Fターム[5F049SE01]の内容
受光素子−フォトダイオード・Tr (21,418) | 電極 (1,414) | 材料 (994)
Fターム[5F049SE01]の下位に属するFターム
Fターム[5F049SE01]に分類される特許
1 - 15 / 15
光電変換素子の製造方法
【課題】製造コストを抑えつつ、製造工程に起因する性能劣化を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の電極と、第1の電極上方に形成された第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に形成された、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を有する有機層と、第1の電極、第2の電極および有機層を封止する封止層とを有する光電変換素子の製造方法である。第1の電極の上方に有機層を形成する有機層形成工程と、有機層の上方に第2の電極を形成する第2の電極形成工程と、第2の電極の上方に封止層を形成する封止層形成工程とを有する。有機層形成工程から封止層形成工程の各工程が真空下でなされる。さらに有機層形成工程と第2の電極形成工程との間に製造途中の光電変換素子中間体を300lux・h以下の照射光量の非真空下に置く工程を有する。
(もっと読む)
分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法
【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口11aを有する坩堝11と、坩堝11の外周及び開口11aの縁を覆う遮蔽部材18と、遮蔽部材18を冷却する冷却部材21と、坩堝11に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材18には、鉛直上方から坩堝11を覆う被覆部19が設けられている。
(もっと読む)
光検出素子
【課題】小型化することのできる2波長対応の光検出素子を提供する。
【解決手段】基板上に積層形成された第1の電極層、第1の光吸収層、第2の電極層、第2の光吸収層、第3の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層とを接続する第1の電極配線と、前記第2の電極層と前記第3の電極層とを接続する第2の電極配線と、前記第2の電極と前記第1の電極配線との接触部分に形成される第1のダイオードと、前記第2の電極と前記第2の電極配線との接触部分に形成される第2のダイオードと、を有することを特徴とする光検出素子により上記課題を解決する。
(もっと読む)
距離センサ及び距離画像センサ
【課題】高感度化を図りつつ、電荷の高速転送を実現することが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】フォトゲート電極PGは、平面形状が互いに対向する第1及び第2長辺LS1,LS2と互いに対向する第1及び第2短辺SS1,SS2とを有する長方形状である。第1及び第2半導体領域FD1,FD2は、第1及び第2長辺LS1,LS2の対向方向でフォトゲート電極PGを挟んで対向して配置されている。第3半導体領域SR1は、第1及び第2短辺SS1,SS2の対向方向でフォトゲート電極PGを挟んで対向して配置されている。第3半導体領域SR1は、第1及び第2短辺SS1,SS2側でのポテンシャルをフォトゲート電極PGの直下の領域における第1及び第2半導体領域FD1,FD2の間に位置する領域でのポテンシャルよりも高めている。
(もっと読む)
有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイ
【課題】高い光電変換効率及び耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、及びp型半導体材料とn型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、少なくとも下記一般式(1)で表される構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。
(式中、A1及びA2は各々独立して、置換又は無置換の5〜6員のアリール又はヘテロアリール基から選ばれる基を表す。)
(もっと読む)
有機光電変換素子、太陽電池、及び光センサアレイ
【課題】低バンドギャップポリマーによる高い光電変換効率のため、高い曲線因子を提供しうるフラーレン誘導体含有の有機光電変換素子等を提供する。
【解決手段】対極と透明電極間に、下記一般式(1)の化合物含有の有機層を設ける。
(もっと読む)
光電変換装置およびその製造方法ならびにカメラ
【課題】フォトダイオードのカソードをn型の埋め込み層で構成した新規な構造の光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、n型の表面領域18と、表面領域18の下に形成されたp型領域PRと、p型領域PRの下に形成されたn型の埋め込み層10とを含む。表面領域18、p型領域PRおよび埋め込み層10によって埋め込み型のフォトダイオードPDが構成される。表面領域18の主要不純物の拡散係数は、埋め込み層10の主要不純物の拡散係数より小さい。
(もっと読む)
受光素子、半導体装置とその製造方法、光ピックアップ装置及び光ディスク記録再生装置
