【課題】被撮像物が厚い書籍であっても綴じ部近辺の像が歪まない小型の撮像装置を提供する。特に、薄い撮像装置を提供する。さらには、小型化により撮像装置の可搬性を向上させる。
【解決手段】撮像面が両面に配された撮像装置を提供する。好ましくは、発光素子及び受光素子などの撮像装置を構成する素子は、すべて一の基板上に配する。換言すると、第１の撮像面と、前記第１の撮像面の逆を向いた第２の撮像面と、を有する撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】電流−電圧特性が正側と負側で確実に非対称になり、障壁電圧を向上させるダイオード特性を示し、更には発電電力を増大できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１１に導電層２０を積層し、その上にランダムな周期の周期構造３３を多数含む金属ナノ構造３０を積層する。一対の電極４１，４２を導電層２０上に互いに離して設ける。一対の電極４１，４２のうち第１電極４１と導電層２０との間に極性確定層５０を介在させる。好ましくは、極性確定層５０を、厚さ１ｎｍ未満の絶縁体にて構成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩ族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、（ａ）基板上方に、ＩＩ族酸化物半導体層を成長させる工程と、（ｂ）ＩＩ族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつＯリッチ条件での成長を行い抵抗率が１０^５Ωｃｍ以上のＩＩ族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子ＳＰ１は、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１及び第２主面２１ａ，２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備え、表面入射型である。シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成され、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。シリコン基板２１の第２主面２１ｂにおける不規則な凹凸１０が形成された領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオード及びシリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ５は、Ｐ⁻型半導体基板２０を備え、裏面入射型である。Ｐ⁻型半導体基板２０は、互いに対向する第１及び第２主面０ａ，２０ｂを有し、光感応領域２１を含む。光感応領域２１は、Ｎ^＋型不純物領域２３と、Ｐ^＋型不純物領域２５と、Ｐ⁻型半導体基板２０においてバイアス電圧を印加した際に空乏化する領域とからなる。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂには、不規則な凹凸１０が形成されている。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂ側には、アキュムレーション層３７が形成されており、アキュムレーション層３７における、光感応領域２１に対向している領域は光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】半導体基板２を絶縁層４が露出するまでドライエッチングすることにより、半導体基板２を貫通して絶縁層４に至る孔Ｈ１を光感応領域Ｓ１に対応する位置に形成する。次に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７に、不規則な凹凸２２を形成する。絶縁層４のｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面にピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光が照射されると、絶縁層４が除去されると共に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７がピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、不規則な凹凸２２が面７の全面に形成される。次に、不規則な凹凸２２が形成された基板を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを有する半導体イメージセンサーにおいて、より高い光検出効率を実現し、光検出部以外の信号処理を行う画素トランジスタの特性を安定させることで、半導体装置の微細化を可能にする。
【解決手段】フォトダイオードＰＤを構成するＰ^＋領域１２６およびＮ型領域１１１に炭素を共注入して炭素注入層１２８ａ、１２８ｂを形成することで、フォトダイオードＰＤの容量を増大させる。また、炭素注入層１２８ｂの形成によりＮ型領域１１１を含む転送トランジスタＴｒのチャネル内のホウ素の分布を均一化し、転送トランジスタＴｒの特性を安定させることで半導体装置内の素子の特性ばらつきの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】ベース基板としてシリコン基板を用い、良好な性能のＭＳＭ受光素子（光伝導スイッチ）が製造できる半導体基板を提供する。
【解決手段】表面の全部または一部がシリコン結晶面であるベース基板と、前記ベース基板の上に位置し、前記シリコン結晶面に達する開口を有し、結晶の成長を阻害する阻害体と、前記開口の底部の前記シリコン結晶面の上に位置し、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ（０≦ｘ＜１）からなる第１結晶層と、前記第１結晶層の上に位置し、前記第１結晶層よりも禁制帯幅が大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２結晶層と、前記阻害体および前記第２結晶層の上に位置する一対の金属層と、を有し、前記一対の金属層のそれぞれの金属層が、前記第１結晶層および前記第２結晶層とそれぞれ接触している半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＭＯＳ技術と共存可能な高速高効率光検出器を作る問題に対処すること。
