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Fターム[5F049PA14]の内容

受光素子−フォトダイオード・Tr (21,418) | 製造方法(工程) (2,065) | エッチング (375)

Fターム[5F049PA14]に分類される特許

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【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子1の半導体層10に凸層11を形成する。導電層40を凸層11の一側面に接触するようにして半導体層10の表面に積層する。第1電極21を凸層11の反対側の面に接触するようにして半導体層10の表面に設ける。第2電極22を導電層40に設ける。更に、凸層11又は導電層40に多数の周期構造33を含む金属ナノ構造30を積層する。各周期構造33は複数の第1凸部31からなり、第1凸部31の配置間隔が周期構造33に応じて異なる。 (もっと読む)


【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、PDの暗電流を10nA以下まで低減する。
【解決手段】 n型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びZnドープp型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[011]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に(100)面方位での飽和濃度以下の濃度のFeをドープし、上側クラッド層に(100)面方位での飽和濃度以上の濃度のFeをドープする。 (もっと読む)


【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、2次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第1電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第2電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第1電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第1の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 (もっと読む)


【課題】II族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、(a)基板上方に、II族酸化物半導体層を成長させる工程と、(b)II族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつOリッチ条件での成長を行い抵抗率が10Ωcm以上のII族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 汚染物質に対する表面電界領域の露出を最少にし、キャップ領域に対する金属の位置合せを確実にして上部のメタライズされたコンタクト領域により遮られる入射光を最少にするように、太陽電池及び光検出器などの半導体光検出デバイスを作成する方法、並びにその方法によって作成される製品を提供すること。
【解決手段】 キャップエッチングステップ及び反射防止コーティングステップが単一の自己整合リソグラフィモジュールにおいて実施される、半導体光検出デバイス製造技術が提供される。 (もっと読む)


【課題】近赤外〜遠赤外域に受光感度を有するIII−V族半導体において、キャリア濃度を高精度で制御できる受光素子、およびその受光素子の素材となるエピタキシャルウエハ、およびそのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 III−V族化合物半導体からなる基板と、光を受光するための受光層と、該受光層のバンドギャップエネルギより大きいバンドギャップエネルギを有する窓層と、少なくとも受光層に位置するpn接合とを備え、窓層の表面において、二乗平均面粗さが10nm以上40nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】フィルファクタの大きいメサ構造を採用した上で、メサ構造の溝の壁面におけるリーク電流を抑制することができる受光素子等を提供する。
【解決手段】 本発明の受光素子10は、半導体基板1上に画素が形成された受光素子であって、光を受光するための受光層3と、受光層内に位置するpn接合15と、画素と該画素の周囲とを溝によって隔てるメサ構造とを備え、メサ構造の溝7の壁面にわたって、pn接合の端が該メサ構造の壁面に露出しないように不純物壁面層8が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】大面積化を図りつつ、時間分解能をより一層向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子10は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードAPDと、各アバランシェフォトダイオードAPDに対して直列に接続されるクエンチング抵抗R1と、クエンチング抵抗R1が並列に接続される信号線TLと、を含むフォトダイオードアレイPDAを一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有する。搭載基板20は、チャンネル毎に対応した複数の電極E9が主面20a側に配置されると共に、各チャンネルからの出力信号を処理する信号処理部SPが主面20b側に配置されている。半導体基板1Nには、チャンネル毎に、信号線TLと電気的に接続された貫通電極TEが形成されている。貫通電極TEと電極E9とがバンプ電極BEを介して電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第1透明電極に積層される第1層間絶縁膜と、第1層間絶縁膜の上に配設される第2の信号読み出し部と、第2の信号読み出し部の上に配設され、光の3原色のうち第2の波長の光に感度を有する第2光電変換膜と、第2光電変換膜に積層される第2透明電極と、第2透明電極に積層される第2層間絶縁膜と、第2層間絶縁膜の上に配設される第3の信号読み出し部と、第3の信号読み出し部の上に配設され、光の3原色のうち第3の波長の光に感度を有する第3光電変換膜と、第3光電変換膜に積層される第3透明電極と、第1光電変換膜、第2光電変換膜、及び第3光電変換膜を画素毎に隔離する第1隔壁とを備え、前記第1の信号読み出し部、前記第2の信号読み出し部、及び前記第3の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が2次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 (もっと読む)


