【課題】電場増強性能の高い新規なプラズモン材料による電場増強により、高い変換効率を示すことができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】活性層５０と、３０個以上の金属系粒子２０が互いに離間して二次元的に配置されてなる粒子集合体からなる層であって、金属系粒子２０は、その平均粒径が１０〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５〜５００ｎｍの範囲内、アスペクト比が０．５〜８の範囲内にあり、隣り合う金属系粒子との平均距離が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように金属系粒子２０を配置した金属系粒子集合体層とを備える光電変換素子である。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】性能を落とすことなく小型化が可能なセンサ、太陽電池等の電気素子と、電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態の半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一つの活性有機層を備えた電子構成要素を製造する。
【解決手段】有機構成要素を巻回プロセスにて製造し得る方法を最初に開示する。連続的な製造方法は、活性半導体層の活性領域が、製造プロセスの任意の時点にて未保護の溶媒、及び／又は溶媒蒸気に露出されない利点を有している。それによって、高品質の有機構成要素を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子ＳＰ１は、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１及び第２主面２１ａ，２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備え、表面入射型である。シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成され、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。シリコン基板２１の第２主面２１ｂにおける不規則な凹凸１０が形成された領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】外部量子効率と光反応性が優れた光ダイオードを提示する。
【解決手段】光ダイオードは、アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードの間に位置する真性層を含み、前記真性層はＰ型半導体及びＮ型半導体を含み、前記真性層内における位置に応じてＰ型半導体とＮ型半導体の組成比率が異なる。好ましくは、前記真性層内におけるＰ型半導体とＮ型半導体の組成比率は前記アノード及び前記カソードからの距離に応じて異なり、前記真性層内において、前記アノードと近いほどＰ型半導体の組成比が高まり、前記カソードと近いほどＮ型半導体の組成比が高まる。 （もっと読む）

【課題】長波長の光の吸光度が大きい高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（Ａ）で表される繰り返し単位と式（Ｂ）で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。


〔式（Ａ）及び式（Ｂ）中、Ｑ及びＲは、同一又は相異なり、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基又は、特定の、アルコキシカルボニル（アルキレン）基、もしくはアラルキルオキシカルボニル（アルキレン）基で、これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。複数個あるＱは、同一でも相異なっていてもよい。複数個あるＲは、同一でも相異なっていてもよい。〕 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面上に有機検出器を有する有機イメージング装置を対象としている。
【解決手段】本装置は、写真撮影、軽量カメラシステム、超高解像度イメージング、軽量“暗視”、ロボット視覚等のイメージング応用において使用可能である。可変レンズを備えた凹状のハウジングが提供される。可変レンズによって、視野及び焦点距離に幅が出る。本発明は、一定範囲の電磁放射を検出するように構成され得る。そして、コンピュータ、ディスプレイまたは他の処理用装置に対する入力が提供され、または、検出された放射が画像として表示される。 （もっと読む）

【課題】電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法を提供する。
【解決手段】赤外または可視範囲での電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法であって、検知回路が、液相または気相エピタキシによって、または分子ビームエピタキシによって得られたＨｇ_{（１−ｘ）}Ｃｄ_ｘＴｅで作られた、放射の検知層を含み、検知回路がリード回路上にハイブリッド化された方法。この方法は、以下の段階を含む。検知回路の材料と成長基板と間の界面領域まで、その厚みを低減するために成長基板に機械研磨または化学機械研磨ステップまたは化学エッチングステップを施す段階、そのように得られた界面にヨウ素処理を施す段階。 （もっと読む）

【課題】リーク電流をより小さくし、かつ、電気的特性を改善したショットキーバリア型のＺｎO系半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１上にｎ型ＺｎＯ系半導体層２、酸化アルミニウム膜３が順に形成されている。また、酸化アルミニウム膜３上には、金属電極４、パッド電極５が形成される。金属電極４は、Ｐｄ層４ａ上にＡｕ層４ｂが積層された多層膜構造を有している。金属電極４は、半透明電極として機能する。金属電極４上にはパッド電極５が形成されている。基板１の裏面には金属電極４に対向するように、裏面電極６が形成される。ｎ型ＺｎＯ系半導体層２とＰｄ層４ａでショットキーバリア構造を構成している。 （もっと読む）

【課題】接点注入電流を減らすことによって垂直方向漏洩電流を減らす高フィルファクタ画像アレイを提供することである。
【解決手段】センサが、真性アモルファス・シリコン層と、この真性アモルファス・シリコン層の第１面に結合したｐドープ・シリコン層と、このｐドープ・シリコン層に結合した透明な第１電極と、真性アモルファス層の第２面に結合した少なくとも１つの非金属のバック接点とを包含し、このバック接点が、真性アモルファス・シリコン層の１つの領域から電荷を集め、集めた電荷を検出電子装置に与えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】溶媒に対する溶解性が高い化合物を提供する。
【解決手段】第１の２価の構造単位と第２の２価の構造単位とを有し、該第１の２価の構造単位がベンゼン環、シクロヘキサン環及びヘテロ原子を有する５員環あるいはベンゼン環と縮合し、シクロヘキサン環が橋架けされている特定の縮合環構造を有し、ヘテロ原子を有する５員環あるいはベンゼン環で連結する構造単位であり、該第２の２価の構造単位が、上記の構造単位とは異なる構造単位である化合物。 （もっと読む）

