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Fターム[5F049PA01]の内容

受光素子−フォトダイオード・Tr (21,418) | 製造方法(工程) (2,065) | 結晶成長 (455)

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【課題】II族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、(a)基板上方に、II族酸化物半導体層を成長させる工程と、(b)II族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつOリッチ条件での成長を行い抵抗率が10Ωcm以上のII族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】光検出装置の縮小、製造コストの低減を図る。
【解決手段】可視光センサ及び赤外光センサを配置する際の面積を縮小するために、可視光を検知する第1のフォトダイオードと赤外光を検知する第2のフォトダイオードとを重畳して配置し、可視光を第1のフォトダイオードで先に吸収する構成とすることで第2のフォトダイオードに入射される可視光を非常に少なくするものである。また、第2のフォトダイオードと重畳して配置する第1のフォトダイオードを第2のフォトダイオードの光学フィルタとして用いるものである。そのため第1のフォトダイオードを構成する半導体層は可視光を吸収し、且つ赤外光を透過する半導体層とし、第2のフォトダイオードの半導体層は赤外光を吸収する半導体層とするものである。 (もっと読む)


【課題】n型不純物を導入した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ10は、GaSb基板12と、GaSb基板12上に形成されたGaSbを含む層と、GaSbを含む層上に形成されたInAs層とを備え、InAs層のGaSb基板12と反対側の最表面17aにおいて全構成元素に対するSbの組成が3%以下である。半導体装置は、半導体ウエハ10と、半導体ウエハ10の最表面17a上に形成された電極とを備えている。 (もっと読む)


【課題】光を最大に効率良く利用し、高いS/N比を有した超小型で、中赤外線領域の赤外線を電気信号に変換するのに適した光センサを提供すること。
【解決手段】光センサは、半導体基板の表面に設けられた少なくとも第1のn型半導体層2と、第1の半導体層2上に設けられた光吸収層となる第3のi型半導体層4と、この第3の半導体層4上に設けられた第2のp型半導体層3と、第2のp型半導体層3と第3のi型半導体層4との間の、複数の第4の半導体層5と、第5の半導体層6とから構成されている。第4の半導体層5のバンドギャップは第2、第3の半導体層のバンドギャップより大きく、複数の第4の半導体層5と第5の半導体層6は交互に積層され、超格子構造を形成しており、赤外線によって第3の半導体層で生じた拡散電流およびリーク電流を抑制することによって、入射光量に対する電気出力が増加し、S/N比の向上を実現した。 (もっと読む)


【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Pに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜13の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部PBを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 (もっと読む)


【課題】サファイア基板上に高品質なIII族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板2上のAlN層にラジカル源5から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるIII族窒化物の構成元素からなるターゲット3aに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するPLD(パルスレーザ堆積)法によってIII族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なN極性結晶を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】MBE法又はMOCVD法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際、同時にアルミニウム(Al)をドープする。 (もっと読む)


【課題】 赤外検出器は、様々なノイズ源によって望ましくない影響を受ける。しかも一部の赤外検出器は、たとえば熱的に励起された電流キャリアによって発生するノイズを減少させるため、液化窒素温度(77K)以下の温度で動作するように冷却される。
【解決手段】 広帯域放射線検出器は第1型の電気伝導を有する第1層を有する。第2層は、第2型の電気伝導及び第1スペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップを有する。第3層は、ほぼ前記第2型の電気伝導、及び、前記第1スペクトル領域の波長よりも長い波長を有する第2スペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップを有する。当該広帯域放射線検出器は複数の内部領域をさらに有する。各内部領域は少なくとも部分的に前記第3層内部に設けられて良い。各内部領域は、前記第3層の屈折率とは異なる屈折率を有して良い。前記複数の内部領域は規則的に繰り返されるパターンに従って配置されて良い。 (もっと読む)


【課題】検出感度が高く、大面積化が可能な赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】遠赤外線〜中赤外線を透過し、近赤外線〜可視光を反射する反射部1と、反射部1を透過した遠赤外線〜中赤外線により電子が励起されて、光電流が生成される量子ドット構造を多重に積層した光電流生成部2と、光電流生成部2で生成された光電流の電子が注入されて、正孔と再結合させることにより、近赤外線〜可視光を放出する量子井戸構造を多重に積層した発光部3と、発光部3から放出された近赤外線〜可視光を検出すると共に、発光部3から放出されて、反射部1で反射された近赤外線〜可視光を検出する光検出部4とを有し、反射部1、光電流生成部2及び発光部3を、半導体の基板上に積層したIII−V族化合物半導体から構成する。 (もっと読む)