【課題】
低暗電流で、高速かつ高利得な光通信用アバランシェフォトダイオード及びそれを用いた受信機を提供する。
【解決手段】
光吸収層4と増倍層7を有するアバランシェフォトダイオードにおいて、光吸収層4と増倍層7が結晶面に対して平行方向(基板1上方において水平方向)に空間的かつ電気的に分離して配置し、光吸収層4と増倍層7間を導電性配線により電気的に接続することで、増倍層7の薄膜化が可能となり、さらに光吸収層4と増倍層7は高品質の結晶から形成されるため、アバランシェフォトダイオードの低暗電流化、高速化かつ高利得化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】設計自由度を低下させることなく、感度の向上を図ることができる受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子1は、入射光を表面プラズモンに変換する周期構造領域1aと、周期構造領域1aの外縁に沿うように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域1bと、周期構造領域1aの内側に位置するように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域1cと、を備える。 (もっと読む)


【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層11と、半導体層の主面151に設けられた反対導電型の半導体領域182と、半導体層11の主面151に半導体領域182と離間して設けられた一導電型で半導体層11より高不純物濃度の半導体領域191、192と、少なくとも半導体領域182と半導体領域と191、192の間の半導体層11の主面151に設けられた一導電型で半導体層11より高不純物濃度で半導体領域191、192よりも低不純物濃度の半導体領域99と、を備えるフォトダイオード30と、半導体層11の主面151上に設けられた絶縁層10と、絶縁層10上に設けられ、トランジスタ素子40が形成された半導体層9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】シリコンフォトダイオード及びシリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードPD5は、P型半導体基板20を備え、裏面入射型である。P型半導体基板20は、互いに対向する第1及び第2主面0a,20bを有し、光感応領域21を含む。光感応領域21は、N型不純物領域23と、P型不純物領域25と、P型半導体基板20においてバイアス電圧を印加した際に空乏化する領域とからなる。P型半導体基板20の第2主面20bには、不規則な凹凸10が形成されている。P型半導体基板20の第2主面20b側には、アキュムレーション層37が形成されており、アキュムレーション層37における、光感応領域21に対向している領域は光学的に露出している。 (もっと読む)


【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】半導体基板2を絶縁層4が露出するまでドライエッチングすることにより、半導体基板2を貫通して絶縁層4に至る孔H1を光感応領域S1に対応する位置に形成する。次に、n型埋込み層6の孔H1に露出する面7に、不規則な凹凸22を形成する。絶縁層4のn型埋込み層6の孔H1に露出する面にピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光が照射されると、絶縁層4が除去されると共に、n型埋込み層6の孔H1に露出する面7がピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、不規則な凹凸22が面7の全面に形成される。次に、不規則な凹凸22が形成された基板を熱処理する。 (もっと読む)


【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードPD5は、第1半導体基板21と、第1半導体基板21に比較してn型の不純物濃度が高い第2半導体基板23と、を備え、裏面入射型である。第1半導体基板21と第2半導体基板23とは、表面21b及び表面23bが貼着面とされて、貼着されている。第1半導体基板21は、表面21a側にP型半導体領域3が形成されている。第2半導体基板23の表面23aにおける少なくともP型半導体領域3に対向する領域には、不規則な凹凸10が形成されている。 (もっと読む)


【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子SP1は、第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1及び第2主面21a,21bを有すると共に第1主面21a側に第2導電型の半導体層23が形成されたシリコン基板21と、第1主面21a上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極25と、を備え、表面入射型である。シリコン基板21には、第2主面21b側にシリコン基板21よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層31が形成され、第2主面21bにおける少なくとも半導体領域23に対向する領域に不規則な凹凸10が形成されている。シリコン基板21の第2主面21bにおける不規則な凹凸10が形成された領域は、光学的に露出している。 (もっと読む)


【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子1は、半導体から成る基板10と、基板10中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部11と、基板10上に設けられる絶縁層12と、絶縁層12上に設けられ受光部11が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層13と、固定電荷層13上に設けられる反射防止層14と、基板10中の受光部11と隣接する位置に設けられ受光部11から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部15と、少なくとも電荷転送部15の直上に設けられる転送電極16と、を備える。反射防止層14は、受光部11の直上の領域内に設けられる。 (もっと読む)


【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】基板101上に酸化膜で構成された絶縁膜102が形成され、当該絶縁膜102上に並べて形成された複数の画素電極104と、複数の画素電極104の上にこれらを覆って形成された有機材料を含む受光層107と、受光層107上に形成された対向電極108とを有する固体撮像素子であって、画素電極104が、酸化窒化チタンで構成され、受光層107を形成する直前における画素電極104の組成が、(1)画素電極104全体に含まれる酸素量がチタン量の75atm%以上、又は、(2)画素電極104の基板101側から10nmまでの範囲或いは画素電極104の基板101側から画素電極104厚みの2/3までの範囲において、酸素量がチタン量の40atm%以上の条件を満たしている。 (もっと読む)


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