【課題】開口部が数μｍ、アスペクト比が５以上のトレンチ壁面に高濃度の不純物がドーピングされた縦型ｐｎ接合を形成する技術を確立する。
【解決手段】開口部の最小寸法が１０μｍ以下、アスペクト比５以上、かつ壁面の凹凸が０．２μｍ以下のＳｉトレンチ壁面に対し不純物をドープし、さらに、不純物がドープされたトレンチ壁面を、９００℃以上の熱処理でリフローが生じるＳｉＯ₂膜により被覆し、このＳｉＯ₂膜を固体拡散源としたトレンチ壁面にｐｎ接合膜を形成する高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法。前記ドープに先立ち、トレンチ壁面の熱酸化処理を行い、この熱酸化処理によって形成された熱酸化膜を除去する処理によりトレンチ壁面の凹凸を０．１μｍ以下に抑える。 （もっと読む）

【課題】可視光領域だけでなく近赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する希少金属を使用しない安価な酸化物透明電極膜からなる光検出素子用透明電極膜、およびそれを設けた光検出素子を提供することである。
【解決手段】
本発明の光検出素子用透明電極膜は、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなる。該酸化物透明電極膜は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法にて成膜されたものであり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比で０．０２〜０．１の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明導電膜の比抵抗が２．０×１０^-3Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードと絶縁膜との界面における光の反射率を最小化し、イメージ
感度を向上させたＣＭＯＳイメージセンサーを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉのフォトダイオード１２が形成された基板１０と、基板１０の上に形
成されるＳｉＯ_２の絶縁膜１４と、基板１０及び絶縁膜１４の間に介在する半反射膜１３
と、絶縁膜１４の上に形成され、単位画素を構成する複数の金属配線Ｍ１〜Ｍ４と、カラ
ーフィルター１９と、マイクロレンズ２１とを備えているＣＭＯＳイメージセンサーであ
って、半反射膜１３の屈折率が、Ｓｉのフォトダイオード１２の屈折率とＳｉＯ_２の絶縁
膜１４の屈折率との間の値である。 （もっと読む）

【課題】紫外光を可視光から分離して検出する紫外光センサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極層と、第１の電極層上に形成され、ポリシランを含むＰ型半導体材料と、Ｎ型半導体材料とを含み、紫外光のみを吸収する光電変換層と、光電変換層上に形成された第２の電極層とを有する。 （もっと読む）

【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなるｎ型半導体層と、酸化ニッケルからなるｐ型半導体層を積層してなり、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層がｐｎ接合を形成している紫外線センサー素子であって、前記ｎ型半導体層の膜厚が０．５〜１５μｍ、前記ｐ型半導体層の膜厚が１〜３０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】光検出装置の縮小、製造コストの低減を図る。
【解決手段】可視光センサ及び赤外光センサを配置する際の面積を縮小するために、可視光を検知する第１のフォトダイオードと赤外光を検知する第２のフォトダイオードとを重畳して配置し、可視光を第１のフォトダイオードで先に吸収する構成とすることで第２のフォトダイオードに入射される可視光を非常に少なくするものである。また、第２のフォトダイオードと重畳して配置する第１のフォトダイオードを第２のフォトダイオードの光学フィルタとして用いるものである。そのため第１のフォトダイオードを構成する半導体層は可視光を吸収し、且つ赤外光を透過する半導体層とし、第２のフォトダイオードの半導体層は赤外光を吸収する半導体層とするものである。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の低減と、フォトダイオードの開口率を向上させることができる光電変換装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる領域１０２を有する隣接する一対のフォトダイオードの間に設けられた第２導電型の半導体からなるチャネルストップ層１０５と、前記チャネルストップ層１０５の上に設けられた素子分離用絶縁膜１０３と、前記フォトダイオードの表面に設けられ前記素子分離用絶縁膜より薄い絶縁膜１０４と、を有する光電変換装置において、前記フォトダイオードと前記絶縁膜１０４との界面と、前記チャネルストップ層１０５と前記素子分離用絶縁膜１０３との界面が、同一レベルの平面上にあり、前記第１導電型の半導体領域１０２と前記チャネルストップ層１０５とが互いに接している。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、トランジスタを含む増幅回路と、
スイッチとを有し、入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記
フォトダイオードと前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅
されて出力され、入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フ
ォトダイオードと前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下
げて出力される光電変換装置に関するものである。このような光電変換装置により、微弱
光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）