かつ出力電流にばら
つきのない光電変換装置を得ることを課題とする。光電変換装置を有する半導体装置にお
いて、信頼性の高い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に、第1の電極と第2の電極と、前記第1の電極と第2の電極と
の間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバ
ーコート層上に、p型半導体膜、i型半導体膜及びn型半導体膜を有する光電変換層と、
前記光電変換層の端部の一方は、前記第1の電極と接しており、前記カラーフィルタの端
部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 (もっと読む)


【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第1波長帯域の光に感応する第1フォトダイオードアレイを有する第1半導体基板2と、第2波長帯域の光に感応する第2フォトダイオードアレイを有する第2半導体基板2’と、複数のアンプAMPが形成されると共に第1及び第2半導体基板2,2’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプAMPに接続した第3半導体基板3とを備えている。第1半導体基板2及び第2半導体基板2’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 (もっと読む)


【課題】特定の波長域の光を選択的に、高感度に検出することができる光検出装置及びこれに用いる光学フィルターを提供する。
【解決手段】支持基板上に2つの受光素子が形成されている。第1の受光素子は、p型層、n型層、光吸収半導体層、アノード電極、カソード電極、保護膜等により構成されている。第2の受光素子は、p型層、n型層、透過膜、アノード電極、カソード電極、保護膜等により構成されている。波長範囲λの光を吸収する光吸収半導体層は、pn接合領域よりも受光面側配置されている。光の吸収域がない透過膜は、pn接合領域よりも受光面側配置されている。第1の受光素子の検出信号と第2の受光素子の検出信号を演算することにより、波長範囲λの光量を計測する。 (もっと読む)


【課題】活性化率が高く、毒性が低く、且つ制御が容易であるp型ドーパントを用いた量子型赤外線センサ用化合物半導体積層体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明による量子型赤外線センサを作製するための化合物半導体積層体は、基板に、n型コンタクト層、光吸収層、p型バリア層、及びp型コンタクト層が順次積層された積層体であって、前記光吸収層は、ノンドープのInSbと、p型ドーパントとしてSiがドーピングされた、GaSb、AlSb、及びAlGaSbからなる群より選択された一種とが周期的に積層された超格子構造体を有することを特徴とする。 (もっと読む)


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