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Fターム[5F049PA04]の内容

Fターム[5F049PA04]に分類される特許

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【課題】故障し難く小型化することが可能な光検出素子及び該光検出素子を用いる光検出方法を提供する。
【解決手段】光吸収層及び該光吸収層に隣接する量子構造部と、光吸収層に接続された第1電極と、量子構造部に接続された第2電極とを有し、量子構造部は、量子井戸層及び該量子井戸層を挟む障壁層を有し、障壁層の伝導帯端は光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、障壁層の伝導帯端と光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は、0.58eVよりも大きく、量子井戸層の伝導帯側に形成された量子準位は光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、量子準位と光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は電子が受け取る熱エネルギーよりも大きい光検出素子とし、該光検出素子を用いて光検出素子へと入射した光により生じた電流電圧特性を得る工程と、得られた電流電圧特性を用いて入射した光の波長及び強度を同定する工程と、を有する光検出方法とする。 (もっと読む)


【課題】基板の自由度があり、待機時(光非照射時)の電力消費が小さく、また光照射時のS/Nが大きい受光素子を提供することである。
【解決手段】紫外線が透過する材料をFETの電極として用い、また、電子走行領域をAlGaNとGaNとのヘテロ界面等のGaN系膜同士のヘテロ界面とする。 (もっと読む)


【課題】近赤外〜遠赤外域に受光感度を有するIII−V族半導体において、キャリア濃度を高精度で制御できる受光素子、およびその受光素子の素材となるエピタキシャルウエハ、およびそのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 III−V族化合物半導体からなる基板と、光を受光するための受光層と、該受光層のバンドギャップエネルギより大きいバンドギャップエネルギを有する窓層と、少なくとも受光層に位置するpn接合とを備え、窓層の表面において、二乗平均面粗さが10nm以上40nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】フィルファクタの大きいメサ構造を採用した上で、メサ構造の溝の壁面におけるリーク電流を抑制することができる受光素子等を提供する。
【解決手段】 本発明の受光素子10は、半導体基板1上に画素が形成された受光素子であって、光を受光するための受光層3と、受光層内に位置するpn接合15と、画素と該画素の周囲とを溝によって隔てるメサ構造とを備え、メサ構造の溝7の壁面にわたって、pn接合の端が該メサ構造の壁面に露出しないように不純物壁面層8が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャルLED、LD、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つGaN基板の形成方法の提供。
【解決手段】約10/cm未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm−3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された1以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)用途のような照明用途、並びにGaNを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約10/cm未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm−3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に1以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】設計自由度を低下させることなく、感度の向上を図ることができる受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子1は、入射光を表面プラズモンに変換する周期構造領域1aと、周期構造領域1aの外縁に沿うように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域1bと、周期構造領域1aの内側に位置するように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域1cと、を備える。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、AlNバッファ層とGaN下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、AlN中間層と、AlGaN中間層と、GaN中間層と、を含む。前記AlGaN中間層は、前記AlN中間層に接する第1ステップ層を含む。前記第1ステップ層におけるAl組成比は、前記AlN中間層から前記第1ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 (もっと読む)


【課題】光により消弧可能な光スイッチング素子又はその光スイッチング素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置(100)は、窒化物半導体を含む素子構造を有する光スイッチング素子(10)と、前記光スイッチング素子に第1の波長の光を照射する第1の光源(20)と、を遮光部材(40)内に備え、前記光スイッチング素子(10)は、前記第1の波長の光を照射されることにより、該光を照射される前に比べて、立ち上がり電圧が上昇することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第1層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第1層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 (もっと読む)


【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法及び窒化物半導体結晶層を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、表面にシリコン酸化膜が形成された基体の上に設けられた20μm以下の厚さのシリコン結晶層の上に、1μm以上の厚さの窒化物半導体結晶層を形成する。シリコン結晶層の上に、窒化物半導体結晶層のうちの第1の部分を形成した後、第1の部分よりも高い温度で第2の部分を形成する。シリコン結晶層は、シリコン結晶層の層面に対して平行な面内において、0.5mm以上、10mm以下の特性長さを持つ島状に区分されている。区分されたシリコン結晶層のそれぞれの上に選択的に互いに離間した複数の窒化物半導体結晶層を形成する。シリコン結晶層の少なくとも一部を窒化物半導体結晶層に取り込ませ、シリコン結晶層の厚さを減少させる。 (もっと読む)