【解決手段】本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。本光検出器を製作する方法は、薄いＳＯＩまたはエピタキシャル酸化物へのＧｅの直接成長および高品質吸収層を達成するための後の熱アニールを使用する。この方法は、相互拡散に利用可能なＳｉの量を制限し、それによって、下のＳｉによるＧｅ層の実質的な希釈を起こすことなく、Ｇｅ層をアニールすることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】ガードリングを比較的小さくする。
【解決手段】フォトダイオードは、アバランシェダイオードを構成する中央部１０と、該中央部を隣接する中央部から隔離するガードリング部１２と、を含む。そして、中央部１０または前記ガードリング部１２に外部から所定の元素を導入して拡散する。例えば、中央部１０に炭素を導入する。これによって、中央部１０とガードリング部１２とのイオン化率の差がより大きくなるようにイオン化率を変化させる。 （もっと読む）

【課題】高さが異なる面を有する微小な構造体を製造する。
【解決手段】基板の上方に感光性材料層を形成する工程（ｂ）と、感光性材料層の上方にマスクを配置する工程（ｃ）と、感光性材料層のうち、第１の領域以外の部分をマスクによって遮光しながら、第１の領域を露光する工程（ｄ）と、マスクを感光性材料層の面に沿って移動する工程（ｅ）と、感光性材料層のうち、第１の領域の一部である第２領域と、第２領域に接し、工程（ｄ）で遮光された領域の一部である第３の領域以外の部分をマスクによって遮光しながら、第２の領域と第３領域を露光する工程（ｆ）と、感光性材料層を現像することにより、マスクの移動方向に沿って高さが異なる面を感光性材料層に形成する工程（ｇ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】特性を向上することができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられた半導体積層体と、半導体積層体上に設けられた導電層とを備え、半導体積層体は、基板側から導電層側にかけて、ｎ型窒化物半導体層、ｉ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層をこの順に含み、ｐ型窒化物半導体層は導電層側の表面に凹凸を有している光電変換素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなる非多孔質の酸化物層、前記非多孔質の酸化物層と同じ材料からなる多孔質酸化物層、金属層を積層してなり、前記金属層が前記多孔質酸化物層に対してショットキー接合を形成している紫外線センサーであって、前記非多孔質の酸化物層の膜厚が２０〜７００ｎｍ、前記多孔質酸化物層の膜厚が２〜２０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】光の感度を向上させた光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板１０１と、半導体基板１０１内に形成されたウェル領域１０２と、ウェル領域１０２内に形成された受光部を有し、受光部は第一の半導体領域１０３と第二の半導体領域１０４を有し、第二の半導体領域１０４は第一の半導体領域１０３よりも半導体基板１０１の表面側に位置し、第二の半導体領域１０４の禁制帯幅は、第一の半導体領域１０３の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１ａは、柔軟性を有し、可視光に対して透明な透明基板１２と、透明基板上に設けられる透明電極１４と、透明電極の透明基板と接している面の反対側の一部に設けられる有機半導体層１６と、有機半導体層の透明電極と接している面の反対側の表面の上方に設けられる反射層７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード、その製造方法及びそれを含むフォトセンサを提供する。
【解決手段】基板上に形成された真性領域と、真性領域の一部に形成されたＰ^＋ドーピング領域と、真性領域の他の一部上に、Ｐ^＋ドーピング領域と離隔するように形成された酸化物半導体領域と、を含むフォトダイオード、その製造方法及びそれを含むフォトセンサである。前記フォトダイオードは、前記真性領域及び前記Ｐ^＋ドーピング領域が同一平面上に位置し、前記酸化物半導体領域が前記真性領域の平面上に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減を図ることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型の基板１０と、基板１０上に積層されたｎ型の第１半導体層１１と、第１半導体層１１上に積層されたノンドープの光吸収層１２上に積層され、Ａｌを含有するｐ型の第２半導体層１３と、第２半導体層１３上に積層されたキャップ層１４と、を備え、キャップ層１４の一部が第２半導体層１３を露出するようにエッチングされ、第２半導体層１３の露出面から基板１０側の界面まで第２半導体層１３の一部が酸化されることで、Ａｌ酸化物を含有する酸化領域１５に囲まれたｐ型の半導体領域１３ａが形成されていることにより、ｐｉ接合面を露出させずに受光部を形成することで、エッチングに起因した結晶欠陥がｐｉ接合面に発生することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体素子全体を加熱することなくサポート基板を接合することを可能とし、また接合時間を短縮化し、化合物半導体素子の製造時間全体の短縮化を図ること。
【解決手段】サポート基板１０６を光透過性の部材で形成し、サポート基板１０６を介して、例えばフラッシュランプ２から、サポート基板１０６は透過するがはんだ層１１１、１０５には吸収される波長のパルス光（閃光）を照射する。これにより、化合物半導体層１０２，１０３，１０４とサポート基板１０６の間に設けられた接合剤層１１１，１０５のみを瞬間的に加熱して融解させ、サポート基板１０６が接合される。なお、サポート基板１０６に金属層を設け、この金属層を加熱させてはんだ層を融解させてもよい。また、サポート基板としてシリコン基板を用い、フラッシュランプの代わりに、ＹＡＧレーザやＣＯ_２レーザを用いて、赤外レーザ光を照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】特定の構造の化合物を光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、その素子は低い暗電流を示し、かつ該素子を加熱した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】透明導電性膜と導電性膜との間に挟持された、光電変換層及び電子ブロッキング層を含む光電変換膜を有する光電変換素子であって、前記電子ブロッキング層が環構造を３つ以上含む置換アミノ基を置換基に有する化合物を含む事を特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）