【課題】高い感度を得ることができる光検知器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極1と、下部電極1上方に形成された活性層9と、活性層9上方に形成された上部電極4と、が設けられている。活性層9には、障壁層2と、障壁層2と格子整合する量子井戸層3と、が設けられている。障壁層2及び量子井戸層3は、タイプII型の超格子を構成している。量子井戸層3には、第1の化合物半導体層3a及び3cと、第1の化合物半導体層3a及び3cの結晶に格子歪を生じさせる第2の化合物半導体層3bと、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】メサ型フォトダイオードの安定なデバイス特性及び長期信頼性を得る。
【解決手段】メサ(受光領域メサ19)の側面23と、メサの上面24における少なくとも当該メサの肩の部分(肩部25)とは、それらの上に成長された第1導電型、第2導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層(例えば、ノンドープInP層17)により連続的に被覆されている。半導体層においてメサの側面23を覆う部分の層厚D1が850nm以上である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、非常に薄い半導体層を備えた光検出要素を提供する。
【解決手段】真空中での波長がλ0 に近い光を検出するための光検出要素は、屈折率がnsであり、厚さがλ0/4ns 乃至λ0/20nsの範囲にある半導体層(1) と、該半導体層(1) の一側に設けられており、前記屈折率nsより小さい第1の屈折率を有して前記光を透過させる第1の媒体(3) と、前記半導体層(1) の他側に設けられており、前記屈折率nsより小さい第2の屈折率を有しており、幅がλ0/nsに略等しい領域(5) を有する第2の媒体(6) と、前記半導体層(1) の他側であって、前記領域(5) の両側に設けられており、前記第2の屈折率より大きい第3の屈折率を有しており、前記第2の媒体(6) と共に反射性界面を形成する第3の媒体(7) とを備えている。 (もっと読む)


【課題】入射光パワーが高い場合において、優れた応答速度を確保できる半導体受光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板20上にn型エピタキシャル層5が形成される。また、n型エピタキシャル層5を貫通して半導体基板20に至るp型低濃度拡散層7及びp型高濃度拡散層8が形成される。n型低濃度拡散層9は、n型エピタキシャル層5を介してp型低濃度拡散層7及びp型高濃度拡散層8と対向して形成される。n型高濃度拡散層10は、n型エピタキシャル層5及びn型低濃度拡散層9を介して、p型低濃度拡散層7、p型高濃度拡散層8及び半導体基板20と対向して形成される。n型高濃度拡散層10は、n型低濃度拡散層9よりも不純物濃度が高い。受光領域の外側においては、p型拡散層4上にアノード電極12、n型高濃度拡散層10上にカソード電極13が形成されている。 (もっと読む)


【課題】耐久性が高く、かつ、高速応答性能を有する半導体受光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体受光素子1は、入力部121と、第一出力部122と、第二出力部123とを含み、入力部121から入力した光を偏光分離せずに、入射光よりも強度の低い光に分岐して、第一出力部122、第二出力部123から出力する光分波器12と、第一出力部122からの光を伝播させる第一光導波路13Aと、第二出力部123からの光を伝播させる第二光導波路13Bと、第一光導波路13Aの光射出側端面、第二光導波路13Bの光射出側端面に接続された半導体光吸収層142とを備える。第一光導波路13Aからの光は、第二光導波路13Bからの光とは異なる方向から前記半導体光吸収層142に入射する。 (もっと読む)


【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 従来の化合物半導体へテロ接合の製造方法では、微小な信号電流を扱う半導体装置において十分な雑音特性を得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、III−V族化合物半導体である第1の半導体を、第1の基板温度で成長させる。第1の半導体の成長を停止させ、第1の半導体の表面に、V族元素の原料を供給しながら、基板の温度を、第1の基板温度とは異なる第2の基板温度に変化させる。第1の半導体の上に、第1の半導体とは異なるIII−V族化合物半導体である第2の半導体を、第2の基板温度で成長させる。基板の温度を第1の基板温度から第2の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、V族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】長波長帯に対応可能な受光感度を有し、かつ、暗電流のばらつきの少ない半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半絶縁性のFeドープInP基板1上にSnドープn型InPバッファ/コンタクト層2と、アンドープInGaAsSb光吸収層4と、Beドープp型InGaAs/Beドープp型InGaAsPコンタクト層5とが順次積層されてなる構造を備えた半導体受光素子において、光吸収層4とコンタクト層5との境界面の面積を3.14×102μm2以上7.85×103μm2以下とした。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の寄生容量の動作状態に応じた変動を抑えて、寄生容量が小さい状態を保つことにより、安定的に光応答特性が良い状態を得ることが可能な光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により電流を発生する第1の光電変換素子(10)と、前記第1の光電変換素子で発生した電流を増幅する第1の電流増幅素子(20)と、前記第1の光電変換素子の逆バイアス電圧値を検出する第1の検出手段(40)と、前記第1の検出手段の検出結果を基に前記第1の光電変換素子の逆バイアス電圧値を第1の定常値に設定する第1の設定手段(60)とを有し、前記第1の定常値は、前記第1の光電変換素子の空乏化電圧よりも大きいことを特徴とする光電変換装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】 混色が少なく、画素容量(飽和信号量)が大きく、かつ、残像が少ない固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】 固体撮像装置は、第1導電型半導体基板1と、第1導電型半導体基板1上に形成された第2導電型半導体層2と、第1導電型半導体基板1とコンタクトするように第2導電型半導体層2内の下部側に選択的に形成された第1の第1導電型半導体領域3と、第1の第1導電半導体領域3およびその周囲の第2導電型半導体層2を含む画素領域を規定する、第1の第1導電型半導体領域3にコンタクトせずに第2導電型半導体層2を貫通する第1導電型画素分離領域6とを備えている。 (もっと読む)


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