【課題】大きな開口率を実現することができるアバランシェフォトダイオードを得る。
【解決手段】n型InP基板1の主面上に、アバランシェ増倍層3、p型InP電界緩和層4、光吸収層5、及びアンドープInP窓層6が順に積層されている。アンドープInP窓層6の一部にp型不純物領域8が設けられている。直線状p側電極9がp型不純物領域8上に配置されてp型不純物領域8に接続されている。直線状p側電極9は、n型InP基板1の主面に対向する平面視において直線状である。 (もっと読む)


【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ10は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Pが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたp型領域6の先端部にpn接合15を有し、受光部Pを区分けするように、n型領域7が該受光部の間に位置することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板との間に空隙を形成する第1凹凸形状を有するバッファ層と、前記バッファ層の前記第1凹凸形状の上に形成された窒化物半導体層と、を有する構造体の、前記窒化物半導体層の側に支持基板を接合した後、第1の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去した後、前記第1の処理材とは異なる第2の処理材を用いて前記バッファ層及び前記窒化物半導体層の厚さを減少させて、前記窒化物半導体層に前記第1凹凸形状を反映した凹第2凸形状を形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】反転型のアバランシェフォトダイオードにおいて、p型コンタクト層の抵抗を低減し、より広帯域な特性が実現できるようにする。
【解決手段】アンチモンを含むp型のIII−V族化合物半導体から構成されて基板101の上に形成されたp型コンタクト層102と、Sbを含むIII−V族化合物半導体から構成されてp型コンタクト層102の上に形成された光吸収層103とを備える。また、p型コンタクト層102は、炭素を不純物として導入することでp型とされている。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の第1部分の上に形成された層間絶縁膜と、前記窒化物半導体層の第2部分の上に形成された電極と、前記窒化物半導体層の上に形成された層間絶縁膜及び電極と、を有する構造体の、前記層間絶縁膜及び前記電極の上に支持基板を接合した後、第1の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去する前記工程の後に、前記層間絶縁膜をエッチングストップ層として前記窒化物半導体層をパターニングする工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】耐入力性を低下させることなく装荷型フォトダイオードの応答速度を向上させる。
【解決手段】下部クラッド層107,コア層106,上部クラッド層105は、対象とする光を吸収しない範囲のバンドギャップエネルギーの半導体から構成され、コア層106および上部クラッド層105の不純物導入量は、第1半導体層102と第2半導体層103との間への電圧印加により、光吸収層104が形成されている領域における一部のコア層106および上部クラッド層105が空乏化する範囲とされている。 (もっと読む)


【課題】受光部とメサ部との間に樹脂膜が埋め込まれる構造であっても、入射光に対する光学的な影響を低減することが可能な半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、n型InP基板10上に設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなる受光部16と、n型InP基板10上に受光部16に隣接して設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなるダミーメサ部20a(電極接続部)と、受光部16の側面、ダミーメサ部20aの側面、および受光部16とダミーメサ部20aとの間のn型InP基板10を覆う第1絶縁膜26と、第1絶縁膜26上の受光部16とダミーメサ部20aとの間を埋め込む樹脂膜28と、受光部16の上面と直接接し、かつ樹脂膜28を覆う第2絶縁膜30と、を備える半導体受光素子である。 (もっと読む)


【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、InP基板1の上に位置し、InGaAs層3aとGaAsSb層3bとが交互に積層されたタイプ2の多重量子井戸構造の受光層3を備え、InGaAs層またはGaAsSb層の層内において上面または下面へと、そのInGaAsまたはGaAsSbのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第1波長帯域の光に感応する第1フォトダイオードアレイを有する第1半導体基板2と、第2波長帯域の光に感応する第2フォトダイオードアレイを有する第2半導体基板2’と、複数のアンプAMPが形成されると共に第1及び第2半導体基板2,2’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプAMPに接続した第3半導体基板3とを備えている。第1半導体基板2及び第2半導体基板2’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 (もっと読む)


【課題】新規な半導体光素子を提供すること。
【解決手段】それぞれ異なる結晶面(ファセット)を有する結晶粒から成る多結晶もしくは微結晶窒化物半導体(以後単に多結晶窒化物半導体)を基体としており、各結晶粒のファセットがランダムになることを利用した、もしくはその構造を制御することを特徴とした半導体電子素子とする。 (もっと読む)


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