【課題】受光素子におけるアノード抵抗を低減し、分割された隣合うフォトダイオード間のリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】第1導電型の半導体基板(52)または第1導電型の半導体層と、この第1導電型の半導体基板(52)または半導体層に形成された第1導電型の分離領域(55)とを有する。また、第1導電型の半導体基板(52)または半導体層に形成され、分離領域(55)で分離された複数の第2導電型の半導体層(53A,53B)と、分離領域及び複数の第2導電型の半導体層を含む受光領域)61)上に形成された反射防止膜(57)を有する。さらに、第1導電型の半導体基板または半導体層に電気的に接続され、反射防止膜(57)を構成する上層膜(59)で被覆されて分離領域(55)の表面に沿って形成されたシリサイドによる第1電極(64)を有する。
(もっと読む)
光電変換素子,光電変換素子の製造方法及び撮像素子
【課題】電荷ブロッキング層における欠陥準位の発生を抑えることで光学特性を改善することができる光電変換素子,光電変換素子の製造方法及び撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に挟まれた光電変換層と、一対の電極の少なくとも一方と前記光電変換層との間に設けられた電荷ブロッキング層とを備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が、2種の金属酸化物を含む単一の層である。
(もっと読む)
光電変換素子及び固体撮像素子
【課題】電極で生じる応力に起因する光電変換素子の性能の低下を防止することができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極101,104と、一対の電極101,104の間に配置された光電変換層102と、一対の電極101,104のうち一方と光電変換層102とに挟まれた少なくとも一つの応力緩衝層を備え、応力緩衝層の少なくとも一部が結晶層108を含む積層構造である。
(もっと読む)
受光素子、光ピックアップ装置、光ディスク装置および受光装置
【課題】フォトダイオード形状に依存せず、加算出力を維持したまま、周波数特性を向上させることの可能な受光素子を提供する。
【解決手段】半導体基板10および半導体層11によってPN接合型のフォトダイオードが構成されている。半導体層11の上面には反射防止膜12が形成され、反射防止膜の上には受光面1Aに対応して開口部13Aを有する層間膜13が形成されている。反射防止膜12は、第1絶縁膜12Aおよび第2絶縁膜12Bを積層してなる積層構造を有しており、第1絶縁膜12Aには開口部13Aの端縁13Bに沿って延在する溝部12Cが設けられている。溝部12Cの底面には半導体層11が露出しており、溝部12Cにはシリサイドを含んで構成されたカソード電極14が設けられている。
(もっと読む)
光半導体装置及び赤外線検出装置
【課題】製造が容易で且つ再現性の高い構造を備えた量子ドット赤外線光検出器を提供することである。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された、導電性の半導体からなる第1の電極層と、前記第1の電極層の上に形成された前記第1の光電変換層と、前記第1の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第2の電極層と、前記第2の電極層の上に形成された、第2の光電変換層と、前記第2の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第3の電極層からなる赤外線を電気信号に変換する光半導体装置において、前記第1の光電変換層が、前記半導体基板の主面に投影した形状が、第1の方向に長軸を有する第1の量子ドットから成り、前記第2の光電変換層が、前記主面に投影した形状が、前記第1の方向にに交差する第の2の方向に長軸を有する第2の量子ドットから成ること。
(もっと読む)
受光素子及びその製造方法
【課題】受光される各波長の光、特に短波長、例えば405nm帯の青色波長の光に対する受光感度を他のそれよりも波長の光に対する受光感度と同様に高感度に維持しつつ、これら受光した光を従来よりも高速に光電変換して速い応答速度を有する受光素子を提供する。
【解決手段】外部から入射した光を電荷に光電変換する受光素子50において、半導体基板1と、この半導体基板上に形成された半導体層2と、この半導体層にストライプ状に形成されたアノード領域3と、半導体層上に形成されてアノード領域同士の間隙を覆う絶縁層4と、この絶縁層上に上記間隙に対応してストライプ状に形成された光透過性を有するゲート電極10と、を備えた構成とする。
(もっと読む)
受光素子、この受光素子を備える光ディスク装置及び受光素子の製造方法
【課題】本発明は、クロストーク特性の悪化を招くことなく、各受光領域間のリーク電流を改善する受光素子、この受光素子を備える光ディスク装置、受光素子の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明に係る受光素子1は、分離領域2を介して第1受光領域4a及び第2受光領域4bを互いに隣接させて形成し、これらの領域4a、4b上に反射防止膜5を形成した受光素子1において、第1受光領域4aと第2受光領域4bとの間の分離領域2上に導電膜6を設けたことを特徴とする。
(もっと読む)
半導体装置
【課題】PINフォトダイオードを受光部に備える光検出用半導体素子において、同一チップ上にCMOSを構成可能とする。
【解決手段】P-sub層80の上にエピタキシャル層82を積層した半導体基板に受光部62及び信号処理回路部66を構成する。PINフォトダイオードはP-sub層80をアノードとし、カソード領域72とP-sub層80との間のエピタキシャル層82をi層として構成される。信号処理回路部66においてCMOSを形成するNウェル86とエピタキシャル層82との境界にPウェル84を形成する。
(もっと読む)
1 - 15 / 15
[ Back to top ]